与感测层预定图案以外的部分感测层，而形成触控面板的隐形感测层，也就是结构变化层32。其中，隐形感测层可以是导电线样式如条状的感测线路，或导电区块样式如方形、菱形、或不规则形状等感测区块。
[0050]结构变化单元321可包括触控感测部3211及抗扰斑块部3212，其中，触控感测部3211是对应于感测层预定图案而形成，抗扰斑块部3212是对应于抗扰斑块图案而形成。相邻的触控感测部3211之间形成一间隙区33。触控感测部3211设置在基板31的表面311上而形成共平面设置。图5A所示的两个触控感测部3211是以相互绝缘为例。
[0051]抗扰斑块部3212设置在间隙区33内。抗扰斑块部3212与触控感测部3211是在同一工艺(雷射回火)中制造而成，二者具有相同的材料。在此，抗扰斑块部3212是由导电材料制成，且其是电性浮接，且抗扰斑块部3212与相邻的触控感测部3211之间间隔一距离。透过将抗扰斑块部3212设置在间隙区33内，可使触控感测部3211之间距(间隙区33)加大，如此一来，即使有粒子P掉落或刮伤产生时，相邻的触控感测部3211也不会形成短路，而避免触控失效并能提高产品良率。粒子P例如来自后续工艺，后续工艺是可至少包括机械薄化工艺、化学薄化工艺、机械化学薄化工艺、黄光工艺、薄膜沉积工艺、及/或薄膜蚀刻工艺。透过抗扰斑块部3212设置在相邻触控感测部3211所形成间隙区33之间，可使相邻触控感测部3211的间距加大、不会受到后续工艺的粒子污染而形成短路，而提供电性抗扰的效用。
[0052]另外，由于触控感测部3211的间距加大可能会让人眼辨识其存在，但透过抗扰斑块部3212设置在相邻触控感测部3211之间，使得人眼不易发现，而能维持显示效能。举例来说，抗扰斑块部3212的宽度是介于50 μ m与70 μ m之间，间隙区33的宽度介于70 μ m与130μπι之间。另外，抗扰斑块部3212可以是块状斑块或包括至少一弯折状斑块。
[0053]另外，结构变化层32可以是图案化结晶铟锡氧化物或奈米金属线，其透过将整片非晶铟锡氧化物层或奈米金属层以具有弯折的抗扰斑块图案与感测层预定图案经过雷射回火处理而形成导电结构，其相关叙述已详述于上，因此不再赘述。
[0054]值得一提的是，当雷射图案化隐形感测层基板3上配置多层隐形感测层(结构变化层32)时，相邻的隐形感测层之间可设置绝缘层，以使各隐形感测层电性绝缘而不致短路。在一些实施例中，各隐形感测层是分别执行雷射回火处理而形成。在一些实施例中，不同层隐形感测层的导通方向不相同，也就是各隐形感测层配置不同轴向的结构变化层，例如是各轴向相互垂直。在一些实施例中，绝缘层的材料可包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、或聚亚酰胺(Polyimide, PI)。
[0055]接着，请参考图5B，其是本发明较佳实施例的雷射图案化隐形感测层基板的上视图。在本实施例中，触控感测部3211a是类似四边形的形状，接地部3213a环设在触控感测部3211a，例如是位在相邻的触控感测部3211a之间。另外，抗扰斑块部3212a设置在接地部3213a与触控感测部3211a所形成的间隙内。在此，抗扰斑块部3212a是设置在触控感测部3211a的至少一侧或环设整个触控感测部3211a。当然，抗扰斑块部3212a仍可介于相邻的触控感测部3211a的间隙内，在此便不赘述。
[0056]图6A是本发明一实施例的雷射图案化隐形感测层基板应用在外挂式触控显示面板的示意图，在此是以雷射图案化隐形感测层基板3的应用为例。如图6A所示，触控显示装置5包括雷射图案化隐形感测层基板3与显示装置50，雷射图案化隐形感测层基板3邻设在显示装置50，二者可相互贴合。显示装置50例如包括液晶显示面板、发光二极管显示面板、有机发光二极管显示面板或其它种类的显示面板。
