导电薄膜和包括其的电子器件的制作方法
【专利说明】
[0001] 相关申请的交叉引用
[0002] 本申请要求2014年6月11日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请 No. 10-2014-0071059的优先权和权益，将其全部内容引入本文作为参考。
技术领域
[0003] 公开了导电薄膜和包括其的电子器件。
【背景技术】
[0004] 电子器件如IXD或LED平板显示器、触摸屏面板、太阳能电池、透明晶体管等包括 导电薄膜，所述导电薄膜可为透明的。期望用于导电薄膜的材料具有在可见光区域中大于 或等于约80%的光透射率和小于或等于约100微欧姆-厘米（μQ*cm)的比电阻。目前使 用的用于导电薄膜的材料包括氧化铟锡（ΙΤ0)、氧化锡（例如，Sn02)、氧化锌（ZnO)等。ΙΤ0 材料具有差的柔性且由于铟的有限储量而不可避免地成本较高。因此，需要替代性材料的 开发。氧化锡和氧化锌具有较低的电导率且具有差的柔性。
[0005] 对于已经作为下一代电子器件引起日益增加的关注的柔性电子器件如能弯曲的 或能折叠的电子器件，期望开发具有高的透明性和优异的电导率的用于柔性且稳定的透明 电极的材料。
【发明内容】
[0006] -种实施方式提供具有高的电导率和优异的光透射率的柔性的导电薄膜。
[0007] 另一实施方式提供包括所述导电薄膜的电子器件。
[0008] 在一种实施方式中，导电薄膜包括由化学式1或化学式2表示并具有层状晶体结 构的化合物：
[0009] 化学式1
[0010] M^e；,
[0011] 其中Μ1 是钛（Ti)、锆（Zr)、铪（Hf)、钒（V)、钽（Ta)、或铌（Nb);或
[0012] 化学式2
[0013]M2Se2
[0014] 其中Μ2是钒（V)或钽（Ta)。
[0015] 所述导电薄膜在约l〇nm的膜厚度下对于具有约550nm波长的光可具有大于或等 于约50%的透射率。
[0016] 所述化合物可包括TiTe2、NbTe2、TaTe2S它们的组合。
[0017] 所述导电薄膜可包括所述化合物的单晶。
[0018] 所述导电薄膜可具有大于或等于约2200S/cm的电导率。
[0019] 所述化合物可具有小于或等于约30Ω/ □的在25 °C对于具有约550nm波长的光的 吸收系数（α)与其电阻率值（P)的乘积。
[0020] 所述层状晶体结构可属于六方晶系且可在空间群P_3ml(164)中，或可属于单斜 晶系且可在空间群C12/ml(12)中。
[0021] 所述导电薄膜可包括多个包含所述化合物的纳米片，且所述纳米片可彼此接触以 提供电连接。
[0022] 所述导电薄膜可包括包含所述化合物的连续的沉积膜。
[0023] 所述导电薄膜在约10nm的膜厚度下对于具有约550nm波长的光可具有大于或等 于约80 %的透射率。
[0024] 另一实施方式提供包括导电薄膜的电子器件，所述导电薄膜包括由化学式1或化 学式2表示并且具有层状晶体结构的化合物：
[0025] 化学式1
[0026] M^e；,
[0027]其中Μ1是钛（Ti)、锆（Zr)、铪（Hf)、钒（V)、钽（Ta)、或铌（Nb);或
[0028] 化学式2
[0029]M2Se2
[0030] 其中Μ2是钒（V)或钽（Ta)。
[0031] 所述电子器件可为平板显示器、触摸屏面板、太阳能电池、电子视窗（e-window)、 电致变色镜、热镜、透明晶体管、或柔性显示器。
[0032] 根据一种实施方式，提供具有与ΙΤ0的电导率相当或比ΙΤ0的电导率大的电导率 和改善的可见光透射率的透明且导电的材料变得可能。
【附图说明】
[0033] 通过参照附图更详细地描述本公开内容的示例性实施方式，本公开内容的以上和 其它方面、优点和特征将变得更明晰，其中：
[0034]图1是在实施例中用于制备多晶烧结体的方法的示意图；
[0035] 图2A、图2B和图2C各自为计数（任意单位）对衍射角（2倍Θ即2Θ，度）的图， 且为实施例6中分别在700°C、800°C和900°C制备的TaTe2多晶烧结体的X-射线衍射谱；
[0036] 图3是计数（任意单位）对衍射角（2倍Θ即2Θ，度）的图，且为实施例8中制 备的TaSe2多晶烧结体的X-射线衍射谱；
[0037] 图4是在实施例9中用于制备单晶化合物的方法的示意图；
[0038] 图5是包括导电薄膜的一种实施方式的有机发光二极管器件的一种实施方式的 横截面图；
