显示基板及其制作方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]目前，在有源矩阵有机发光二极管(ActiveMatrix/Organic Light EmittingD1de，缩写为AMOLED)显示器件中，其阵列基板的结构参见图1所示，其中I为阵列基板的衬底基板；2为栅电极；3为有源层；4为源电极；5为漏电极；6为无机绝缘层；7为平坦层；8为像素界定层(Pixel Define Layer,PDL) ;9为阳极，包括透明导电材料和金属银；10为栅绝缘层；11为有机发光层；12为阴极。
[0003]现有技术中，平坦层7通常采用有机材料，如:有机树脂，有机材料加工工艺简单，并且可以提供较平坦的表面。无机绝缘层6的材料通常采用S1x或SiNx，S1x或SiNx可以与有机材料产生氢键，增大吸附性。但是有机材料与透明导电材料吸附性较差，容易导致平坦层7和阳极9发生脱离。
【发明内容】
[0004]本发明提供一种显示基板及其制作方法，用以解决显示基板上的平坦层与透明导电层吸附性差，容易导致两者发生脱离的问题。
[0005]本发明还提供一种显示装置，采用上述的显示基板，用以提高产品的良率和品质。
[0006]为解决上述技术问题，本发明实施例中提供一种显示基板，包括平坦层，用于提供平坦的表面，所述平坦层的材料包括有机硅，用以增加所述平坦层与有机材料薄膜和无机材料薄膜的粘附性。
[0007]本发明实施例中还提供一种显示基板的制作方法，包括形成平坦层的步骤，所述平坦层用于提供平坦的表面，所述形成平坦层的步骤包括:
[0008]制备用于形成所述平坦层的有机硅；
[0009]通过成膜工艺，形成有机硅薄膜；
[0010]固化所述有机硅薄膜，形成所述平坦层。
[0011]本发明实施例中还提供一种显示装置，包括如上所述的显示基板。
[0012]本发明的上述技术方案的有益效果如下:
[0013]上述技术方案中，显示基板的平坦层由包括有机硅的材料制得，由于有机硅兼具有有机材料和无机材料的性能，能够增加平坦层与有机材料薄膜和无机材料薄膜的粘附性，防止平坦层与相邻薄膜的界面发生脱离，保证显示基板的性能，提高产品品质。
【附图说明】
[0014]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0015]图1表示本发明实施例中有源矩阵有机发光二极管阵列基板的结构示意图；
[0016]图2表示本发明实施例中有源矩阵有机发光二极管显示面板的结构示意图。
【具体实施方式】
[0017]本发明提供一种显示基板，包括用以提供平台表面的平坦层，所述平坦层的材料包括有机硅，由于有机硅兼具有有机材料和无机材料的性能，使得平坦层与有机材料薄膜和无机材料薄膜具有良好的粘附性，防止平坦层与相邻薄膜发生剥离，保证显示基板的性會K，?^Ι^/^ΒΡΙΒπΜ ο
[0018]其中，有机硅即有机硅化合物，是指含有S1-C键，且至少有一个有机基是直接与硅原子相连的化合物，习惯上也常把那些通过氧、硫、氮等使有机基与硅原子相连接的化合物也当作有机硅化合物。其中，以硅氧键(-S1-O-S1-)为骨架组成的聚硅氧烷，是有机硅化合物中为数最多，研究最深、应用最广的一类，约占总用量的90%以上。有机硅材料具有独特的结构:
[0019](I)Si原子上充足的甲基将高能量的聚硅氧烷主链屏蔽起来；
[0020]⑵C-H无极性，使分子间相互作用力十分微弱；
[0021](3) S1-O键长较长，S1-O-Si键键角大。
[0022](4) S1-O键是具有50%离子键特征的共价键(共价键具有方向性，离子键无方向性)。
[0023]由于有机硅独特的结构，兼备了无机材料与有机材料的性能，具有表面张力低、粘温系数小、压缩性尚、气体渗透性尚等基本性质，并具有耐尚低温、电气绝缘、耐氧化稳定性、耐候性、难燃、憎水、耐腐蚀、无毒无味以及生理惰性等优异特性。
[0024]而且有机硅具有较好的成膜特性，能够保证平坦层的成膜质量。
[0025]现有技术中兼具有有机材料和无机材料性能的材料并不局限于有机硅，本领域技术人员基于本发明的发明构思，很容易想到也可以选择其他易于成膜且兼具有有机材料和无机材料性能的材料来取代有机硅，实现本发明的技术方案，其属于本发明的保护范围。
[0026]下面将结合附图和实施例，对本发明的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
