一种膜层图案化的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤指一种膜层图案化的方法。
【背景技术】
[0002]目前，基板内部重要部件包括多种具有图案的膜层，膜层图案化的制作过程中，各种异物容易落在待图案化膜层的表面，在刻蚀工艺时会留下该膜层的残留物，引起显示效果不良。
[0003]以有源层为例，现有的有源层图案化的方法，具体步骤包括:步骤一、如图1a所示，在衬底基板01上依次形成栅极图形、有源层薄膜02和光刻胶层薄膜03 ;步骤二、如图1b所示，对光刻胶层薄膜03进行曝光显影，在待形成有源层021对应的区域保留光刻胶031 ;步骤三、如图1c所示，对有源层薄膜02进行刻蚀，形成有源层021的图形；步骤四、如图1d所示，将有源层021图形上的光刻胶031进行剥离。图1c和Id示出了在刻蚀有源层薄膜02之后，留下了有源层残留物022，其发生的主要原因为刻蚀形成有源层图形之前，有异物落在了有源层薄膜上方，致使刻蚀进行不能将本应该刻蚀掉的图形区域刻蚀彻底，通常显示画面会形成亮点或不均匀等缺陷。从实际调查数据分析来看，以有源层为例，90%左右的有源层残留物来源于干刻刻蚀之前的异物，所以在刻蚀工艺之前保护膜层不受异物的侵害是非常重要的。
[0004]因此，如何在刻蚀工艺之前避免异物影响膜层的形成，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
【发明内容】
[0005]有鉴于此，本发明实施例提供一种膜层图案化的方法，可以保证进行刻蚀工艺前，能够抵御异物与待图案化膜层粘连，有效地阻挡刻蚀过程中异物对待图案化膜层的影响，从而提尚广品良率。
[0006]因此，本发明实施例提供了一种膜层图案化的方法，包括:
[0007]在衬底基板表面形成待图案化膜层；
[0008]在所述衬底基板搬运至刻蚀设备以对所述待图案化膜层进行图案化之前，于所述待图案化膜层表面形成用于阻挡异物的保护层；
[0009]去除所述保护层并形成图案化掩膜，以所述图案化掩膜对所述待图案化膜层进行刻蚀形成图案化膜层。
[0010]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述膜层图案化的方法中，所述待图案化膜层包括待去除区域和待保留区域。
[0011 ] 在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述膜层图案化的方法中，在对所述待图案化膜层进行图案化之前，于所述待图案化膜层表面形成用于阻挡异物的保护层，具体包括:
[0012]在对所述待图案化膜层进行图案化之前，于所述待图案化膜层表面形成光刻胶层；
[0013]对所述光刻胶层进行曝光显影，以形成保护层；所述保护层对应覆盖所述待去除区域的膜层厚度小于对应覆盖所述待保留区域的膜层厚度。
[0014]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述膜层图案化的方法中，对所述光刻胶层进行曝光显影，以形成保护层，具体包括:
[0015]采用掩膜板图形对所述光刻胶层进行曝光显影，以形成保护层。
[0016]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述膜层图案化的方法中，所述掩膜板为半色调掩膜板、灰色调掩膜板或具有狭缝的掩膜板。
[0017]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述膜层图案化的方法中，去除所述保护层并形成图案化掩膜，具体包括:
[0018]对所述保护层进行部分灰化，以形成图案化掩膜；所述图案化掩膜完全暴露所述待去除区域，并完全覆盖所述待保留区域。
[0019]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述膜层图案化的方法中，在形成图案化膜层之后，还包括:
[0020]对所述图案化膜层上的图案化掩膜进行剥离。
[0021 ] 在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述膜层图案化的方法中，所述图案化膜层为有源层、欧姆接触层、源漏电极、像素电极层或触控电极层。
