? ? 4. 6重量％
[0175] 硝酸水溶液（浓度69wt%) ? ? ?6. 9重量％ 阳176] 浓度95wt%的硫酸? ? ? 88. 5重量％， 阳177] 将切片在25°C的蚀刻液中浸溃142秒后水洗，得到娃晶圆。除此W外与实施例1 相同。 阳17引该组成在图1中表示为实施例7的点。 阳179] <娃晶圆的特性> 阳180] 得到的娃晶圆的反射率为19.4%。dl为3~Sym(平均4. 8ym)、d2为0.4~ 1.lym。在娃晶圆的表面上虽发现了少许光泽不均，但未到有损商品价值的程度。 阳181] 实施例8 阳182] 设定蚀刻液的组成为 阳183] 氨氣酸水溶液（浓度47wt% ) ? ? ? 4. 95重量％
[0184] 硝酸水溶液（浓度69wt% ) ... 6. 05重量％ 阳化5] 浓度95wt%的硫酸? ? ? 89. 0重量％，
[0186] 将切片在25°C的蚀刻液中浸溃142秒后水洗，得到娃晶圆。除此W外与实施例1 相同。 阳187] 该组成在图1中表示为实施例8的点。
[0188] <娃晶圆的特性> 阳189] 得到的娃晶圆的反射率为19. 4%。dl为3~10ym(平均6. 5ym)、d2为0. 5~ 1. 3ym。在娃晶圆的表面上虽发现了少许光泽不均，但未到有损商品价值的程度。 阳190] 实施例9 阳191] 设定蚀刻液的组成为 阳192] 氨氣酸水溶液（浓度47wt% ) ? ? ? 5. 25重量％ 阳193] 硝酸水溶液（浓度69wt% ) ? ? ? 5. 25重量％
[0194]浓度95wt%的硫酸? ? ? 89. 5重量％，
[0195] 将切片在25°C的蚀刻液中浸溃142秒后水洗，得到娃晶圆。除此W外W实施例1 相同。 阳196] 该组成在图1中表示为实施例9的点。 阳197] <娃晶圆的特性> 阳19引 得到的娃晶圆的反射率为19. 8%。dl为3~11ym(平均5. 6ym)、d2为0. 5~ 1. 1ym。在娃晶圆的表面上基本没有光泽不均。
[0199] 比较例1 阳200] 设定蚀刻液的组成为 阳201] 氨氣酸水溶液（浓度47wt% ) ? ? ? 4. 5重量％ 阳20引硝酸水溶液（浓度67wt% ) ? ? ? 9重量％ 阳203] 浓度95wt%的硫酸? ? ? 86. 5重量％，
[0204] 除此W外W与实施例1同样的方式操作，得到娃晶圆。 阳205] 该组成在图1中表示为比较例1的点。 阳206] <娃晶圆的特性> 阳207] 得到的娃晶圆的反射率为26. 1%。dl为3~15ym(平均5. 1ym)、d2为0. 1~ lym。在娃晶圆的表面上发现了损害商品价值程度的光泽不均。图4的化）是显示所得的 娃晶圆的光泽状态的拍摄图像。 悦08] 比较例2 阳209] 设定蚀刻液的组成为
[0210] 氨氣酸水溶液（浓度47wt%) ? ? ?3. 6重量％ 悦川硝酸水溶液（浓度67wt%) ? ? ?16重量％ 阳212] 浓度95wt%的硫酸...80. 4重量％，
[021引除此W外W与实施例1同样的方式操作，得到娃晶圆。
[0214] <娃晶圆的特性>
[0215] 得到的娃晶圆的反射率为27%。在娃晶圆的表面上发现了损害商品价值程度的光 泽不均。
[0216] 比较例3
[0217] 设定蚀刻液的组成为
[0218] 氨氣酸水溶液（浓度47wt%) ? ? ?6重量％
[0219] 硝酸水溶液（浓度67wt%) ? ? ?29重量％
[0220] 浓度95wt%的硫酸? ? ?65重量％ 阳221] 除此W外W与实施例1同样的方式操作，得到娃晶圆。 阳222] <娃晶圆的特性> 阳223] 得到的娃晶圆的反射率为30%。在娃晶圆的表面上发现了大幅损害商品价值程度 的光泽不均。 阳224] 比较例4 阳225] <切片工序> 阳226] 使用游离磨粒方式的多线银方式，对与实施例1所使用的锭相同的锭进行切片。 阳227]线直径：0.ImmQ阳ST邸LCORPORATION.制造、型号SRH) 悦28] 磨粒：碳化娃 阳229](即JIMIINC0RP0RAT邸公司制造、GC#1500、平均粒径约8ym)
[0230] 切割速度：0. 35mm/分钟（送锭速度） 阳23U线移动速度：600m/分钟 阳232] <蚀刻> 阳233] 设定蚀刻液的组成为
[0234] 氨氣酸水溶液（浓度47wt%) ? ? ?25重量％ 阳235] 硝酸水溶液（浓度67wt%) ? ? ?45重量％ 阳236] 水??.30重量％
