显示面板、有机发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本公开设及显示技术领域，具体设及一种有机发光器件及该有机发光器件的制备 方法和包括该有机发光器件的显示面板。
【背景技术】
[0002] 随着科学技术的飞速发展，人们对显示面板的要求也日趋提高，使得显示面板向 更轻、更薄、更省电方向发展，因此产生了有机发光二极管显示面板。与传统的液晶显示面 板相比较，有机发光二极管显示面板是自发光显示，不需要能耗较大的背光模块，所W能够 更轻、更薄、更省电，因而得到了越来越广泛的关注。
[0003] 根据所用有机发光材料的不同，有机发光二极管显示面板中的有机发光器件可 W分为小分子有机发光器件与高分子有机发光器件（PolymerLi曲t-emittingDiode， PLED)。相比于而言，小分子有机发光器件的制备需要高成本的真空热蒸锻设备，且不便于 在大面积显示面板中的应用，高分子有机发光器件的制备中采用的溶液旋涂、滴涂等湿法 则更为简便，节省设备和工艺成本，且便于在大面积显示面板中的应用。
[0004] 合理的器件结构对于提高高分子有机发光器件的亮度、电流效率及稳定性等方面 有着至关重要的作用。参考图1中所示，为现有技术中一种高分子有机发光器件的结构示 意图，其主要包括顺序叠置的空穴传输部r、有机发光层2'W及电子传输部3'。其发光原 理是通过空穴传输部r注入的空穴与通过电子传输部3'注入的电子在有机发光层2'中 复合产生激子从而实现发光。其中，空穴传输部rW及电子传输部3'主要用于解决两种 载流子注入的不平衡，空穴传输部r可W包括阳极10'、空穴注入层化IL) 11'W及空穴传 输层（HTL) 12'、电子传输部可W包括阴极30'W及电子传输层巧化)31'，在某些高分子有 机发光器件中，电子传输部还可W包括电子注入层巧IL)(图中未示出）。
[0005] 然而，现有技术中高分子有机发光器件的电流效率仍有待提高。
【发明内容】
[0006] 本公开的目的在于提供一种高分子有机发光器件及该高分子有机发光器件的制 备方法和包括该高分子有机发光器件的显示面板，用于至少在一定程度上克服由于相关技 术的限制和缺陷而导致的一个或多个问题。
[0007] 本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得清晰，或部分地通过本公开 的实践而习得。
[0008] 根据本公开的第一方面，提供一种高分子有机发光器件，包括：
[0009] 有机发光层，具有相对的第一面和第二面；
[0010] 电子传输部，叠设于所述有机发光层第一面；
[0011] 空穴传输部，叠设于所述有机发光层第二面，包括依次层叠设置的空穴注入层、空 穴传输层；
[0012] 所述空穴传输部还包括中位能级层；所述中位能级层的能级介于与其相邻的两个 膜层之间。
[0013] 根据本公开的第二方面，提供一种高分子有机发光器件制备方法，包括：
[0014] 形成一空穴传输部，用于提供空穴载流子；
[0015] 在所述空穴传输部之上形成一有机发光层；W及，
[0016] 在所述有机发光层之上形成一电子传输部，用于提供电子载流子；
[0017] 其中，形成一空穴传输部的步骤包括：
[0018] 形成一空穴注入层；
[0019] 在所述空穴注入层之上形成一中位能级层；W及，
[0020] 在所述中位能级层之上形成一空穴传输层，所述中位能级层的能级介于所述空穴 注入层和所述空穴传输层之间。
[0021] 根据本公开的第=方面，提供一种高分子有机发光器件制备方法，包括：
[0022] 形成一空穴传输部，用于提供空穴载流子；
[0023] 在所述空穴传输部之上形成一有机发光层；W及，
[0024] 在所述有机发光层之上形成一电子传输部，用于提供电子载流子； 阳0巧]其中，形成一空穴传输部的步骤包括：
[00%] 形成一空穴注入层；
[0027] 在所述空穴注入层之上形成空穴传输层W及，
[0028] 在所述空穴传输层之上形成一中位能级层，所述中位能级层的能级介于所述空穴 传输层与所述有机发光层之间。
[0029] 根据本公开的第四方面，提供一种显示面板，包括：
[0030] -第一基板；
[0031] 一第二基板，与所述第一基板相对设置；
[0032] 一上述任意一种高分子有机发光器件，设置于所述第一基板与所述第二基板之 间；
[0033] 一密封结构，设于所述第一基板与所述第二基板的周边，用于将所述高分子有机 发光器件封装于所述第一基板与所述第二基板之间。
[0034] 本公开的一种示例实施方式中，通过在空穴传输部中设置能级介于与其相邻的两 个膜层之间的中位能级层，W降低与其相邻的两个膜层界面间的能障和内置电场效应，帮 助更多空穴载流子传输至有机发光层，从而提高高分子有机发光器件的电流效率。
【附图说明】
[0035] 通过参照附图详细描述其示例实施方式，本公开的上述和其它特征及优点将变得 更加明显。
[0036] 图1是现有技术中一种高分子有机发光器件的结构示意图。
[0037] 图2是示例实施方式中一种高分子有机发光器件的结构示意图。
[0038] 图3是示例实施方式中另一种高分子有机发光器件的结构示意图。
[0039] 图4是图3中高分子有机发光器件的制备流程示意图。
