本实施方式中，通过将间隔件73配置于X射线管21的筐体51与第I电路基板32之间，使X射线管21的筐体51与第I电路基板32分离，并经由间隔件73结合筐体51与第I电路基板32。间隔件73为由绝缘性材料构成的块状的构件，由例如硅酮橡胶构成。间隔件73例如成为较背面电极58小一圈的扁平的大致长方体形状，且分别粘结于相对壁部51b及第I电路基板32的大致中央部分。另外，在本实施方式中，在通过间隔件73而在相对壁部51b与第I电路基板32之间形成的间隙，配置有高压产生模块22及配线部38。高压产生模块22及配线部38以在第I电路基板32上，以不与相对壁部51b接触的厚度包围间隔件73的方式，设置成矩形的框状。
[0056]即使在这样的结构中，X射线管21的筐体51的壁部中，由包含碱的玻璃形成的相对壁部51b也与包含产生施加于灯丝52的负的高电压的高压产生模块22的电源部的高电压区域VH相对地配置。由此，可抑制在相对壁部51b产生电场，从而抑制了碱离子自玻璃析出。因此，可抑制灯丝52、或栅极53、靶54等的不同电位的电极间的电位关系的变化，可防止无法保持所期望的X射线量等的不良状况的发生，因而可维持稳定的动作。
[0057]另外，可通过间隔件73而稳定地固定X射线管21且在形成于相对壁部51b与第I电路基板32之间的间隙配置高压产生模块22及配线部38，因而可有效地利用第I电路基板32。由此，可抑制第I电路基板32的大型化，从而实现X射线照射源2的小型化。再者，通过间隔件73由绝缘性材料构成，也可抑制对相对壁部51b的电气影响。
[0058]还有，间隔件73可为硅酮树脂或胺基甲酸酯等，也可由导电性材料构成。对于相对壁部51b、间隔件73、及第I电路基板32的结合来说，优选如密封或粘结剂等那样可确保面彼此的紧贴性的方法。另外，对于绝缘材料，优选使用自身熔接性的材料。
[0059][第3实施方式]
[0060]图9是本发明的第3实施方式所涉及的X射线照射源的平面图。另外，图10是表示该X射线管与电路基板的结合状态的剖面图。如图9及图10所示，第3实施方式所涉及的X射线照射源中，X射线管21与第I电路基板32的结合状态、与高压产生模块22及配线部38的配置进一步不同于第I实施方式。
[0061]更具体而言，在本实施方式中，使用面积较图4及图5所示的第I电路基板32更大的筐体31及第I电路基板32，在第I电路基板32的一面侧在X射线管21的宽度方向的双方设置使X射线管21驱动的驱动电路23。另外，不使用第2电路基板33，将框状的间隔构件82固定于盖部31c，且在间隔构件82的前端固定第I电路基板32。然后，高压产生模块22及配线部38以与相对壁部51b相对的方式设置于第I电路基板32的与筐体51的载置面相反的面。
[0062]这样的结构中，X射线管21的筐体51的壁部中，由包含碱的玻璃形成的相对壁部51b也与包含产生施加于灯丝52的负的高电压的高压产生模块22的电源部的高电压区域VH相对地配置。由此，可抑制在相对壁部51b产生电场，从而可抑制碱离子自玻璃析出。因此，可抑制灯丝52、或栅极53、靶54等的不同电位的电极间的电位关系的变化，可防止无法保持所期望的X射线量等的不良状况的发生，因而可维持稳定的动作。另外，通过减少电路基板的数量，除了可进一步缩小筐体31的厚度之外，也可使筐体51周围的结构简单化。
[0063][本发明的效果确认试验]
[0064]图11是表示本发明的效果确认试验的结果的图。本试验是在将以包围相对壁部的方式形成高电压区域的配线部配置于第I电路基板上的例子(实施例1)、以及将以包围除了低电压区域侧的相对壁部的3边的方式形成高电压区域的配线部配置于第I电路基板上的例子(实施例2)中，模拟X射线管的筐体周边的电位分布的试验。在任一例子中，均假定在第I电路基板上存在相对壁部周围的高电压区域、及从高电压区域分离的低电压区域，且仅低电压区域位于第2电路基板上。另外，实施例2中，与实施例1相比，使第2电路基板接近第I电路基板。