[0027]参加图2所示，本发明实施例中的显示基板包括多个半导体元件，如:薄膜晶体管，所述半导体元件上覆盖有无机绝缘层6，起到水氧阻隔的作用，保护薄膜晶体管的半导体性能。其中，无机绝缘层6的材料通常包括S1x或SiNx。由于S1x和SiNx能够与有机材料产生氢键，增大粘附性，因此，S1x或SiNx薄膜与有机材料薄膜也具有较好的粘附性。
[0028]无机绝缘层6上覆盖有平坦层7，用以提供平坦的表面。所述平坦层7上设置有导电层9。导电层9的材料包括金属、金属合金或金属氧化物等无机材料。
[0029]其中，平坦层7的材料为有机硅，由于有机硅兼具有有机材料和无机材料的性能，使得平坦层7与无机绝缘层6和导电层9均具有良好的粘附性，防止平坦层7与无机绝缘层6、导电层9发生剥离，保证显示基板的性能。
[0030]当无机绝缘层6用有机绝缘层取代时，平坦层7与所述有机绝缘层、导电层9之间也均具有良好的粘附性，防止平坦层7与所述有机绝缘层、导电层9发生剥离，保证显示基板的性能。
[0031]本发明的技术方案通过设置平坦层的材料包括有机硅，利用有机硅兼具有有机材料和无机材料的性能，使得平坦层与有机材料薄膜、无机材料薄膜均具有良好的粘附性，防止平坦层与相邻薄膜发生剥离，保证显示基板的性能，提高产品品质。
[0032]其中，所述有机硅可以由硅凝胶溶解于脂肪族或芳香族的烷烃、卤代烷烃制得。也可以由正硅酸乙酯和H2O发生水解聚合反应制得。具体的制作过程将在下面内容中介绍。需要说明的是，所述有机硅并不局限于由上述两种方法制得，在此不再一一列举。
[0033]以有源矩阵发光二极管阵列基板为例，本发明实施例中的显示基板具体包括:
[0034]第一基底1，为透明基底，如:玻璃基底、石英基底、有机树脂基底；
[0035]设置在第一基底I上的薄膜晶体管，对于底栅型薄膜晶体管，其包括栅电极2、覆盖栅电极2的栅绝缘层10、设置在栅绝缘层10上的有源层3、搭接在有源层上的源电极4和漏电极5。其中，薄膜晶体管并不局限于底栅型薄膜晶体管，还可以顶栅型薄膜晶体管、共面型薄膜晶体管等；
[0036]覆盖薄膜晶体管的无机绝缘层6，其材料为氮化硅或氧化硅；
[0037]覆盖无机绝缘层6的平坦层7 ；
[0038]设置在平坦层7上的像素界定层8，像素界定层8不透光，用于界定多个像素区域；
[0039]设置在平坦层7上、位于像素区域内的导电层9，导电层9为发光二极管的阳极，通过贯穿平坦层7和无机绝缘层6的过孔与薄膜晶体管的漏电极5电性连接。平坦层7的材料包括有机硅，与无机绝缘层6和导电层9均具有较好的粘附性。对于顶发射结构的有机发光二极管阵列基板，导电层9兼做反射电极，其材料包括金属或金属合金，如:Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金属以及这些金属的合金(如=Mo-Al-Mo)；
[0040]设置在导电层9上、位于像素区域内的有机发光层11 ;
[0041]覆盖有机发光层11的阴极12，阴极12上施加公共电压，通过薄膜晶体管向每个像素区域的导电层9传输像素电压，导电层9和阴极12之间的电压差控制对应的像素区域内的有机发光层11发光。对于顶发射结构的有机发光二极管阵列基板，阴极12半透半反，其材料为金属氧化物，如:铟锡氧化物或铟锌氧化物。
[0042]对于有源矩阵发光二极管阵列基板，为了简化制作工艺，通过一次工艺同时形成所有像素区域内的有机发光层11，有机发光层11发出的光线颜色相同。
[0043]进一步地，为了实现彩色显示，设置有源矩阵发光二极管显示面板还包括彩膜基板。如图2所示，所述彩膜基板包括:
[0044]第二基底16，为透明基底，如:玻璃基底、石英基底、有机树脂基底；
[0045]设置在第二基底16上的黑矩阵17，用于限定多个像素区域，其中，彩膜基板的像素区域与阵列基板上的像素区域位置--对应；
[0046]设置在第二基底16上、并位于像素区域内的彩色滤光层15，用于与有机发光层11发出的光线配合，实现彩色显示，例如:当有机发光层11发出的光线为白光时，彩色滤光层15可以包括但并不局限于红色滤光层、绿色滤光层和蓝色滤光层；
[0047]设置在黑矩阵17上的隔垫物14，用于支撑显示面板的盒厚；
[0048]设置在隔垫物14上的辅助电极13，阵列基板和彩膜基板对盒后