公知的球栅阵列开口的解析度差与防焊层的膜层厚度均匀性不佳的缺点，进而提升后段封装工艺的可靠度。
[0193]然而以上所述的具体实施例，仅用于例释本发明的特点及功效，而非用于限定本发明的可实施范畴，于未脱离本发明上揭的精神与技术范畴下，任何运用本发明所揭示内容而完成的等效改变及修饰，均仍应为权利要求范围所涵盖。
【主权项】
1.一种封装装置，其特征在于其包括: 一第一导线层，其具有相对的一第一表面与一第二表面； 一第一导电柱层，其设置于该第一导线层的该第一表面上； 一介电材料层，其中该第一导线层与该第一导电柱层嵌设于该介电材料层内； 一第二导线层，其设置于该第一导电柱层与该介电材料层上； 一第二导电柱层，其设置于该第二导线层上；以及 一第一铸模化合物层，其中该第二导线层与该第二导电柱层嵌设于该第一铸模化合物层内。2.如权利要求1所述的封装装置，其特征在于该第一导线层的该第一表面不高于该介电材料层，该第二导电柱层不高于该第一铸模化合物层。3.如权利要求2所述的封装装置，其特征在于该介电材料层完全包覆该第一导线层的表壁，该第一铸模化合物层完全包覆该第二导电柱层的表壁。4.如权利要求1所述的封装装置，其特征在于该第一导线层的该第一表面不高于该介电材料层，该第二导电柱层高于该第一铸模化合物层。5.如权利要求4所述的封装装置，其特征在于该介电材料层完全包覆该第一导线层的表壁，该第一铸模化合物层部份包覆该第二导电柱层的表壁。6.如权利要求1所述的封装装置，其特征在于该第一导线层的该第一表面高于该介电材料层，该第二导电柱层不高于该第一铸模化合物层。7.如权利要求6所述的封装装置，其特征在于该介电材料层部份包覆该第一导线层的表壁，该第一铸模化合物层完全包覆该第二导电柱层的表壁。8.如权利要求1所述的封装装置，其特征在于该第一导线层的该第一表面高于该介电材料层，该第二导电柱层高于该第一铸模化合物层。9.如权利要求8所述的封装装置，其特征在于该介电材料层部份包覆该第一导线层的表壁，该第一铸模化合物层部份包覆该第二导电柱层的表壁。10.如权利要求1所述的封装装置，其特征在于其更包括防焊层设置于该第一导线层的该第二表面与该介电材料层上，并且露出部分的该第一导线层与该介电材料层。11.如权利要求1所述的封装装置，其特征在于该第一导电柱层更进一步包括一第一导电层、一第二导电层与一第三导电层，该第一导电层为一导电柱层设置于该第一导线层上，该第二导电层为一导线层设置于该第一导电层上，该第三导电层为一导电柱层设置于该第二导电层与该第二导线层之间。12.如权利要求1所述的封装装置，其特征在于该第二导线层的线宽不大于该第二导电柱层的柱宽。13.如权利要求1所述的封装装置，其特征在于该第二导线层的线宽大于该第二导电柱层的柱宽。14.如权利要求1所述的封装装置，其特征在于其更包括: 一第一外接元件，其设置并电性连结于该第一导线层的该第二表面上； 一第二铸模化合物层，其设置于该第一外接元件与该第一导线层的该第二表面上，其中该第一外接元件嵌设于该第二铸模化合物层内； 多个第一导电元件，其设置于该第二导电柱层上；及 一第二外接元件，其设置并电性连结于该多个第一导电元件上。15.如权利要求1所述的封装装置，其特征在于其更包括: 一第三外接元件，其设置并电性连结于该第一导线层的该第二表面上； 一第四外接元件，其设置并电性连结于该第一导线层的该第二表面上； 一第三铸模化合物层，其设置于该第三外接元件、该第四外接元件与该第一导线层的该第二表面上，其中该第三外接元件与该第四外接元件嵌设于该第三铸模化合物层内；多个第二导电元件，其设置于该第二导电柱层上；及第五外接元件，其设置并电性连结于该多个第二导电元件上。