[0057]图6B是本发明一实施例的雷射图案化隐形感测层基板应用在有机发光二极管触控显示装置的示意图，在此是以雷射图案化隐形感测层基板3的应用为例。如图6B所示，本发明一实施例的有机发光二极管触控显示装置6包括雷射图案化隐形感测层基板3、第二基板60以及多个有机发光二极管单兀61。有机发光二极管单兀61设置在第二基板60上，且基板31与第二基板60对应贴合，以封闭多个有机发光二极管单兀61。有机发光二极管单元61可包括一第一电极层611、一有机发光层612以及一第二电极层613，第一电极层611设置在第二基板60上，有机发光层612位在第一电极层611与第二电极层613之间。上述有机发光二极管单元61的结构只是举例说明，本发明并不限制。在其它实施例中，有机发光二极管单兀61可例如还包括电洞传输层及电子传输层。另外，有机发光二极管触控显示装置6还可包括至少一功能层62，在此，功能层62位在基板31与第二基板60之间并例如是黏合层。当然，依据实际需求，功能层62的位置与功能性都可调整，例如其可以是钝化层或平坦层。
[0058]图6C是本发明一实施例的雷射图案化隐形感测层基板应用在液晶触控显示装置的示意图，在此是以雷射图案化隐形感测层基板3的应用为例。如图6C所示，本发明一实施例的液晶触控显示装置7包括雷射图案化隐形感测层基板3、一第三基板71、一液晶层72以及一背光模块73。液晶层72设置在基板31与第三基板71之间。背光模块73是邻设在第三基板71。在本实施例中，雷射图案化隐形感测层基板3是较第三基板71还靠近用户，这样可提高触控感测精度。在此，基板31可例如还包括一彩色滤光层与一黑色矩阵层，基板31可例如还包括一薄膜晶体管层。另外，液晶触控显示装置7可还包括至少一功能层75，在此，功能层75位在基板31与第三基板71之间并例如是平坦层。当然，依据实际需求，功能层75的位置与功能性都可调整，例如其可以是钝化层或黏合层。液晶触控显示装置7是可包括垂直配向型(VA)、平面内转换型(In-Plane Switching, IPS)、边缘电场转换型(Fringe Field Switching, FFS)显不面板。
[0059]图7是本发明一实施例的边缘电场转换型液晶触控显示面板8的示意图，如图7所示，边缘电场转换型液晶触控显示面板8包括一彩色滤光基板81、一主动矩阵晶体管基板82、一液晶层83、一电极对84、多个触控感测单元85以及至少一抗扰斑块86。
[0060]彩色滤光基板81包括一透光基板811,另外,彩色滤光基板81可还包括彩色滤光层、黑色矩阵层、配向层、偏光层或其它功能层，由于上述元件都可应用公知技术，在此不再赘述。另外，上述彩色滤光基板81的结构只是举例，本发明并不限制。并且，由于本实施例是使用边缘电场转换技术，因此共用电极是设置在主动矩阵晶体管基板82上。
[0061]主动矩阵晶体管基板82与彩色滤光基板81对应配置。主动矩阵晶体管基板82可包括一透光基板821，另外，主动矩阵晶体管基板82可还包括晶体管、数据线、扫描线、配向层、偏光层或其它元件或功能层，由于上述元件都可应用公知技术，在此不再赘述。另外，上述主动矩阵晶体管基板82的结构只是举例，本发明并不限制。
[0062]液晶层83设置在彩色滤光基板81与主动矩阵晶体管基板82之间，并由电极对84所产生的边缘电场控制液晶层83的液晶分子转动。电极对84设置在主动矩阵晶体管基板82，并包括一画素电极841及一共用电极842。在此，电极对84设置在透光基板821面对液晶层83的一侧，且共用电极842呈多条间隔配置，画素电极841间隔配置在相邻共用电极842之间的上方。在其它实施例中，画素电极841与共用电极842的位置亦可调换，也就是画素电极841呈多条间隔配置，共用电极842间隔配置在相邻画素电极841之间的上方。透过画素电极841与共用电极842交错配置，可产生边缘电场以控制液晶分子转动。画素电极841及共用电极842的材料例如是金属氧化物，例如是铟锡氧化物(indium tinoxide, ITO)或铟锌氧化物(indium zinc oxide, IZO)。另外，在画素电极841与共用电极842之间是设置绝缘层87将二者电性隔离。
[0063]触控感测单元85共平面的设置在彩色滤光基板81。在此，触控感测单元85是设置在彩色滤光基板81背对液晶层83的一侧，而在其它实施例中，触控感测单元85可设置在彩色滤光基板81面对液晶层83的一侧。触控感测单元85例如设置在透光基板811的表面812而共平面设置。相邻的触控感测