[0040] 图5A-5B为示例实施方式中在不同的溶液浓度下，旋涂工艺的转速和膜厚的对应 关系不意图。
[0041] 图6是示例实施方式中又一种高分子有机发光器件的结构示意图。
[0042] 图7是图6中高分子有机发光器件的制备流程示意图。
[0043] 图8是示例实施方式中再一种高分子有机发光器件的结构示意图。
【具体实施方式】
[0044] 现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够W多种形 式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供运些实施方式使得本公开将 全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附 图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
[0045] 此外，所描述的特征、结构或特性可WW任何合适的方式结合在一个或更多实施 例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而， 本领域技术人员将意识到，可W实践本公开的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更 多，或者可W采用其它的结构、材料、方法等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、 方法或者操作W避免模糊本公开的各方面。
[0046] 本示例实施方式中首先提供了一种高分子有机发光器件。根据光的出射方向，高 分子有机发光器件分为底发射型和顶发射型。W底发射型为例，参考图2中的所示，该高分 子有机发光器件主要包括空穴传输部1、有机发光层2W及电子传输部3。其中，有机发光 层2具有相对的第一面和第二面（例如图中的上侧面和下侧面），空穴传输部1叠设于所述 有机发光层2下侧面，包括依次层叠设置的阳极10、空穴注入层（图中未指出）W及空穴传 输层（图中未指出）。电子传输部3叠设于所述有机发光层2上侧面，其包括电子传输层 31W及阴极30。阳极10可W由具有高功函数与可透光性的材料制成，比如透明导电氧化 物材料，例如ITO透明导电膜。阴极30可W由透明导电材料制成，例如侣、巧、阴或儀侣合 金透明导电膜等。除此之外，所述空穴传输部1还包括中位能级层13 ;所述中位能级层13 的能级介于与其相邻的两个膜层之间。
[0047] 高分子有机发光器件电流效率低下的因素除了高分子有机发光材料固有内部量 子效率低的原因外，主要还在于现有高性能的空穴传输部1的材料缺乏，例如目前主要有 阳TDOT:PSS((3, 4-乙締二氧嚷吩）-聚苯乙締横酸）和PVK(聚乙締基巧挫），但两者构成的 空穴传输部1膜层之间能障过大，易造成空穴载流子过多聚集在界面形成内置电场，降低 形成激子的数量。本示例实施方式中，通过在空穴传输部1中设置能级介于与其相邻的两 个膜层之间的中位能级层13,W降低与其相邻的两个膜层界面间的能障和内置电场效应， 帮助更多空穴载流子传输至有机发光层2,从而提高高分子有机发光器件的电流效率。 W48] 参考图3中所示，所述中位能级层13可W包括一第一中位能级层131，其设于 所述空穴注入层11与空穴传输层12之间。举例而言，所述的空穴注入层11可W包括 (3, 4-乙締二氧嚷吩）-聚苯乙締横酸等，所述的空穴传输层12可W包括聚乙締基巧挫及 其衍生物，还可W包括聚硅烷PMPS，或其他含有=芳胺类或联=芳类侧链的聚合物（例如， P-TPD，P-NPD)等。所述第一中位能级层131的功函数（例如5. 3eV~5. 7eV)大于所述 空穴注入层11的HOMO能级（例如5. 2eV)且小于所述空穴传输层12的HOMO能级（例如 5. 8eV)，从而可W减小空穴注入层11与空穴传输层12之间的能障带来的影响，使得空穴注 入层11与空穴传输层12之间的能级过渡更为平滑，空穴载流子更容易的注入到空穴传输 层12中。第一中位能级层131可W包括P型金属氧化物或高分子有机化合物；W所述第一 中位能级层131为P型金属氧化物为例，为了满足上述能级要求W及便于后续的溶液加工 或旋涂等工艺要求，其可W包括Mo〇3或Ni2〇3等功函数合适的材料。参考图4中所示，为图 3中高分子有机发光器件制备方法流程图，其主要包括：
[0049]提供一第一基板41，所述第一基板41可W包括玻璃、娃片、石英、塑料W及娃片等 刚性或柔性的衬底基板。
[0050] 接着，在上述第一基板41上形成一空穴传输部1，用于提供空穴载流子。形成所述 空穴传输部1的步骤可W包括：
[0051] 通过蒸锻等工艺在第一基板41上形成阳极10的电极，例如ITO透明导电膜等； 在上述阳极10上形成一空穴注入层11，其中，空穴注入层11可W包括（3, 4-乙締二氧嚷 吩）-聚苯乙締横酸等；W及，在上述空穴注入层11之上形成一第一中位能级层131，其可 W包括Mo〇3或Ni203等功函数合适的材料。为了降低成本，本示例实施方式中，所述第一中 位能级层131可W通过溶胶-凝胶工艺生成，并通过旋涂或喷墨打印等溶液加工工艺形成 在所述空穴注入层11之上；如图5A及图5B中所示，为旋涂工艺中，在不同的溶液浓度下， 转速和膜厚的对应关系。因此，据此可W通过调整溶液浓度和