合适的材料。
[0074]本实施例的半导体器件的制造方法所制造的半导体器件，可以为相变存储器，还可以为包括相变存储器的其他器件。
[0075]本实施例半导体器件的制造方法，由于采用氩溅射工艺形成了环形相变材料，因此，与现有技术相比，可以降低相变材料与底电极之间的接触面积，从而可以降低驱动电流，最终降低半导体器件的功耗。
[0076]图3示出了本发明的一个实施例提出的半导体器件的制造方法的一种示意性流程图，用于简要示出上述方法的典型流程。具体包括:
[0077]步骤SlOl:在前端器件上形成第一绝缘层，并形成位于所述第一绝缘层内的第一接触孔以及位于所述第一接触孔内的底电极；
[0078]步骤S102:形成位于所述第一绝缘层之上的第二绝缘层，在所述第二绝缘层内形成位于所述底电极上方的第二接触孔；
[0079]步骤S103:形成覆盖所述第二接触孔的底部与侧壁的相变材料层，通过氩溅射工艺去除所述相变材料层位于所述第二接触孔底部的部分，以形成环形相变材料。
[0080]实施例二
[0081]本实施例提供一种半导体器件，其采用实施例一所述的半导体器件的制造方法来制备。
[0082]如图4所示，该半导体器件包括前端器件100、位于所述前端器件上的第一绝缘层101以及位于所述第一绝缘层上的第二绝缘层103，其中，所述第一绝缘层内形成有第一接触孔1011，所述第一接触孔内设置有底电极102，所述第二绝缘层内形成有位于所述底电极上方的第二接触孔1031，所述第二接触孔内设置有与所述底电极相接触的环形相变材料104。
[0083]可选地，环形相变材料的壁厚为10_30nm。
[0084]可选地，环形相变材料的外径为30-100nm，内径为20_90nm。
[0085]示例性地，该半导体器件还包括位于所述环形相变材料104的开口的内壁上的第一填充组件105以及位于所述开口内未被所述第一填充组件覆盖的区域的第二填充组件106。
[0086]可选地，该半导体器件还包括位于所述环形相变材料上方且与所述环形相变材料相接触的上电极107。
[0087]本实施例半导体器件，由于采用了环形相变材料，因此，可以降低相变材料与底电极之间的接触面积，从而可以降低驱动电流，最终降低半导体器件的功耗。
[0088]实施例三
[0089]本发明实施例提供一种电子装置，其包括电子组件以及与该电子组件电连接的半导体器件。其中，所述半导体器件为根据实施例一所述的半导体器件的制造方法制造的半导体器件，或者，为实施例二所述的半导体器件。
[0090]本实施例的电子装置，可以是手机、平板电脑、笔记本电脑、上网本、游戏机、电视机、V⑶、DVD、导航仪、照相机、摄像机、录音笔、MP3、MP4、PSP等任何电子产品或设备，也可为任何包括该半导体器件的中间产品。其中，该电子组件可以为任何组件，在此并不进行限定。
[0091]本发明实施例的电子装置，由于使用了上述的半导体器件，因而具有更低的功耗。
[0092]本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。
【主权项】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括: 步骤SlOl:在前端器件上形成第一绝缘层，并形成位于所述第一绝缘层内的第一接触孔以及位于所述第一接触孔内的底电极； 步骤S102:形成位于所述第一绝缘层之上的第二绝缘层，在所述第二绝缘层内形成位于所述底电极上方的第二接触孔； 步骤S103:形成覆盖所述第二接触孔的底部与侧壁的相变材料层，通过氩溅射工艺去除所述相变材料层位于所述第二接触孔底部的部分，以形成环形相变材料。2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103中，形成的所述相变材料层还覆盖所述第二绝缘层，并且，所述氩溅射工艺还去除所述相变材料层的覆盖所述第二绝缘层的部分。3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103中，所述环形相变材料的壁厚为10-30nm。4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103中，所述环形相变材料的外径为30-100nm，内径为20_90nm。5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤SlOl包括: 步骤SlOll:提供前端器件，在所述前端器件上形成第一绝缘层； 步骤S1012:通过刻蚀工艺形成贯穿所述第一绝缘层的第一接触孔； 步骤S1013:在所述第一接触孔内填充导电材料； 步骤S1014:通过CMP工艺去除过量的导电材料，以形成所述底电极。6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S1013中，在填充所述导电材料之前，在所述第一接触孔内沉积粘结层；并且，在所述步骤S1014中，所述CMP工艺还去除所述粘结层的高于所述第一绝缘层的部分。7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102中，形成所述第二接触孔的方法包括干法刻蚀或湿法刻蚀。8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103之后还包括步骤S104: 在所述环形相变材料的开口内填充第一介电材料和第二介电材料，通过CMP工艺去除过量的所述第一介电材料和所述第二介电材料，以形成位于所述环形相变材料的开口的内壁上的第一填充组件以及位于所述开口内未被所述第一填充组件覆盖的区域的第二填充组件。9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S104之后还包括步骤S105: 形成位于所述环形相变材料之上并与所述环形相变材料相接触的上电极。10.一种半导体器件，其特征在于，包括前端器件、位于所述前端器件上的第一绝缘层以及位于所述第一绝缘层上的第二绝缘层，其中，所述第一绝缘层内形成有第一接触孔，所述第一接触孔内设置有底电极，所述第二绝缘层内形成有位于所述底电极上方的第二接触孔，所述第二接触孔内设置有与所述底电极相接触的环形相变材料。11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述环形相变材料的壁厚为10_30nm。12.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述环形相变材料的外径为30_100nm,内径为 20_90nm。13.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括位于所述环形相变材料的开口的内壁上的第一填充组件以及位于所述开口内未被所述第一填充组件覆盖的区域的第二填充组件。14.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括位于所述环形相变材料上方且与所述环形相变材料相接触的上电极。15.一种电子装置，其特征在于，包括电子组件以及与所述电子组件电连接的半导体器件，其中所述半导体器件包括: 前端器件、位于所述前端器件上的第一绝缘层以及位于所述第一绝缘层上的第二绝缘层，其中，所述第一绝缘层内形成有第一接触孔，所述第一接触孔内设置有底电极，所述第二绝缘层内形成有位于所述底电极上方的第二接触孔，所述第二接触孔内设置有与所述底电极相接触的环形相变材料。
【专利摘要】本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件的制造方法，采用氩溅射工艺形成环形相变材料，因此，可以降低相变材料与底电极之间的接触面积，从而可以降低半导体器件的驱动电流，最终降低半导体器件的功耗。本发明半导体器件，采用前述方法制造，具有驱动电流低等优点。本发明的电子装置，使用了上述的半导体器件，因而同样具有上述优点。
【IPC分类】H01L45/00
【公开号】CN105098068
【申请号】CN201410219056
【发明人】徐佳, 任佳栋
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2014年5月22日
【公告号】US20150340604