[0039] 图6A、图6B和图6C各自为计数（任意单位）对衍射角（2倍Θ即2Θ，度）的图， 且为实施例1中分别在600°C、700°C和800°C制备的TiTe2多晶烧结体的X-射线衍射谱； 和
[0040]图7A、图7B、图7C和图7D各自为计数（任意单位）对衍射角（2倍Θ即2Θ，度） 的图，且为对比例3中分别在600°C、700°C、800°C和900°C制备的TiSe2多晶烧结体的X-射 线衍射谱。
【具体实施方式】
[0041] 参照以下实施方式以及附于此的图，本公开内容的优点和特性以及其实现方法将 变得明晰。然而，本公开内容可以许多不同的形式体现并且将不被解释为限于本文中所阐 述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开内容将向本领域技术人员充分地传达 本发明的范围。因此，在一些实施方式中，为了清楚起见，没有对公知的工艺技术进行详细 说明。如果未另外定义，说明书中的所有术语（包括技术和科学术语）可如本领域技术人 员通常理解地那样定义。常用字典中定义的术语不可理想化或者扩大化地解释，除非清楚 地定义。此外，除非明确地相反描述，词"包括"和变型例如"包含"或"含有"将被理解为暗 示包含所述的要素，但是不是排除任何其它要素。
[0042] 单数包括复数，除非另外提及，因而单数形式"一种（个）（a，an)"和"该（所述） (the) "意图包括复数形式，包括"至少一种（个）"，除非上下文清楚地另外指明。
[0043] 在附图中，为了清楚起见，放大层、区域等的厚度。在整个说明书中，相同的附图标 记表示相同的元件。
[0044] 将理解，当一个元件例如层、膜、区域、或基底被称作"在"另外的元件"上"时，其 可直接在所述另外的元件上或者还可存在中间元件。相反，当一个元件被称作"直接在"另 外的元件"上"时，则不存在中间元件。
[0045] 将理解，尽管术语"第一"、"第二"、"第三"等可用在本文中描述各种元件、部件（组 分）、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件（组分）、区域、层和/或部分不应受这些术语 限制。这些术语仅用于将一个元件、部件（组分）、区域、层或部分与另外的元件、部件（组 分）、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本文中的教导的情况下，下面讨论的第一元件、 部件（组分）、区域、层或部分可称为第二元件、部件（组分）、区域、层或部分。
[0046] "或"意味着"和/或"。如本文中使用的，术语"和/或"包括相关列举项目的一个 或多个的任意和全部组合。
[0047] 为了便于描述，在本文中可使用空间相对术语如"在……之下"、"在……下面"、 "下部"、"在……上方"、"上部"等来描述如图中所示的一个元件或特征与另外的元件或特征 的关系。将理解，除图中所描绘的方位以外，空间相对术语还意图涵盖使用或操作中的器件 的不同方位。例如，如果将图中的器件翻转，描述为"在"另外的元件或特征"下面"或"之 下"的元件则将定向"在"所述另外的元件或特征"上方"。因此，示例性术语"在……下面" 可涵盖在……上方和在……下面两种方位。器件可以其它方式定向（旋转90度或在另外 的方位上）且本文中使用的空间相对描述词相应地进行解释。
[0048] 如本文中使用的"约"或"大约"包括所述的值并且意味着在如由本领域普通技术 人员考虑到所讨论的测量以及与具体量的测量有关的误差（即，测量系统的限制）而确定 的对于具体值的可接受的偏差范围内。
[0049] 在本文中参照作为理想化实施方式的示意图的横截面图描述示例性实施方式。这 样，将预计到由例如制造技术和/或公差导致的与图示的形状的偏差。因此，本文中描述的 实施方式不应解释为限于如本文中图示的区域的特定形状，而是包括由例如制造导致的形 状上的偏差。例如，图示或描述为平坦的区域可典型地具有粗糙和/或非线性特征。此外， 图示的尖锐的角可为圆形的。因此，图中所示的区域在本质上是示意性的，并且它们的形状 不意图图示区域的精确形状，并且不意图限制本权利要求的范围。
[0050] 在一种实施方式中，导电薄膜包括由化学式1或化学式2表示并且具有层状晶体 结构的化合物：
[0051] 化学式1
[0052] M^e；,
[0053] 其中Μ1 是钛（Ti)、锆（Zr)、铪（Hf)、钒（V)、钽（Ta)、或铌（Nb);和
[0054] 化学式2
[0055] M2Se2
[0056] 其中Μ2是钒（V)或钽（Ta)。
[0057] 所述化合物可包括TiTe2、NbTe2、TaTe2或它们的组合。在一种实施方