基板处理装置的制造方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及处理基板的基板处理装置。
【背景技术】
[0002]以往，在半导体基板(以下，仅称为“基板”。)的制造工序中，使用多种类的基板处理装置对基板实施各种处理。例如，通过向在表面上形成有抗蚀剂的图案的基板供给药液，由此对基板的表面进行蚀刻等处理。另外，在蚀刻处理结束后，还进行除去基板上的抗蚀剂或清洗基板的处理。
[0003]在日本特开2011-216608号公报(文献I)中，公开了在密闭腔室的内部空间内，从喷嘴向基板的主面上喷出处理液来进行基板的处理的装置。喷嘴在基板的上方由喷嘴臂支撑，喷嘴臂经由在密闭腔室上形成的贯通孔跨越密闭腔室的内外延伸。贯通孔由密封结构密封。在进行基板的处理时，喷嘴与喷嘴臂一起沿着旋转的基板的主面移动。
[0004]但是，在文献I的装置中，在对基板的一系列处理结束后，在密闭腔室内进行使基板以高速旋转来干燥的工序(所谓的旋转干燥)。在进行基板的干燥处理时，由于在喷出药液时利用的喷嘴还存在于密闭腔室内。因此，来自喷嘴的药液的雾滴等有可能附着于基板上。
【发明内容】
[0005]本发明为一种处理基板的基板处理装置，其目的在于，在密闭的空间将腔室空间与向基板供给处理液的处理液供给部隔离。
[0006]本发明的基板处理装置具有:腔室，具有形成腔室空间的腔室主体以及腔室盖部，通过所述腔室盖部堵塞所述腔室主体的上部开口，来对所述腔室空间进行密闭，
[0007]腔室开闭机构，使所述腔室盖部相对于所述腔室主体在上下方向上移动，
[0008]基板保持部，配置在所述腔室空间内，将基板保持为水平状态，
[0009]基板旋转机构，以朝向上下方向的中心轴为中心，使所述基板与所述基板保持部一起进行旋转，
[0010]杯部，在整周位于所述腔室的外侧，并在所述腔室的外周形成侧方空间，能够接收从旋转的所述基板经由使所述腔室盖部从所述腔室主体分离而在所述基板的周围形成的环状开口飞散的处理液，
[0011]处理液供给部，在所述侧方空间内安装在所述腔室或所述杯部上，经由所述环状开口移动到所述基板的上方并向所述基板上供给处理液，或者经由所述环状开口向所述基板上供给处理液；
[0012]在形成有所述环状开口的状态下，使所述杯部与所述腔室盖部接触，从而所述腔室空间以及所述侧方空间成为I个扩大密闭空间(100)。
[0013]根据本发明，能够使腔室空间与处理液供给部隔离。
[0014]在本发明的一个优选的实施方式中，所述处理液供给部具有:
[0015]喷出头，喷出处理液，
[0016]头支撑部，其是在水平方向上延伸的构件，在自由端部固定有所述喷出头，固定端部在所述侧方空间内安装在所述腔室或所述杯部上；
[0017]所述基板处理装置还具有以所述固定端部为中心使所述头支撑部与所述喷出头一起旋转的头旋转机构，
[0018]在要向所述基板上供给处理液时，通过所述头旋转机构使所述头支撑部进行旋转，从而所述喷出头经由所述环状开口向所述基板的上方移动。
[0019]更优选，所述头旋转机构配置在所述扩大密闭空间的外侧。
[0020]进而更优选，该基板处理装置还具有杯部移动机构，该杯部移动机构使所述杯部在所述环状开口的外侧的液体接收位置和所述液体接收位置的下方的退避位置之间在上下方向上移动，
[0021 ] 所述头旋转机构固定在所述杯部的上部，与所述杯部一起在上下方向上移动。
[0022]或者，所述头旋转机构固定在所述腔室盖部上，与所述腔室盖部一起相对于所述腔室主体部在上下方向上移动。
[0023]在本发明的其他优选的实施方式中，所述喷出头在通过所述基板旋转机构旋转的所述基板的上方，沿着规定的移动路径进行往复移动，并向所述基板上供给处理液。
[0024]在本发明的其他优选的实施方式中，该基板处理装置还具有:
[0025]其他杯部，在所述扩大密闭空间内在整周位于所述环状开口的外侧，能够接收从旋转的所述基板飞散的处理液，
[0026]其他杯部移动机构，使所述其他杯部在所述环状开口的外侧的液体接收位置和所述液体接收位置的下方的退避位置之间，相对于所述杯部独立地在上下方向上移动。
[0027]在本发明的其他优选的实施方式中，在所述处理液供给部容纳在所述侧方空间内的状态下，从所述处理液供给部进行预喷出。
[0028]上述的目的和其他目的、特征、形态以及优点通过以下参照附图进行的本发明的详细说明能够清楚。
【附图说明】
[0029]图1是第一实施方式的基板处理装置的剖视图。
[0030]图2是表不气液供给部和气液排出部的框图。
[0031]图3是表示基板处理装置的处理的流程的图。
[0032]图4是基板处理装置的剖视图。
[0033]图5是表不基板处理装置的一部分的俯视图。
[0034]图6是基板处理装置的剖视图。