[0237] 除此W外W通过与实施例1的蚀刻得到娃晶圆。其中，蚀刻是W10°CX2分钟的 方式进行的。 阳23引 <娃晶圆的特性>
[0239] dl为平均10ym，仅发现了大凹陷2,没有发现小凹陷3。因此，得到的娃晶圆的反 射率为30. 8%，维持高值。图4的（C)是显示该娃晶圆的光泽状态的拍摄图像。 阳24〇] 比较例5 阳241] 设定蚀刻液的组成为 阳242] 氨氣酸水溶液（浓度47wt% ) ? ? ? 25重量％
[0243] 硝酸水溶液（浓度67wt%) ? ? ?45重量％
[0244]水?? ? 30 重量 ％， 阳245] 除此W外W与实施例1同样地进行操作，得到娃晶圆。其中，蚀刻是W10°CX2分 钟的方式进行的。 阳246] <娃晶圆的特性> 阳247] 得到的娃晶圆的反射率为32. 5%，为高值。图2的（C)是该娃晶圆的表面的凹凸的 状态的显微镜拍摄图像，图4的（d)是显示该娃晶圆的光泽状态的拍摄图像。dl虽为3~ 15ym(平均5. 5ym)，但没有发现小凹陷3。另外，在娃晶圆的表面上发现了有损商品价值 程度的光泽不均。
[0248] 得到的娃晶圆的反射率为32. 5 %。
[0249] 产化h的可利用忡 阳巧0] 本发明是可W广泛应用于太阳能电池用娃晶圆、其他光电转换元件的制造的有益 技术。 悦川 附图梳巧说巧 阳巧引 2 :大凹陷 阳巧引 3 :小凹陷
【主权项】
1. 一种太阳能电池用硅晶圆的制造方法，其是通过以混酸为主成分的蚀刻液对多晶硅 的切片进行蚀刻的太阳能电池用硅晶圆的制造方法， 所述切片是用固定磨粒方式的线锯进行切片而得到的， 所述混酸由以化学式HF表示的氢氟酸、以化学式HNO3表示的硝酸和以化学式H #04表 示的硫酸组成， 所述混酸的组成范围在以重量％表示上述组成的三角图中处于依次连结以下点A~ 点D的四条线段所围成的区域内， 所述点A为所述氢氟酸2. 82重量％、所述硝酸0. 18重量％、所述硫酸97重量％的点、 所述点B为所述氢氟酸0. 18重量％、所述硝酸2. 82重量％、所述硫酸97重量％的点、 所述点C为所述氢氟酸8. 47重量％、所述硝酸0. 53重量％、所述硫酸91重量％的点、 所述点D为所述氢氟酸0. 53重量％、所述硝酸8. 47重量％、所述硫酸91重量％的点， 所述蚀刻液的水的浓度为〇~10. 5重量％。2. 根据权利要求1所述的太阳能电池用硅晶圆的制造方法，其中，所述固定磨粒方式 的线锯所使用的锯线为树脂结合锯线。3. 根据权利要求1或2所述的太阳能电池用硅晶圆的制造方法，其中，进行所述蚀刻时 的蚀刻液的温度为0~45 °C。4. 一种太阳能电池用硅晶圆，其是通过权利要求1~3中的任一项所述的蚀刻液对 用固定磨粒方式的线锯进行切片而得到的多晶硅的切片进行蚀刻而制成的，所述太阳能电 池用硅晶圆在表面上具有凹凸，所述凹凸是遍布整面地形成多个大致碗底形状的凹孔而成 的，所述凹孔的开口直径为2~15 ym，并且各所述凹孔的内壁上形成有开口直径为0. 1~ 1.5ym的1个或多个微孔。
【专利摘要】本发明提供一种反射率低、光泽不均少的太阳能电池用硅晶圆及其制造方法，所述太阳能电池用硅晶圆是使用以固定磨粒方式对多晶硅锭进行切片而得到的切片获得的。一种太阳能电池用硅晶圆的制造方法，其中，通过包含由氢氟酸、硝酸和硫酸组成的混酸的蚀刻液对多晶硅的切片进行蚀刻，所述切片是用固定磨粒方式的线锯进行切片而得到的，混酸的组成范围在以重量％表示上述组成的三角图中处于依次连结以下点A～点D的四条线段所围成的区域内，所述点A为氢氟酸2.82重量％、硝酸0.18重量％、硫酸97重量％的点；所述点B为氢氟酸0.18重量％、硝酸2.82重量％、硫酸97重量％的点；所述点C为氢氟酸8.47重量％、硝酸0.53重量％、硫酸91重量％的点；所述点D为氢氟酸0.53重量％、硝酸8.47重量％、硫酸91重量％的点，蚀刻液的水的浓度为0～10.5重量％。
【IPC分类】H01L21/308, B24B27/06, H01L21/304
【公开号】CN105144351
【申请号】CN201480023748
【发明人】池内正彦, 远藤忠, 津田统
【申请人】株式会社Tkx
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2014年4月9日
【公告号】WO2014175072A1