16.如权利要求1所述的封装装置，其特征在于其更包括: 一第六外接元件，其设置并电性连结于该第一导线层的该第二表面上； 一第七外接元件，其设置并电性连结于该第六外接元件上； 一第四铸模化合物层，其设置于该第六外接元件、该第七外接元件与该第一导线层的该第二表面上，其中该第六外接元件与该第七外接元件嵌设于该第四铸模化合物层内；多个第三导电元件，其设置于该第二导电柱层上；及一第八外接元件，其设置并电性连结于该多个第三导电元件上。17.如权利要求1所述的封装装置，其特征在于该介电材料层为一热固型材质或一感光型材质。18.如权利要求1所述的封装装置，其特征在于该介电材料层为一树脂材质、一氮化硅材质或一氧化硅材质。19.如权利要求1所述的封装装置，其特征在于该第一导线层与该第二导电柱层包括至少一走线或至少一个芯片座。20.如权利要求4所述的封装装置，其特征在于该第一外接元件与该第二外接元件为一主动兀件、一被动兀件、一半导体芯片、一软性电路板或一印刷电路板。21.如权利要求1所述的封装装置，其特征在于该第一铸模化合物层为一芯片封装用的铸模化合物材质，其具有酚醛基树脂、环氧基树脂、硅基树脂或其他适当的铸模化合物。22.—种封装装置的制造方法，其特征在于其步骤包括: 提供一金属承载板，其具有相对的一第一表面与一第二表面； 形成一第一导线层于该金属承载板的该第一表面上； 形成一第一导电柱层于该第一导线层上； 形成一介电材料层包覆该第一导线层与该第一导电柱层并位于该金属承载板的该第一表面上，其中该第一导线层与该第一导电柱层嵌设于该介电材料层内； 露出该第一导电柱层； 形成一第二导线层于该第一导电柱层与该介电材料层上； 形成一第二导电柱层于该第二导线层上； 形成一第一铸模化合物层包覆该第二导线层与该第二导电柱层并位于该介电材料层上，其中该第二导线层与该第二导电柱层嵌设于该第一铸模化合物层内； 露出该第二导电柱层；以及 移除该金属承载板。23.如权利要求22所述的制作方法，其特征在于其更包括: 提供一第一外接元件设置并电性连结于该第一导线层的该第二表面上； 形成一第二铸模化合物层包覆该第一外接元件并位于该第一导线层的该第二表面上，其中该第一外接元件嵌设于该第二铸模化合物层内； 提供多个第一导电元件设置于该第二导电柱层上；及 提供一第二外接元件设置并电性连结于该多个第一导电元件上。24.如权利要求22所述的制作方法，其特征在于形成该第一铸模化合物层的步骤包括: 提供一铸模化合物，其中该铸模化合物具有树脂及粉状的二氧化硅； 加热该铸模化合物至液体状态； 注入呈液态的该铸模化合物于该金属承载板的该第一表面上，该铸模化合物在高温和高压下包覆该第二导线层、该第二导电柱层并位于该介电材料层上；及固化该铸模化合物，使该铸模化合物形成该第一铸模化合物层。25.如权利要求23所述的制作方法，其特征在于该第一外接元件与该第二外接元件为一主动兀件、一被动兀件、一半导体芯片、一软性电路板或一印刷电路板。26.如权利要求22所述的制作方法，其特征在于该介电材料层为一热固型材质。27.如权利要求22所述的制作方法，其特征在于该介电材料层为一树脂材质、一氮化硅材质或一氧化硅材质。28.如权利要求22所述的制作方法，其特征在于该第一导线层与该第二导电柱层包括至少一走线或至少一个芯片座。29.