一种镍硅化物的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体集成电路制造技术领域，更具体地，涉及一种镍硅化物的制作方法。
【背景技术】
[0002]随着半导体器件集成度的持续增加以及与这些器件相关的临界尺寸的持续减小，如何以低电阻材料制造半导体器件从而保持或者降低信号延迟成为人们关注的焦点，而CMOS器件的栅极导体和S/D的表面电阻和接触电阻的减小与后道互连同样的重要。
[0003]在半导体制造技术中，金属硅化物由于具有较低的电阻率且与其他材料具有很好的粘合性而被广泛应用于源/漏接触和栅极接触来降低接触电阻。高熔点的金属例如T1、Co、Ni等通过一步或多步退火工艺，与娃发生反应即可生成低电阻率的金属娃化物。随着半导体工艺水平的不断提高，特别是在45nm及其以下技术节点，为了获得更低的接触电阻，镍及镍的合金(例如NiPt)已成为形成NiSi金属硅化物的主要材料。
[0004]在使用镍形成镍硅化物时，现有的工艺通常包括以下步骤:
[0005]首先沉积NiPt，然后沉积保护层TiN ;
[0006]接着，通过进行两次退火，来形成所需的镍硅化物；其中，第一次退火的目的是形成Ni2S1、第二次退火的目的是形成最终需要的NiSi。
[0007]在上述现有的镍硅化物制作方法中，是通过在Ni中增加Pt来增强NiSi的稳定性。其中，Pt被直接加到Ni的靶材中，以NiPt这种合金的形式沉积成膜。可是，在形成硅化物时，分布在有源区(AA)上的Pt在水平方向上的浓度是基本均匀没有变化的，浓度高虽然有利于形成的硅化物的稳定，但其电阻也会升高，从而不利于器件的性能。
【发明内容】
[0008]本发明的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种镍硅化物的制作方法，可应用于自对准金属硅化物的优化，通过使有源区上硅化物中的Pt浓度在水平方向上具有渐变趋势，从而改善了器件的性能。
[0009]为实现上述目的，本发明的技术方案如下:
[0010]—种镍硅化物的制作方法，包括以下步骤:
[0011]步骤SOl:提供一半导体娃衬底，在衬底中形成源极和漏极，以及在源极和漏极之间的衬底上形成栅极和栅极第一侧墙；
[0012]步骤S02:在第一侧墙外侧形成第二侧墙；
[0013]步骤S03:沉积一第一 SiN层作为金属硅化物阻挡层，图形化第一 SiN层，将需要形成金属硅化物的区域暴露出来；
[0014]步骤S04:依次沉积一第一 NiPt层和第一 TiN层，并进行第一次退火，在需要形成金属硅化物的区域形成第一镍硅化物；
[0015]步骤S05:去除第一 TiN层、没有反应的第一 NiPt层以及第一 SiN层，然后，去除第二侧墙；
[0016]步骤S06:沉积一第二 SiN层作为金属硅化物阻挡层，图形化第二 SiN层，将需要形成金属硅化物的区域暴露出来；
[0017]步骤S07:依次沉积一第二 NiPt层和第二 TiN层，并进行第二次退火，在需要形成金属硅化物的区域形成第二镍硅化物；
[0018]步骤S08:去除第二 TiN层、没有反应的第二 NiPt层以及第二 SiN层，然后，进行第三次退火，在需要形成金属硅化物的区域形成第三镍硅化物。
[0019]优选地，所述第一、第二镍硅化物为Ni2Si。
[0020]优选地，所述第三镍硅化物为NiSi。
[0021]优选地，所述第一、第二 TiN层的厚度相同。
[0022]优选地，所述第二 NiPt层中Pt的含量大于第一 NiPt层中Pt的含量。
[0023]优选地，所述第二 NiPt层中Pt的含量为不大于20%。
[0024]优选地，所述第一 NiPt层中Pt的含量最小为O。
[0025]优选地，所述第二侧墙的宽度不小于50埃。
[0026]优选地，所述第一、二次退火温度为200?350 °C。
[0027]优选地，所述第三次退火温度为350?550 °C。
