比增大，可容易地 执行将发光纳米结构140与透明电极层150 -起去除的处理。
[0152] 可在从其中去除发光纳米结构140的第一开口 0P1和第二开口 0P2中的下部中形 成第一凹进部分CP1和第二凹进部分CP2。另外，在示例实施例中，透明层150的一部分可 保留在未形成第一凹进部分CP1和第二凹进部分CP2的掩模层130的平坦上表面上。
[0153] 参照图8C，可在第二开口 0P2中形成第一电极170。
[0154] 首先，可利用掩模覆盖第一开口 0P1，并且可仅在第二开口 0P2中形成第一电极 170。在形成第一电极170之前，去除通过第二开口 0P2暴露的掩模层130，并且可去除基础 层120的一部分，以使得基础层120凹进。另外，当保留一部分透明电极150时，被保留的 透明电极150的一部分可与掩模层130 -起被去除。
[0155] 参照图8D，可在第一开口 0P1中形成第二电极180。
[0156] 首先，为了允许第二电极180电连接至发光纳米结构140的第二导电类型的半导 体层146,在形成第一电极170之前，可在通过第一开口 0P1暴露的掩模层130和基础层120 上形成透明电极150。在示例实施例中，在去除第三填充剂层166之后，透明电极层150可 形成为以预定和/或期望宽度与第一开口 0P1的周围上的透明电极层150重叠。
[0157] 然后，通过掩模覆盖第一电极170,并且第二电极180可仅形成在第一开口 0P1中。
[0158] 图9是示意性地示出根据本公开的示例实施例的半导体发光器件的剖视图。下文 中，相同附图标记指示相同组件，因此，将省略其冗余描述。
[0159] 参照图9,半导体发光器件100a包括衬底101以及形成在衬底101上的基础层 120、掩模层130a、发光纳米结构140、透明电极层150和填充剂层160。发光纳米结构140 中的每一个包括从第一导电类型的半导体的基础层120生长的第一导电类型的半导体芯 142、有源层144和第二导电类型的半导体层146。半导体发光器件100a还可包括分别电连 接至基础层120和第二导电类型的半导体层146的第一电极170和第二电极180a。
[0160] 第一电极170和第二电极180a可分别设置在半导体发光器件100a的一侧上的 基础层120和透明电极层150上，以分别电连接至基础层120和第二导电类型的半导体层 146。可在相对于衬底101的相同方向上设置第一电极170和第二电极180a。
[0161] 与图2的示例实施例不同，第二电极180a可设置在未形成开口Η的掩模层130a 上。也就是说，在第二电极180a下方设置没有开口Η的掩模层130a，以使第二电极180a与 基础层120电绝缘。另外，第一电极170可具有分别形成在其上表面和下表面上的第一图 案部分17A和第二图案部分17B，而第二电极180a可具有平坦的上表面和下表面。另外，第 二电极180a下方的透明层150和掩模层130a可具有平坦的表面。
[0162] 在以上参照图3A至图3L描述的制造半导体发光器件的方法中，可通过在掩模层 130a的一部分中不形成开口Η来制造根据当前示例实施例的半导体发光器件100a，以使得 发光纳米结构140不形成在将要形成第二电极180a的区中。因此，在将要形成第二电极 180a的区中不执行去除发光纳米结构140的处理，因此，第二电极180a可形成在平坦的掩 模层130a和平坦的透明电极层150上。可通过利用以上参照图31至图3L描述的处理形 成第一电极170,并且可首先形成第一电极170。
[0163] 图10是示意性地示出根据本公开的示例实施例的半导体发光器件的剖视图。
[0164] 参照图10,半导体发光器件100b包括衬底101以及形成在衬底101上的基础层 120、掩模层130、发光纳米结构140、透明电极层150和填充剂层160。发光纳米结构140 中的每一个包括从第一导电类型的半导体的基础层120生长的第一导电类型的半导体芯 142、有源层144和第二导电类型的半导体层146。半导体发光器件100b还可包括分别电连 接至基础层120和第二导电类型的半导体层146的第一电极170d和第二电极180。
[0165] 第一电极170d和第二电极180可分别设置在半导体发光器件100b的一侧上的 基础层120和透明电极层150上，以分别电连接至基础层120和第二导电类型的半导体层 146。可在相对于衬底101的相同方向上设置第一电极170d和第二电极180。
[0166] 与图2的不例实施例不同，第一电极170d可设置在凹进的基础层120的平坦的表 面上。另外，第二电极180可具有分别形成在上表面和下表面上的第一图案部分18A和第 二图案部分18B，而第一电极170d可具有平坦的上表面和下表面。在示例实施例中，第一电 极170d可形成在未凹进的基础层120上。
[0167] 在以上参照图3A至图3L描述的制造半导体发光器件的方法中，可通过在掩模层 130的一部分中不形成开口Η来制造根据当前示例实施例的半导体发光器件100b，以使得 发光纳米结构140不形成在将要形成第一电极170d的区中。因此，在将要形成第一电极 170d的区中不执行去除发光纳米结构140的处理，因此，可将平坦的掩模层130和基础层 120的一些部分一起去除，并且第一电极170d可随后形成在基础层120上。可通过利用以 上参照图31至图3L描述的处理形成第二电极180,并且可首先形成第一电极170d。
[0168] 在示例实施例中，在第一电极170d形成在基础层120上而不凹进的情况下，在以 上处理过程中，仅去除平坦的掩模层130,并且可随后在平坦的基础层120上形成第一电极 170d〇