—种封装装置，其特征在于其包括: 一第一导线层，其具有相对的一第一表面与一第二表面； 一介电材料层，其中该第一导线层嵌设于该介电材料层内； 一第二导线层，其设置于该第一导线层与该介电材料层上； 一第一导电柱层，其设置于该第二导线层上；以及一第一铸模化合物层，其中该第二导线层与该第一导电柱层嵌设于该第一铸模化合物层内。30.如权利要求29所述的封装装置，其特征在于该第一导线层的该第一表面不高于该介电材料层，该第一导电柱层不高于该第一铸模化合物层。31.如权利要求30所述的封装装置，其特征在于该介电材料层完全包覆该第一导线层的表壁，该第一铸模化合物层完全包覆该第一导电柱层的表壁。32.如权利要求29所述的封装装置，其特征在于该第一导线层的该第一表面不高于该介电材料层，该第一导电柱层高于该第一铸模化合物层。33.如权利要求32所述的封装装置，其特征在于该介电材料层完全包覆该第一导线层的表壁，该第一铸模化合物层部份包覆该第一导电柱层的表壁。34.如权利要求29所述的封装装置，其特征在于该第一导线层的该第一表面高于该介电材料层，该第一导电柱层不高于该第一铸模化合物层。35.如权利要求34所述的封装装置，其特征在于该介电材料层部份包覆该第一导线层的表壁，该第一铸模化合物层完全包覆该第一导电柱层的表壁。36.如权利要求29所述的封装装置，其特征在于该第一导线层的该第一表面高于该介电材料层，该第一导电柱层高于该第一铸模化合物层。37.如权利要求36所述的封装装置，其特征在于该介电材料层部份包覆该第一导线层的表壁，该第一铸模化合物层部份包覆该第一导电柱层的表壁。38.如权利要求29所述的封装装置，其特征在于其更包括防焊层设置于该第一导线层的该第二表面与该介电材料层上，并且露出部分的该第一导线层与该介电材料层。39.如权利要求29所述的封装装置，其特征在于该第二导线层更进一步包括一第一导电层、一第二导电层与一第三导电层，该第一导电层为一导电柱层设置于该第一导线层上，该第二导电层为一导线层设置于该第一导电层上，该第三导电层为一导电柱层设置于该第二导电层与该第一导电柱层之间。40.如权利要求29所述的封装装置，其特征在于该第二导线层的线宽不大于该第一导电柱层的柱宽。41.如权利要求29所述的封装装置，其特征在于该第二导线层的线宽大于该第一导电柱层的柱宽。42.如权利要求29所述的封装装置，其特征在于其更包括: 一第一外接元件，其设置并电性连结于该第一导线层的该第二表面上； 一第二铸模化合物层，其设置于该第一外接元件与该第一导线层的该第二表面上，其中该第一外接元件嵌设于该第二铸模化合物层内； 多个第一导电元件，其设置于该第一导电柱层上；及 一第二外接元件，其设置并电性连结于该多个第一导电元件上。43.如权利要求29所述的封装装置，其特征在于其更包括: 一第三外接元件，其设置并电性连结于该第一导线层的该第二表面上； 一第四外接元件，其设置并电性连结于该第一导线层的该第二表面上； 一第三铸模化合物层，其设置于该第三外接元件、该第四外接元件与该第一导线层的该第二表面上，其中该第三外接元件与该第四外接元件嵌设于该第三铸模化合物层内；多个第二导电元件，其设置于该第一导电柱层上；及一第五外接元件，其设置并电性连结于该多个第二导电元件上。44.如权利要求29所述的封装装置，其特征在于其更包括: 一第六外接元件，其设置并电性连结于该第一导线层的该第二表面上； 一第七外接元件，其设置并电性连结于该第六外接元件上； 一第四铸模化合物层，其设置于该第六外接元件、该第七外接元件与该第一导线层的该第二表面上，其中该第六外接元件与该第七外接元件嵌设于该第四铸模化合物层内；多个第三导电元件，其设置于该第一导电柱层上；及一第八外接元件，其设置并电性连结于该多个第三导电元件上。