铜箔的覆有介电薄膜的一面相对贴合，即将二者的介电层相对，依靠介电层之间相互的粘合力将两片铜箔贴合在一起。
[0086]S6、将相对贴合的两片铜箔在200°C温度、3.0MPa的压力下热压3个小时，最终得到埋入式电容。
[0087]实施例2
[0088]本实施例与实施例1的最大区别在于，其使用Mg掺杂的水热反应法掺杂改性BaTi(Mt体，该埋入式电容的制备方法的详细步骤如下:
[0089]S1、使用Mg掺杂的水热反应法掺杂改性BaT13粉体
[0090](I)称量1g的TiCl4,缓慢地滴于86mL的冰水中；称量31.48g的BaCl2,溶于适量水中；
[0091](2)称量0.15g的MgCl2粉体，先将上一步获得的BaCl 2溶液与TiCl 4溶液混合搅拌，搅拌过程中，加入称量好的MgCl2粉体；再加入200mL的2mol/L的NaOH溶液，充分搅拌后置于高压不锈钢反应釜中，填充比为60% ;在230°(:的水热条件下保温14h后，将沉淀物过滤洗涤，去除Cl离子，提取过滤物；
[0092](3)上一步获得的过滤物在90°C下干燥24h，然后球磨，得到粒径约为1.0 μπι的Mg掺杂的BaTi03粉体。
[0093]S2、Mg掺杂改性的BaTi(V)^体的表面修饰
[0094](I)将步骤SI处理得到的Mg掺杂改性的体，与120mL的乙醇混合后，在30?60°C下超声搅拌30min，得到Mg掺杂的BaT13悬浊液；
[0095](2)在40?60°C温度下，搅拌Mg掺杂的8&1103悬浊液，同时加入0.12g的硅烷偶联剂；继续搅拌2-3h后，取出悬浊液，使用抽滤或离心的方法固液分离、洗涤、干燥后，得到表面修饰好的Mg掺杂改性的BaT13粉体。
[0096]S3、将15g热塑型聚酰亚胺溶于丙酮，50°C下搅拌，同时将步骤2中修饰过Mg掺杂改性的BaT13粉体混入其中，继续50°C下高速搅拌20min，形成混合浆料。
[0097]本实施例其余步骤S4-S6与实施例1相同。
[0098]实施例3
[0099]本实施例与实施例2的最大区别在于，其使用Cu和Ce掺杂的固相反应法掺杂改性BaT13粉体，该埋入式电容的制备方法的详细步骤如下:
[0100]S1、使用Cu和Ce掺杂的固相反应法掺杂改性8&1103粉体
[0101](I)称量1g的BaOMt体和4.05g的T1 2，混合后湿法球磨4h，所得粉体在1050°C 保温 2h ；
[0102](2)称量0.5g的CeO2粉体和0.1g的CuO，与上一步所得粉体混合，然后继续湿磨6h，得到粒径约为1.0 μ m的Ce和Cu掺杂改性的BaT13粉体。
[0103]本实施例其余步骤S2-S6与实施例2相同。
[0104]应该理解，以上实施例所述【具体实施方式】仅是为了对权利要求书进行清楚、完整的说明，但并不意味着对权利要求书保护范围的限定，凡是基于本发明的发明构思，在本发明基础上进行的与本发明无实质性差别的变形及改造，均属于本发明权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种高电容密度的埋入式电容的制备方法，其特征在于，包括以下步骤实现: 51、使用Mg、Cu或Ce的一种或多种组合掺杂取代体的晶体结构中部分Ti原子的位点，以实现对所述BaTi(V^体的掺杂改性； 52、表面修饰经步骤SI处理后的所述8&1103粉体； 53、将经步骤S2处理后的所述BaT13粉体与聚合物进行混合和搅拌，形成混合浆料，所述聚合物为聚酰亚胺； 54、将所述混合浆料涂覆在铜箔单面上，然后进行预固化处理，使得所述铜箔单面覆上介电薄膜； 55、将两个经步骤S4处理后的所述铜箔的覆有介电薄膜的一面相对贴合，获得双面覆铜介电板； 56、将所述双面覆铜介电板进行热压贴合，最终得到埋入式电容。2.如权利要求1所述的高电容密度的埋入式电容的制备方法，其特征在于:所述步骤SI中，所述掺杂取代的方法有Mg掺杂的固相反应法、Mg掺杂的水热反应法以及Cu和Ce掺杂的固相反应法。3.如权利要求2所述的高电容密度的埋入式电容的制备方法，其特征在于，所述步骤SI中，所述Mg掺杂的固相反应法如下: 称量Ba(OH)2.8H20粉体，溶于乙二醇甲醚中，按照化学计量比Ba/Ti = 1.06?1.03称量[CH3 (CH2) 30]4Ti，溶于甲醇中； 按照化学计量比Mg/Ti为0.03?0.06称量Mg (OH)2粉体，将所述Ba(OH) 2.8H20与[CH3(CH2)30]4Ti溶液混合、搅拌，搅拌过程中，加入称量好的所述Mg(OH)2粉体；充分搅拌后形成凝胶； 将所述凝胶陈化6h后，再置于烘箱中80°C干燥，得到干燥的凝胶，然后将所述凝胶于700°C下煅烧2h，得到Mg掺杂的BaT13粉体，经过球磨后，得到粒径约为0.01?2.0 μ m的Mg掺杂的BaTi03粉体。