[0169] 如在以上参照图9和图10描述的示例实施例中，在本公开的一些示例实施例中， 仅第一电极170和第二电极180中的任一个可包括第一图案部分17A、18A和第二图案部分 17B、18B。另外，第一电极170和第二电极180中的一个或二者可凹进。
[0170] 图11是示意性地示出根据本公开的示例实施例的半导体发光器件的剖视图。
[0171] 参照图11，半导体发光器件100c包括衬底101以及形成在衬底101上的基础层 120、掩模层130、发光纳米结构140、透明电极层150、电极绝缘层152和填充剂层160。发 光纳米结构140中的每一个包括从第一导电类型的半导体的基础层120生长的第一导电类 型的半导体芯142、有源层144和第二导电类型的半导体层146。半导体发光器件100c还 可包括分别电连接至基础层120和第二导电类型的半导体层146的第一电极170e和第二 电极180b。
[0172] 第一电极170e和第二电极180b可分别设置在半导体发光器件100c的一侧上的 基础层120和透明电极层150上，以分别电连接至基础层120和第二导电类型的半导体层 146。可在相对于衬底101的相同方向上设置第一电极170e和第二电极180b。
[0173] 与图2的示例实施例不同，第一电极170e和第二电极180b可设置在基础层120 和透明电极层150的平坦表面上。第一电极170e和第二电极180b可具有平坦的上表面和 下表面。另外，在第二电极180b下方可不设置掩模层130。
[0174] 在以上参照图3A至图3L描述的制造半导体发光器件的方法中，可通过在将要形 成第一电极170e和第二电极180b的区中去除其上形成有第一凹进部分CP1和第二凹进部 分CP2的掩模层130以及随后形成第一电极170e和第二电极180b来制造根据当前示例实 施例的半导体发光器件100c。在形成第二电极180b的区中，电极绝缘层152可形成在基础 层120上。
[0175] 可替换地，就第一电极170e而言，当去除基础层120的一部分时，可调整诸如蚀刻 条件的工艺条件以形成具有平坦表面的基础层120,并且可在基础层120上形成第一电极 170e。就第二电极180b而言，当电极绝缘层152或透明电极层150形成在掩模层130上时， 可调整沉积条件以具有平坦表面，以在其上形成第二电极180b。
[0176] 图12是示意性地示出根据本公开的示例实施例的半导体发光器件的剖视图。
[0177] 参照图12,半导体发光器件100d包括衬底101以及形成在衬底101上的基础层 120、掩模层130、发光纳米结构140a、透明电极层150和填充剂层160。发光纳米结构140a 中的每一个包括从基础层120生长的第一导电类型的半导体芯142、高电阻层143、有源层 144和第二导电类型的半导体层146。半导体发光器件100d还可包括分别电连接至基础层 120和第二导电类型的半导体层146的第一电极170和第二电极180。
[0178] 在当前示例实施例中，还可在第一导电类型的半导体芯142的末梢部分的斜面上 设置高电阻层143。然而，根据示例实施例，高电阻层143也可设置在有源层144的表面上。
[0179] 可由具有高电阻的材料形成高电阻层143,以阻挡可在第一导电类型的半导体芯 142的末梢部分中产生的漏电流。例如，高电阻层143可由未掺杂的半导体或者掺有导电类 型与第一导电类型的半导体芯142的导电类型相反的杂质的半导体形成。例如，在第一导 电类型的半导体芯142是η型氮化镓（n-GaN)的情况下，高电阻层143可为未掺杂的氮化 镓（GaN)或掺有诸如镁（Mg)的p型杂质的氮化镓（GaN)。然而，高电阻层143的成分可根 据示例实施例而变化，并且在生长氮化镓（GaN)的第一导电类型的半导体芯142之后，可原 位额外供应铝（A1)和铟（In)中的至少一个源，以形成由成分为AlxInyGaixyN(0彡x< 1，Ο<y< 1，0 <x+y< 1)的铝铟镓氮化物形成的层作为高电阻层143。
[0180] 由于根据当前示例实施例的半导体发光器件100d包括具有异质界面的掩模层 130和高电阻层143,在发光纳米结构140a的上部和下部二者中可有效地阻挡漏电流。
[0181] 图13A和图13B是示意性地示出根据本公开的示例实施例的半导体发光器件的平 面图和透视图。具体地说，图13B示出了在图13A的第一波长区至第三波长区（λ?、λ2和 λ3)中的发光纳米结构140的布置方式。
[0182] 参照图13Α和图13Β，半导体发光器件100e包括衬底101以及形成在衬底101上 的第一导电类型的半导体基础层120、绝缘层130、发光纳米结构140、透明电极层150和填 充剂层160a。发光纳米结构140中的每一个包括从第一导电类型的半导体基础层120生长 的第一导电类型的半导体芯142、有源层144和第二导电类型的半导体层146。半导体发光 器件100e还可包括分别电连接至基础层120和第二导电类型的半导体层146的第一电极 170和第二电极180。
[0183] 根据当前示例实施例的半导体发光器件100e包括第一波长区至第三波长区 (λ1、λ2和λ3)，并且在各区中的发光纳米结构140之间的距离D3、D4和D5可分别不同。 第三距离D3最小，而第五距离D5可最大。
[0184] 如在当前示例实施例中，当半导体发光器件100e包括发光纳米结构140之间的距 离变化的第一波长区至第三波长区（λ?、λ2和λ3)时，分别在所述区中生长的发光纳米 结构140中的有源层144的铟（In)的含量或生长厚度可不同。例如，在发光纳米结构140 在相同生长条件下生长的情况下，随着发光纳米结构140之间的距离更大，有源层144的 铟（In)的含量可增加，并且生长厚度可增加。因此，第一波长区至第三波长区（λ1、λ2和 λ3)中的