4] 与现有技术相比，本发明的优点在于：
[0035] 1、本发明采用双层热扩散技术，利用第二膜层在热的作用下向第一膜层中扩散， 生成钙钛矿的原理，制备高质量的钙钛矿膜层，得到的膜层表面光滑，孔隙少，致密度高。
[0036] 2、本发明将第一膜层和第二膜层的距离降低，缩短了扩散距离，提高了反应速率， 降低了反应时间，提高了生产速率。
[0037] 3、本发明在整个制备过程中，甲胺卤、乙胺卤、或甲脒卤的量不需要和卤化铅、卤 化锡的量达到1 :1的严格要求，可以过量一些，而过量的甲胺卤、乙胺卤、或甲脒卤仍然会 留在原来的基底上，可以重复利用。
[0038] 4、本发明在制备过程中可以随时控制反应的进行，通过调节两个基底之间的距离 或者温度实现对整个过程的控制。
[0039] 5、本发明对第一膜层和第二膜层的溶剂没有严格的要求，第一膜层和第二膜层的 溶剂是否正交都可以，这为制备高质量的钙钛矿膜层提供了更广阔的选择余地。
[0040] 6、本发明不仅可以用在刚性基底上，而且可以用在柔性基底上，为大规模快速制 备柔性钙钛矿型太阳能电池提供了 一种新方法。
【附图说明】
[0041] 为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下， 还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0042] 图1所示为本发明第1实施例中分离后两个基底的照片；
[0043] 图2所示为本发明第1实施例中所获得钙钛矿薄膜的SEM图；
[0044] 图3所示为本发明第1实施例中所制作的太阳能电池的I-V曲线图；
[0045] 图4所示为本发明第2实施例中所制作的太阳能电池的I-V曲线图；
[0046] 图5所示为本发明第3实施例中所制作的太阳能电池的I-V曲线图；
【具体实施方式】
[0047] 本发明实施例公开了一种钙钛矿薄膜的制作方法，包括步骤：
[0048]si、在第一基底上形成第一膜层，所述第一膜层的材质选自卤化铅、卤化锡中的一 种或多种的混合物；
[0049]s2、在第二基底上形成第二膜层，所述第二膜层的材质选自甲胺卤、乙胺卤、或甲 脒卤中的一种或多种的混合物；
[0050]S3、将第一膜层和第二膜层相向贴合，加热后获得钙钛矿薄膜。
[0051] 在上述的钙钛矿薄膜的制作方法中，第一基底和第二基底的材质可以为刚性基 底，也可以为柔性基底。刚性基底可以为玻璃等；柔性基底可以为对苯二甲酸乙二醇酯 (PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN)，聚酰亚铵等。需要注意的是，第一基底和第二基底的材 质并限于上述材质，其同样可以为非透明的常规使用的其他材质。
[0052] 在上述的钙钛矿薄膜的制作方法中，：所述步骤s3中，加热的温度为110°C~ 160。。。
[0053] 本发明实施例还公开了一种太阳能电池的制作方法，包括步骤：
[0054]1)、在第一基底上依次制作第一电极层和第一导电层；
[0055] 2)、在第一导电层上形成第一膜层，所述第一膜层的材质选自卤化铅、卤化锡中的 一种或多种的混合物；
[0056] 3)、在第二基底上形成第二膜层，所述第二膜层的材质选自甲胺卤、乙胺卤、或甲 脒卤中的一种或多种的混合物；
[0057] 4)、将第一膜层和第二膜层相向贴合，并进行加热，形成钙钛矿薄膜；
[0058] 5)、移除第二基底，在钙钛矿薄膜上制作第二导电层；
[0059] 6)、在第二导电层上制作第二电极层。