[0035]图7是基板处理装置的剖视图。
[0036]图8是表示基板处理装置的其他例的剖视图。
[0037]图9是基板处理装置的剖视图。
[0038]图10是第二实施方式的基板处理装置的剖视图。
[0039]图11是表示基板处理装置的处理的流程的一部分的图。
[0040]图12是基板处理装置的剖视图。
[0041]图13是基板处理装置的剖视图。
[0042]图14是基板处理装置的剖视图。
[0043]图15是基板处理装置的剖视图。
[0044]图16是表示基板处理装置的其他例的剖视图。
【具体实施方式】
[0045]图1是表示本发明的第一实施方式的基板处理装置I的剖视图。基板处理装置I是向大致圆板状的半导体基板9 (以下，仅称为“基板9”)供给处理液来逐张处理基板9的单张式装置。在图1中，对基板处理装置I的一部分的结构的截面省略标注平行斜线(在其他剖视图中也同样)。
[0046]基板处理装置I具有腔室12、顶板123、腔室开闭机构131、基板保持部14、基板旋转机构15、液体接收部16和罩17。罩17覆盖腔室12的上方以及侧方。
[0047]腔室12具有腔室主体121和腔室盖部122。腔室12呈以朝向上下方向的中心轴Jl为中心的大致圆筒状。腔室主体121具有腔室底部210和腔室侧壁部214。腔室底部210具有:大致圆板状的中央部211 ;大致圆筒状的内侧壁部212，从中央部211的外缘部向下方扩展；大致圆环板状的环状底部213，从内侧壁部212的下端向径向外方扩展；大致圆筒状的外侧壁部215，从环状底部213的外缘部向上方扩展；大致圆环板状的基座部216，从外侧壁部215的上端部向径向外方扩展。
[0048]腔室侧壁部214呈以中心轴Jl为中心的环状。腔室侧壁部214从基座部216的内缘部向上方突出。如后面所述那样，形成腔室侧壁部214的构件兼用作液体接收部16的一部分。在以下的说明中，将被腔室侧壁部214、外侧壁部215、环状底部213、内侧壁部212和中央部211的外缘部包围的空间称为下部环状空间217。
[0049]在基板保持部14的基板支撑部141 (后述)上支撑有基板9的情况下，基板9的下表面92与腔室底部210的中央部211的上表面相向。在以下的说明中，将腔室底部210的中央部211称为“下表面相向部211”，将中央部211的上表面211a称为“相向面211a”。关于下表面相向部211的详细结构在后面叙述。
[0050]腔室盖部122呈与中心轴Jl垂直的大致圆板状，包含腔室12的上部。腔室盖部122堵塞腔室主体121的上部开口。在图1中示出腔室盖部122从腔室主体121分离的状态。在腔室盖部122堵塞腔室主体121的上部开口时，腔室盖部122的外缘部与腔室侧壁部214的上部接触。
[0051]腔室开闭机构131使作为腔室12的可动部的腔室盖部122相对于作为腔室12的其他部位的腔室主体121在上下方向上移动。腔室开闭机构131是对腔室盖部122进行升降的盖部升降机构。在通过腔室开闭机构131使腔室盖部122在上下方向上移动时，顶板123也与腔室盖部122 —起在上下方向上移动。腔室盖部122与腔室主体121接触来堵塞上部开口，进而，腔室盖部122被向腔室主体121按压，由此在腔室12内形成密闭的腔室空间120(参照图7)。换言之，通过由腔室盖部122堵塞腔室主体121的上部开口，腔室空间120得以密闭。
[0052]基板保持部14配置在腔室空间120内，将基板9保持为水平状态。S卩，基板9在上表面91与中心轴Jl垂直且朝向上侧的状态被基板保持部14保持。基板保持部14具有:上述的基板支撑部141，对基板9的外缘部(即包含外周缘的外周缘附近的部位)从下侧进行支撑；基板按压部142，对被基板支撑部141支撑的基板9的外缘部从上侧按压。基板支撑部141具有以中心轴Jl为中心的大致圆环板状的支撑部基座413和固定在支撑部基座413的上表面上的多个第一接触部411。基板按压部142具有固定在顶板123的下表面上的多个第二接触部421。多个第二接触部421在周向上的位置实际上与多个第一接触部411在周方向上的位置不同。
[0053]顶板123呈与中心轴Jl垂直的大致圆板状。顶板123配置在腔室盖部122的下方且配置在基板支撑部141的上方。顶板123在中央具有开口。当基板9被基板支撑部141支撑时，基板9的上表面91与垂直于中心轴Jl的顶板123的下表面相向。顶板123的直径大于基板9的直径，顶板123的外周缘相比基板9的外周缘在整周位于径向外侧。
[0054]在图1所示的状态下，顶板123以由腔室盖部122悬吊的方式被支撑。腔室盖部122在中央部具有大致环状的板保持部222。板保持部222具有以中心轴Jl为中心的大致圆筒状的筒部223和以中心轴Jl