[0028]从上述技术方案可以看出，本发明将形成镍硅化物时的传统两次退火优化为三次退火工艺，通过在栅极外侧增加第二侧墙(spacer)、并采用Pt含量相对低的NiPt进行第一次退火，以及去除第二侧墙、并采用Pt含量相对高的NiPt进行第二次退火，使得有源区上娃化物中的Pt分布更接近沟道，且其浓度在水平方向上具有渐变趋势，靠近沟道区域的娃化物中的Pt含量相对较高，使此区域娃化物更加稳定，可改善因piping defect (金属娃化物的管状钻出缺陷)而造成的漏电流；而远离沟道的硅化物中的Pt浓度相对较低，从而降低了此区域硅化物的电阻。本发明可应用于自对准金属硅化物的优化，并改善器件的性能。
【附图说明】
[0029]图1是本发明一种镍硅化物的制作方法的流程图；
[0030]图2?图7是本发明一较佳实施例中根据图1的方法形成镍硅化物的工艺结构示意图。
【具体实施方式】
[0031]下面结合附图，对本发明的【具体实施方式】作进一步的详细说明。
[0032]需要说明的是，在下述的【具体实施方式】中，在详述本发明的实施方式时，为了清楚地表示本发明的结构以便于说明，特对附图中的结构不依照一般比例绘图，并进行了局部放大、变形及简化处理，因此，应避免以此作为对本发明的限定来加以理解。
[0033]在以下本发明的【具体实施方式】中，请参阅图1，图1是本发明一种镍硅化物的制作方法的流程图。同时，请参阅图2?图7，图2?图7是本发明一较佳实施例中根据图1的方法形成镍硅化物的工艺结构示意图。图2?图7中形成的器件结构，可与图1中的各步骤相对应。如图1所示，本发明的一种镍硅化物的制作方法，包括以下步骤:
[0034]如框01所示，步骤SOl:提供一半导体硅衬底，在衬底中形成源极和漏极，以及在源极和漏极之间的衬底上形成栅极和栅极第一侧墙。
[0035]请参阅图2。首先，可采用传统工艺在硅基半导体衬底I上形成MOS器件，包括在衬底I中形成源极和漏极(图略)，以及在源极和漏极之间的衬底上形成栅极2。栅极2可采用多晶硅栅极。接着，可采用公知的侧墙工艺在栅极2两侧形成第一侧墙3。
[0036]如框02所示，步骤S02:在第一侧墙外侧形成第二侧墙。
[0037]请继续参阅图2。接下来，可利用公知的侧墙工艺在第一侧墙3两侧继续形成第二侧墙4。作为优选的实施方式，所述第二侧墙4应在水平方向具有足够的宽度，例如其宽度可不小于50埃。
[0038]如框03所示，步骤S03:沉积一第一 SiN层作为金属硅化物阻挡层，图形化第一SiN层，将需要形成金属硅化物的区域暴露出来。
[0039]请继续参阅图2。接下来，在衬底及MOS器件表面沉积一层第一 SiN层，作为金属硅化物阻挡层(SAB hard mask)。然后，可采用公知的光刻及刻蚀工艺，对第一 SiN层进行图形化。例如通过光刻技术，将图形转移到SiN上，再经干法刻蚀，选择性地去除需要形成金属硅化物区域的SiN，即去除栅极和源/漏区域的SiN(图示为简化，已将第一 SiN层图形全部略去，请避免误解)。在栅极和源/漏区域将用于形成金属接触。
[0040]如框04所示，步骤S04:依次沉积一第一 NiPt层和第一 TiN层，并进行第一次退火，在需要形成金属硅化物的区域形成第一镍硅化物。
[0041]请参阅图3。接下来，在衬底及MOS器件表面依次沉积一层第一 NiPt层5和一层第一 TiN层6，将衬底及MOS器件覆盖。其中，第一 NiPt层5用于后续使其中的Ni与多晶硅栅极中的Si及源/漏区域中的Si在退火状态下发生反应，生成镍的金属硅化物；第一TiN层6用作第一 NiPt层5的保护层(caplayer)。作为一可选的实施方式，所述第一 NiPt层5中Pt的含量例如可为O?15%，即所述第一 NiPt层5中Pt的含量最小可为0，也就是第一 NiPt层5实际可为纯镍材料。
[0042]请参阅图4。接下来，通过进行第一次退火，以在需要形成金属硅化物的区域形成第一镍硅化物7-1?7-3。即通过第一次退火，使第一 NiPt层中的镍与多晶硅栅极和源/漏区域的硅分别发生反应，生成第一镍硅化物。