45.如权利要求29所述的封装装置，其特征在于该介电材料层为一热固型材质或一感光型材质。46.如权利要求29所述的封装装置，其特征在于该介电材料层为一树脂材质、一氮化硅材质或一氧化硅材质。47.如权利要求29所述的封装装置，其特征在于该第一导线层与该第一导电柱层包括至少一走线或至少一个芯片座。48.如权利要求42所述的封装装置，其特征在于该第一外接元件与该第二外接元件为一主动兀件、一被动兀件、一半导体芯片、一软性电路板或一印刷电路板。49.如权利要求29所述的封装装置，其特征在于该第一铸模化合物层为一芯片封装用的铸模化合物材质，其具有酚醛基树脂、环氧基树脂、硅基树脂或其他适当的铸模化合物。50.一种封装装置的制造方法，其特征在于其步骤包括: 提供一金属承载板，其具有相对的一第一表面与一第二表面； 形成一第一导线层于该金属承载板的该第一表面上； 形成一介电材料层包覆该第一导线层并位于该金属承载板的该第一表面上，其中该第一导线层嵌设于该介电材料层内； 露出该第一导线层； 形成一第二导线层于该第一导线层与该介电材料层上； 形成一第一导电柱层于该第二导线层上； 形成一第一铸模化合物层包覆该第二导线层与该第一导电柱层并位于该介电材料层上，其中该第二导线层与该第一导电柱层嵌设于该第一铸模化合物层内； 露出该第一导电柱层；以及 移除该金属承载板。51.如权利要求50所述的制作方法，其特征在于其更包括: 提供一第一外接元件设置并电性连结于该第一导线层的一表面上； 形成一第二铸模化合物层包覆该第一外接元件并位于该第一导线层的该表面上，其中该第一外接元件嵌设于该第二铸模化合物层内； 提供多个第一导电元件，其设置于该第一导电柱层上；及 提供一第二外接元件设置并电性连结于该多个第一导电元件上。52.如权利要求50所述的制作方法，其特征在于形成该第一铸模化合物层的步骤包括: 提供一铸模化合物，其中该铸模化合物具有树脂及粉状的二氧化硅； 加热该铸模化合物至液体状态； 注入呈液态的该铸模化合物于该金属承载板的该第一表面上，该铸模化合物在高温和高压下包覆该第二导线层、该第一导电柱层与该介电材料层上；及固化该铸模化合物，使该铸模化合物形成该第一铸模化合物层。53.如权利要求51所述的制作方法，其特征在于该第一外接元件与该第二外接元件为一主动兀件、一被动兀件、一半导体芯片、一软性电路板或一印刷电路板。54.如权利要求50所述的制作方法,其特征在于该介电材料层为一感光型材质。55.如权利要求50所述的制作方法,其特征在于该介电材料层为一树脂材质、一氮化硅材质或一氧化硅材质。56.如权利要求50所述的制作方法，其特征在于该第一导线层与该第一导电柱层包括至少一走线或至少一个芯片座。
【专利摘要】本发明涉及一种封装装置，其包括一第一导线层、一第一导电柱层、一介电材料层、一第二导线层、一第二导电柱层以及一第一铸模化合物层。第一导线层具有相对的一第一表面与一第二表面。第一导电柱层设置于第一导线层的第一表面上，其中第一导线层与第一导电柱层嵌设于介电材料层内。第二导线层设置于第一导电柱层与介电材料层上。第二导电柱层设置于第二导线层上，其中第二导线层与第二导电柱层嵌设于第一铸模化合物层内。
【IPC分类】H01L21/48, H01L23/498
【公开号】CN105226043
【申请号】CN201410288574
【发明人】许哲玮, 许诗滨
【申请人】恒劲科技股份有限公司
【公开日】2016年1月6日
【申请日】2014年6月24日
【公告号】EP2958141A1, US9370105, US20150366064