器整体的反向耦合端口 ；耦合线222，用以与带状印制线21的耦合线212相親合。
[0062]所述上蛇形带状印制线23，又包括有非耦合线231、耦合线232和非耦合线233 ；非耦合线231，连接至衰减补偿电路25，引出用作耦合器整体的正向耦合端口 ；非耦合线233，连接至50欧姆贴片电阻R8接敷铜层26 ;耦合线232，用以与带状印制线21的耦合线212相耦合。
[0063]所述衰减补偿电路24，又包括有贴片电阻R1、贴片电阻R2、贴片电阻R3和贴片电容Cl，为T型电路结构；贴片电阻R1、贴片电阻R2同时与贴片电阻R3、贴片电容Cl相交于C点；贴片电阻Rl的A端，连接至非耦合线223 ;贴片电阻R2的B端，引出用作耦合器整体的反向耦合端口 ；贴片电阻R3、贴片电容Cl，并联接敷铜层26，用以射频接地。
[0064]所述衰减补偿电路25，又包括有贴片电阻R4、贴片电阻R5、贴片电阻R6和贴片电容C2，为T型电路结构；贴片电阻R4、贴片电阻R5同时与贴片电阻R6、贴片电容C2相交于C点；贴片电阻R4的A端，连接至非耦合线231 ;贴片电阻R5的B端，引出用作耦合器整体的正向耦合端口 ；贴片电阻R6、贴片电容C2，并联接敷铜层26，用以射频接地。
[0065]所述敷铜层26，又包括有地孔h3 ;通过地孔h3，使敷铜层26与衰减补偿电路24、衰减补偿电路25和下带状PCB双面板2的敷铜镀银层27射频共地，用以减小接地阻抗。
[0066]所述上带状PCB单面板1，朝上一面设置为敷铜镀银层11 ;朝下一面为介质基板12，且介质基板12与下带状PCB双面板2中的上蛇形带状印制线21、上蛇形带状印制线22和上蛇形带状印制线23及衰减补偿电路24、衰减补偿电路25和敷铜层26相衔接，用以构成一个叠层式模块化结构整体；所述上带状PCB单面板1，上面又设置有开窗W1、开窗W2、开窗W3和开窗W4 ;开窗Wl用以为贴片电阻R7提供安装空间，开窗W2用以为衰减补偿电路25的贴片电阻R4、贴片电阻R5、贴片电阻R6和贴片电容C2提供安装空间，开窗W3用以为贴片电阻R8提供安装空间，开窗W4用以为衰减补偿电路24的贴片电阻R1、贴片电阻R2、贴片电阻R3和贴片电容Cl提供安装空间。
[0067]所述上带状PCB单面板I的敷铜镀银层11和下带状PCB双面板2的敷铜镀银层27用以射频接地，通过在安装定位孔hl、安装定位孔h2中安装铆钉3实现射频共地，用以减小接地阻抗。
[0068]从图4还可以看出:
[0069]本发明实施例插入损耗及输入驻波性能的测试结果，如图中所示插入损耗|S21小于0.3dB ;另外，親合器的驻波性能Sll I大于15dBo
[0070]从图5、图6还可以看出:
[0071]本发明实施例正向耦合端口及反向耦合端口耦合度的测试结果，其中耦合器正向耦合端口的耦合度整个频段内大于40dB，耦合度波动全段小于3dB;其中耦合器反向耦合端口的耦合度整个频段内大于40dB，耦合度波动全段小于3dB。
[0072]由此可见，在保证器件较小尺寸前提下，可以满足大功率电台对低插入损耗的大功率宽带双定向耦合器的需求。
[0073]值得说明的是:
[0074]所述上蛇形带状印制线21、上蛇形带状印制线22、上蛇形带状印制线23的线宽、耦合间距、对地的距离以及基板材料等参数要选取合适，否则无法满足器件承受大功率的要求；PCB加工工艺的精度和衰减补偿电路中贴片电阻、贴片电容的参数值及性能也决定了器件的性能。
[0075]本发明实施例中下带状PCB双面板2的型号为微波复合介质敷铜箔基片TP-2，上带状PCB单面板I的型号均为微波复合介质敷铜箔基片TP-1。
[0076]以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所揭示的前提上，还可以做出若干改进和润饰，这些修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围内。
【主权项】
1.一种U/V波段大功率宽带双定向耦合器带状三维版图拓扑架构，包括有I张上带状PCB单面板(I)和I张下带状PCB双面板(2)，从上至下依次通过设置有安装定位孔h1、安装定位孔h2，并经铆钉(3)紧密衔接，相结合构成一个叠层式模块化结构整体，其特征是: a.所述下带状PCB双面板(2)，上面又分别设置有上蛇形带状印制线(21)、上蛇形带状印制线(22)和上蛇形带状印制线(23)及衰减补偿电路(24)、衰减补偿电路(25)和敷铜层(26)，用以使正向耦合端口和反向耦合端口输出波动较小的射频功率； 所述下带状PCB双面板(2)，下面设置有敷铜镀银层(27)，用以射频接地； b.所述上带状PCB单面板(I)，朝上一面设置为敷铜镀银层(11);朝下一面为介质基板(12)，且介质基板(12)与下带状PCB双面板(2)中的上蛇形带状印制线(21)、上蛇形带状印制线(22)和上蛇形带状印制线(23)及衰减补偿电路(24)、衰减补偿电路(25)和敷铜层(26)相衔接，用以构成一个叠层式模块化结构整体； 所述上带状PCB单面板(1)，上面又设置有开窗W1、开窗W2、开窗W3和开窗W4 ;开窗Wl用以为贴片电阻R7提供安装空间，开窗W2用以为衰减补偿电路25的贴片电阻R4、贴片电阻R5、贴片电阻R6和贴片电容C2提供安装空间，开窗W3用以为贴片电阻R8提供安装空间，开窗W4用以为衰减补偿电路(24)的贴片电阻R1、贴片电阻R2、贴片电阻R3和贴片电容Cl提供安装空间。