[0065]如图11 (a)及图11 (b)所示，可确认实施例1及实施例2均在相对壁部的长边方向的端部稍微产生电场，但除了该部分未产生电场。根据该结果，可确认如本发明那样通过将X射线管的相对壁部配置于高电压区域，可抑制在相对壁部产生电场。
[0066]符号的说明
[0067]2…X射线照射源、21...Χ射线管、22...高压产生模块(电源部、高电压产生部)、32…第I电路基板(电路基板)、38...配线部(电源部)、51…筐体、51a…窗用壁部、51b…相对壁部、52…灯丝(阴极)、52a…电子放出部、54...革巴、57...输出窗、58...背面电极、73...间隔件。
【主权项】
1.一种X射线照射源，其特征在于，包含:X射线管，其包含:阴极，其被施加负的高电压；靶，其通过来自所述阴极的电子的入射而产生X射线；及筐体，其收纳所述阴极与所述靶并且具有使自所述靶产生的所述X射线向外部射出的输出窗；及电源部，其产生施加于所述阴极的所述负的高电压，所述筐体具有:窗用壁部，其设置有所述输出窗；及主体部，其与所述窗用壁部接合而形成收纳所述阴极及所述靶的收纳空间，所述主体部具有相对壁部，该相对壁部与所述窗用壁部相对地配置且由包含碱的玻璃形成，所述电源部具有:高电压产生部，其产生所述负的高电压；及高电压区域，其连接于该高电压产生部并且配置有所述相对壁部。2.如权利要求1所述的X射线照射源，其特征在于，所述阴极沿着所述相对壁部的内表面延伸，所述高电压区域沿着所述阴极的延伸方向延伸。3.如权利要求1或2所述的X射线照射源，其特征在于，所述阴极的电子放出部从所述相对壁部分离，在所述电子放出部与所述相对壁部之间，设置有被施加与自所述电源部供给至所述阴极的所述负的高电压大致相同等的负的高电压的背面电极，所述背面电极以与所述阴极相对的方式沿着所述相对壁部的内表面延伸而配置。4.如权利要求1至3中任一项所述的X射线照射源，其特征在于，还包含:电路基板，其载置有所述筐体及所述电源部，并且包含形成所述高电压区域的配线部，所述高电压产生部及所述配线部以包围所述相对壁部的至少一部分的方式配置。5.如权利要求1至3中任一项所述的X射线照射源，其特征在于，还包含:电路基板，其载置有所述筐体及所述电源部，并且包含形成所述高电压区域的配线部，所述筐体经由间隔件而固定于所述电路基板，所述高电压产生部及所述配线部以在所述筐体与所述电路基板之间包围所述间隔件的至少一部分的方式，配置于与所述相对壁部相对的位置。6.如权利要求1至3中任一项所述的X射线照射源，其特征在于，还包含:电路基板，其载置有所述筐体及所述电源部，并且包含形成所述高电压区域的配线部，所述高电压产生部及所述配线部在与所述相对壁部相对的位置，配置于所述电路基板上的与所述筐体的载置面相反面侧。
【专利摘要】X射线照射源(2)中，X射线管(21)的筐体(51)的壁部中，由包含碱的玻璃形成的相对壁部(51b)与包含产生施加于灯丝(52)的负的高电压的高压产生模块(22)的电源部的高电压区域(VH)相对地配置。通过这样的结构，可抑制在相对壁部(51b)产生电场，从而抑制了碱离子自玻璃析出。因此，可抑制灯丝(52)、或栅极(53)、靶(54)等的不同的电位的电极间的电位关系的变化，可防止无法保持所期望的X射线量等的不良状况的发生，因而可维持稳定的动作。
【IPC分类】H05G1/04, H01J35/16, H01J35/06
【公开号】CN105027254
【申请号】CN201380071779
【发明人】仲村龙弥, 小杉典正, 奥村直树, 佐藤义孝, 松本晃, 丸岛吉久, 中村和仁
【申请人】双叶电子工业株式会社, 浜松光子学株式会社
【公开日】2015年11月4日
【申请日】2013年11月5日
【公告号】DE112013006533T5, WO2014119079A1