[0060] 在上述的太阳能电池的制作方法中，第一电极层的材质为氧化铟锡（ΙΤ0)或者掺 杂氟的氧化锡（FT0)，第一电极层的制作可以采用溅射、气相沉积法（CVD)、热蒸发法、溶胶 凝胶法等，但不限于上述方法；第一导电层的材质可以为聚（3,4_乙撑二氧噻吩）、聚苯乙 烯磺酸钠盐（PH)0T:PSS)、氧化锌（ZnO)、氧化钛（Ti02)、氧化镍（NiO)等，根据不同的电池 结构进行选择，但是不限于上述几种，其制作方法可以采用旋涂、刮涂、卷对卷印刷、气相沉 积等成膜方法；步骤2)和步骤3)中的涂膜方法可以为旋涂、刮涂、卷对卷印刷等成膜方 法；碘化铅和氯化铅的混合方法包括分别配置碘化铅溶液和氯化铅溶液，按照溶液的不同 比例进行混合，或者按照不同比例称量碘化铅和氯化铅一同进行混合等方法；步骤2)中， 第一膜层采用的溶剂包括N，N-二甲基甲酰胺（DMF)或Y-丁内酯（GBL)，也可以是两种 或多种溶剂，或者在以上溶剂中添加1，8-二碘辛烷等高沸点溶剂的混合溶剂；步骤4)中， 可以采用碘化铅在上层，甲胺碘在下层的覆盖方式，也可以甲胺碘在上层，碘化铅在下层的 覆盖方式，或者是碘化铅和甲胺碘铵垂直相向放置；第一基底和第二基底的材质选自玻璃、 聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚酰亚铵，优选的，第一基底的材质优选为 透明材质，第二基底的材质可以为透明材质，也可以为非透明的材质；步骤4)中，两片基底 覆盖后需要施加一定的温度，温度范围在ll〇°C至160°C，也可以加一定的压力；第二导电 层的材质选自（6,6)苯基C61-丁酸甲酯（PC61BM)、（6,6)苯基C71-丁酸甲酯（PC71BM)、 (6,6)苯基C61-丁酸三辛氧基苯甲酯（PCBB-C8)等富勒烯衍生物中的一种或多种，或者 2, 2'，7, 7' -四[N，N-二（4-甲氧基苯基）氨基]-9, 9' -螺二芴（Spiro-OMeTAD)，根据不同 电池结构进行选择，但不局限于上述材料，第二导电层的制作可以为旋涂、刮涂、卷对卷等 成膜方法；第二电极层的材质可以为镁/银、钙/铝或氟化锂/铝等电极，但不局限于上述 电极；所述步骤2)中，铵铵第二膜层的溶剂为N，N-二甲基甲酰胺或异丙醇。
[0061] 本发明通过下列实施例作进一步说明：根据下述实施例，可以更好地理解本发明。 然而，本领域的技术人员容易理解，实施例所描述的具体的物料比、工艺条件及其结果仅用 于说明本发明，而不应当也不会限制权利要求书中所详细描述的本发明。
[0062] 在此，还需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本发明，在附图中仅仅 示出了与根据本发明的方案密切相关的结构和/或处理步骤，而省略了与本发明关系不大 的其他细节。
[0063] 实施例1
[0064] (1)在玻璃上镀上一层ΙΤ0,通过刻蚀，得到6块ΙΤ0区域，用洗涤剂、乙醇、丙酮和 异丙醇分别超声清洗ΙΤ0玻璃片。
[0065] (2)在ΙΤ0玻璃片上旋涂一层35nm厚的PED0T:PSS，退火后旋涂一层碘化铅，碘化 铅选用230mg/ml的浓度，溶剂为N，N-二甲基甲酰胺，然后在KKTC下干燥15分钟。
[0066] (3)选取清洗干净的玻璃片，在上面旋涂一层甲胺碘，甲胺碘溶在N，N_二甲基甲 酰胺中，浓度为l〇〇mg/ml。
[0067] (4)将旋涂有甲胺碘的玻璃片盖在有碘化铅的基底上，在135°C下反应30分钟，移 除有甲胺碘的玻璃片，可以得到一层光滑的钙钛矿膜层。
[0068] 图1是分离后的两个基底（(a)图为有碘化铅层的基底，（b)图为有甲胺碘的基 底），可以看出膜层表面比较光滑，两个基底之间很容易分离。
[0069] 图2是钙钛矿膜层的SEM图，图中可以看出得到的钙钛矿膜层表面结晶性很好，基 本上没有孔隙，这种致密的结晶层可以减