2.如权利要求1所述的U/V波段大功率宽带双定向耦合器带状三维版图拓扑架构，其特征是: 所述上蛇形带状印制线(21)、上蛇形带状印制线(22)和上蛇形带状印制线(23)的耦合部分弯曲处设置为圆弧过渡，且圆弧的半径大于1.5倍弯曲带状印制线的线宽，用以减小阻抗不连续性，提高耦合器的整体性能。3.如权利要求1所述的U/V波段大功率宽带双定向耦合器带状三维版图拓扑架构，其特征是: 所述上蛇形带状印制线(21)、上蛇形带状印制线(22)和上蛇形带状印制线(23)的蛇形带状印制线弯曲次数为6处，用以减小阻抗不连续性，提高耦合器的整体性能。4.如权利要求1所述的U/V波段大功率宽带双定向耦合器带状三维版图拓扑架构，其特征是: 所述上蛇形带状印制线(21)，又包括有非耦合线(211)、耦合线(212)和非耦合线(213);非耦合线(211)，引出用作耦合器整体的输入端口 ；非耦合线(213)，引出用作耦合器整体的直通端口 ；耦合线(212)，用以与带状印制线(22)的耦合线(222)、带状印制线(23)的耦合线(232)相耦合。5.如权利要求1所述的U/V波段大功率宽带双定向耦合器带状三维版图拓扑架构，其特征是: 所述上蛇形带状印制线(22)，又包括有非耦合线(221)、耦合线(222)和非耦合线(223);非耦合线(221)，引出连接至50欧姆贴片电阻R7接敷铜层(26);非耦合线(223)，连接至衰减补偿电路(24)，引出用作耦合器整体的反向耦合端口 ；耦合线(222)，用以与带状印制线(21)的耦合线(212)相耦合。6.如权利要求1所述的U/V波段大功率宽带双定向耦合器带状三维版图拓扑架构，其特征是: 所述上蛇形带状印制线(23)，又包括有非耦合线(231)、耦合线(232)和非耦合线(233);非耦合线(231)，连接至衰减补偿电路(25)，引出用作耦合器整体的正向耦合端口 ；非耦合线(233)，连接至50欧姆贴片电阻R8接敷铜层(26);耦合线(232)，用以与带状印制线(21)的耦合线(212)相耦合。7.如权利要求1所述的U/V波段大功率宽带双定向耦合器带状三维版图拓扑架构，其特征是: 所述衰减补偿电路(24)，又包括有贴片电阻R1、贴片电阻R2、贴片电阻R3和贴片电容Cl，为T型电路结构；贴片电阻R1、贴片电阻R2同时与贴片电阻R3、贴片电容Cl相交于C点；贴片电阻Rl的A端，连接至非耦合线(223);贴片电阻R2的B端，引出用作耦合器整体的反向耦合端口 ；贴片电阻R3、贴片电容Cl，并联接敷铜层(26)，用以射频接地。8.如权利要求1所述的U/V波段大功率宽带双定向耦合器带状三维版图拓扑架构，其特征是: 所述衰减补偿电路(25)，又包括有贴片电阻R4、贴片电阻R5、贴片电阻R6和贴片电容C2，为T型电路结构；贴片电阻R4、贴片电阻R5同时与贴片电阻R6、贴片电容C2相交于C点；贴片电阻R4的A端，连接至非耦合线(231);贴片电阻R5的B端，引出用作耦合器整体的正向耦合端口 ；贴片电阻R6、贴片电容C2，并联接敷铜层(26)，用以射频接地。9.如权利要求1所述的U/V波段大功率宽带双定向耦合器带状三维版图拓扑架构，其特征是: 所述敷铜层(26)，又包括有地孔h3;通过地孔h3，使敷铜层(26)与衰减补偿电路(24)、衰减补偿电路(25)和下带状PCB双面板(2)的敷铜镀银层(27)射频共地，用以减小接地阻抗。10.如权利要求1所述的u/ν波段大功率宽带双定向耦合器带状三维版图拓扑架构，其特征是: 所述上带状PCB单面板⑴的敷铜镀银层(11)和下带状PCB双面板⑵的敷铜镀银层(27)用以射频接地，通过在安装定位孔hl、安装定位孔h2中安装铆钉(3)实现射频共地，用以减小接地阻抗。
【专利摘要】本发明涉及一种U/V波段大功率宽带双定向耦合器带状三维版图拓扑架构，包括有1张上带状PCB单面板(1)和1张下带状PCB双面板(2)，从上至下依次通过设置有安装定位孔h1、安装定位孔h2，并经铆钉(3)紧密衔接，相结合构成一个叠层式模块化结构整体，其中：下带状PCB双面板(2)，下面设置有敷铜镀银层(27)，上面设置有上蛇形带状印制线(21)、上蛇形带状印制线(22)、上蛇形带状印制线(23)、衰减补偿电路(24)、衰减补偿电路(25)和敷铜层(26)；上带状PCB单面板(1)，朝上一面为敷铜镀银层(11)，朝下一面为介质基板(12)；制作出的U/V波段大功率宽带双定向耦合器，具有体积小、驻波性能良好、插入损耗低、可承受大功率等特点。
【IPC分类】H01P5/18
【公开号】CN105226366
【申请号】CN201510650329
【发明人】李炳旭, 喻新平, 邓睿, 饶郁, 余聪, 陶海玲, 廖雪铭, 许娟
【申请人】武汉中元通信股份有限公司
【公开日】2016年1月6日
【申请日】2015年10月9日