[0022]本发明实施例的有益效果包括:
[0023]本发明实施例提供的一种膜层图案化的方法，该方法包括:首先在衬底基板表面形成待图案化膜层；然后在衬底基板搬运至刻蚀设备以对待图案化膜层进行图案化之前，于待图案化膜层表面形成用于阻挡异物的保护层；最后去除保护层并形成图案化掩膜，以图案化掩膜对待图案化膜层进行刻蚀形成图案化膜层。这样，这样带有保护层的待图案化膜层在搬运至刻蚀设备的过程中，直至进行刻蚀工艺前，都能够抵御异物与待图案化膜层粘连，可以有效地阻挡刻蚀过程中异物对待形成的图案化膜层的影响，达到提高产品良率的目的。
【附图说明】
[0024]图1a至图1d分别为现有技术中有源层图案化的方法在各步骤执行后的结构示意图；
[0025]图2为本发明实施例提供的膜层图案化的方法流程图之一；
[0026]图3为本发明实施例提供的膜层图案化的方法流程图之二 ；
[0027]图4a至图4e分别为本发明实施例提供的有源层图案化的方法在各步骤执行后的结构示意图。
【具体实施方式】
[0028]下面结合附图，对本发明实施例提供的膜层图案化的方法的【具体实施方式】进行详细地说明。
[0029]其中，附图中各膜层的厚度和形状不反映膜层图案的真实比例，目的只是示意说明本
【发明内容】
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[0030]本发明实施例提供了一种膜层图案化的方法，如图2所示，包括:
[0031]S201、在衬底基板表面形成待图案化膜层；
[0032]S202、在衬底基板搬运至刻蚀设备以对待图案化膜层进行图案化之前，于待图案化膜层表面形成用于阻挡异物的保护层；
[0033]S203、去除保护层并形成图案化掩膜，以图案化掩膜对待图案化膜层进行刻蚀形成图案化膜层。
[0034]本发明实施例提供的一种膜层图案化的方法，首先在衬底基板表面形成待图案化膜层，然后在衬底基板搬运至刻蚀设备以对待图案化膜层进行图案化之前，于待图案化膜层表面形成用于阻挡异物的保护层，最后去除保护层并形成图案化掩膜，以图案化掩膜对待图案化膜层进行刻蚀形成图案化膜层。由于待图案化膜层表面形成了用于阻挡异物的保护层，这样带有保护层的待图案化膜层在搬运至刻蚀设备的过程中，直至进行刻蚀工艺前，都能够抵御异物与待图案化膜层粘连，可以有效地阻挡刻蚀过程中异物对待形成的图案化膜层的影响，达到提高产品良率的目的。
[0035]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述膜层图案化的方法中，待图案化膜层包括待去除区域和待保留区域。
[0036]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述膜层图案化的方法中，为了使保护层的图形可以在对应待图案化膜层的待去除区域和待保留区域具有不同的厚度，以便下一步去除保护层的过程中形成图案化掩膜，以及在刻蚀工艺之前保护层能起到保护待图案化膜层不受异物的侵害，步骤S202在对待图案化膜层进行图案化之前，于待图案化膜层表面形成用于阻挡异物的保护层，如图3所示，具体可以采用如下方式实现:
[0037]S301、在对待图案化膜层进行图案化之前，于待图案化膜层表面形成光刻胶层；
[0038]S302、对光刻胶层进行曝光显影，以形成保护层；保护层对应覆盖待去除区域的膜层厚度小于对应覆盖待保留区域的膜层厚度。
[0039]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述膜层图案化的方法中，步骤S302对光刻胶层进行曝光显影，以形成保护层，具体可以采用如下方式实现:
[0040]采用掩膜板图形对光刻胶层进行曝光显影，以形成保护层。
[0041]需要说明的是，通过改变掩膜板图形的透过率的方式对光刻胶层进行曝光显影，以形成保护层，一般采用50% -80%的透过率，可以保证在光刻胶层中与待图案化膜层的待去除区域对应的区域(即需要曝光的区域)形成光刻胶部分保留区域(即该区域光刻胶曝光未完全，还留有一定厚度的光刻胶)，而在光刻胶层中与待图案化膜层的待保留区域对应的区域形成光刻胶完全保留区域(即该区域光刻胶不进行曝光)，因此，形成的保护层图形对应覆盖待去除区