4.如权利要求2所述的高电容密度的埋入式电容的制备方法，其特征在于，所述步骤SI中，所述Mg掺杂的水热反应法如下: 称量TiCl4液体，按照Ig的TiCl 4液体对应8?9mL水的比例缓慢地滴加于冰水中，形成TiCl4溶液；按照Ig的TiCl 4液体对应3.15g BaCl 2的比例称量BaCl 2，并溶于水中，形成BaCl2溶液; 按照Ig的11(:14液体对应0.015g MgCl 2的比例称量MgCl 2粉体；将所述BaCl 2溶液与所述TiCl4溶液混合搅拌，搅拌过程中，加入称量好的所述MgCl2粉体；充分搅拌后，按照Ig的11(:14液体对应20mL NaOH溶液比例加入2mol/L的NaOH溶液，再次充分搅拌后置于高压不锈钢反应釜中，填充比为60%;在230°C的水热条件下保温14h后，将沉淀物过滤洗涤，去除Cl离子，获得过滤物； 将所述过滤物在90°C下干燥24h，然后球磨，得到粒径约为1.0 μ m的Mg掺杂的BaT13粉体。5.如权利要求2所述的高电容密度的埋入式电容的制备方法，其特征在于，所述步骤SI中，所述Cu和Ce掺杂的固相反应法如下: 按照质量比0.41/1的比例称量1102和BaCO3粉体，混合后湿法球磨4h，然后在1050°C保温2h，获得混合粉体； 按照Ig的BaOV^体对应0.05g的CeO 2粉体和0.0lg的CuO粉体比例分别称量CeO 2粉体和CuO粉体，将所述CeO2粉体、所述CuO粉体与所述混合粉体混合，然后继续湿磨6h，得到粒径约为1.0 μm的Ce和Cu掺杂的BaT13粉体。6.如权利要求1-5任一项所述的高电容密度的埋入式电容的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述表面修饰的方法为: 将经过所述步骤SI处理得到的所述体，按照Ig所述BaT1 3粉体对应1mL乙醇的比例与乙醇混合，在30?60°C下超声搅拌30min，得到掺杂改性BaT13悬浊液； 将所述掺杂改性8&1103悬浊液在40?60°C温度下搅拌，同时加入质量分数I?2%的硅烷偶联剂；继续搅拌2-3h后，取出悬浊液，使用抽滤或离心的方法固液分离，洗涤以及干燥后，得到表面修饰后的掺杂改性BaT13粉体。7.如权利要求1-6任一项所述的高电容密度的埋入式电容的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述混合和搅拌的方法为:按照掺杂改性BaTi(V^体体积分数为15?70%、聚酰亚胺体积分数为30?85%的比例，将经所述步骤S2处理后的所述掺杂改性8&1103粉体与所述聚酰亚胺共混，在30?60°C下高速超声搅拌10?30min。8.如权利要求7所述的高电容密度的埋入式电容的制备方法，其特征在于:所述步骤S3中，所述聚酰亚胺预先使用丙酮或二甲基甲酰胺(DMF)溶解，所述聚酰亚胺使用环氧基团或其他粘性基团进行改性。9.如权利要求1-8任一项所述的高电容密度的埋入式电容的制备方法，其特征在于:所述步骤S4中，所述铜箔为压延铜箔或电解铜箔；所述预固化处理的条件为在90-170°C的烘箱中保持3?30min。10.如权利要求7所述的高电容密度的埋入式电容的制备方法，其特征在于:所述步骤S3中，所述聚酰亚胺用环氧树脂、聚偏氟乙稀、聚氨酯的一种或多种组合替代。
【专利摘要】本发明涉及一种高电容密度的埋入式电容的制备方法，包括使用Mg、Cu或Ce的一种或多种组合掺杂改性碳酸钡粉体，表面修饰改性的碳酸钡粉体，碳酸钡粉体与聚合物混合、搅拌以形成混合浆料，混合浆料涂覆在铜箔单面并预固化处理，将两个覆有介电薄膜的铜箔单面相对贴合以获得双面覆铜介电板，热压贴合双面覆铜介电板等步骤；掺杂改性的方法包括Mg掺杂的固相反应法、Mg掺杂的水热反应法以及Cu和Ce掺杂的固相反应法；聚合物还可以是环氧树脂、聚偏氟乙稀、聚氨酯的一种或多种组合；铜箔为压延铜箔或电解铜箔。通过本发明所获得的埋入式电容，不仅具有热稳定性好，机械韧性强，易于加工的特点，更关键在于其表现出更高的电容密度。
【IPC分类】H05K1/16, H01G4/20
【公开号】CN105140029
【申请号】CN201510622108
【发明人】张仕通, 王锋伟, 崔成强
【申请人】安捷利（番禺）电子实业有限公司
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2015年9月25日