有机发光器件的制作方法
【专利说明】
[0001] 本申请要求于2014年7月22日在韩国知识产权局提交的第10-2014-0092655号 韩国专利申请和于2015年2月24日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0025913号韩国 专利申请的优先权和权益，每个申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
[0002] 本发明的实施例的一个或更多个方面涉及一种有机发光器件。
【背景技术】
[0003] 有机发光器件是具有宽视角、高对比度、短响应时间以及优异的亮度、驱动电压和 响应速度特性的自发射器件，并且可以产生全彩色图像。
[0004] 有机发光器件可以包括设置在基底上的第一电极以及顺序地形成在第一电极上 的空穴传输区域、发射层、电子传输区域和第二电极。从第一电极注入的空穴可以通过空穴 传输区域传输到发射层，从第二电极注入的电子可以通过电子传输区域传输到发射层。然 后载流子（例如，空穴和电子）在发射层中复合以产生激子。当激子从激发态落到基态时， 发射光。
【发明内容】
[0005] 本发明的实施例的一个或更多个方面涉及一种有机发光器件。
[0006] 另外的方面将在随后的描述中部分地阐述，并且部分地通过描述将是明显的，或 者可以通过给出的实施例的实施而得知。
[0007] 根据本发明的一个或更多个实施例，一种有机发光器件包括：第一电极；第二电 极；发射层，位于第一电极和第二电极之间；以及空穴传输区域，位于第一电极和发射层之 间，其中，空穴传输区域包括辅助层，辅助层包括由式1表示的胺类化合物：
[0008]式1
[0009]
[0010] 其中，在式1中，
[0011] An选自于。环烷、C。杂环烷、c3-c1Q环烯、C。杂环烯、c6-c6。芳烃、c「c60 杂芳烃、非芳香缩合多环烃基和非芳香缩合杂多环烃基；
[0012] Ln至L16均独立地选自于取代的或未取代的CfQ。亚环烷基、取代的或未取代的 (；-(；。亚杂环烷基、取代的或未取代的q-Ci。亚环烯基、取代的或未取代的Ci-Ci。亚杂环烯 基、取代的或未取代的C6_C6。亚芳基、取代的或未取代的C 。亚杂芳基、取代的或未取代 的二价非芳香缩合多环基和取代的或未取代的二价非芳香缩合杂多环基；
[0013] all至al6均独立地选自于0、1、2和3;
[0014]Rn至R14均独立地选自于取代的或未取代的C6_C6。芳基、取代的或未取代的C「C6。 杂芳基、取代的或未取代的单价非芳香缩合多环基和取代的或未取代的单价非芳香缩合杂 多环基；
[0015]nil和nl2均独立地选自于0、1和2,其中，nil和nl2的总和选自于1、2、3和4 ;
[0016] R15至R17均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼 基、腙基、羧酸（这里，也被称作羧酸基或羧基）或其盐、磺酸（这里，也被称作磺酸基）或 其盐、磷酸（这里，也被称作磷酸基）或其盐、取代的或未取代的。烷基、取代的或未取 代的CfC6。烷氧基、取代的或未取代的C6-C6。芳基、取代的或未取代的C6-C6。芳氧基、取代的 或未取代的C6-C6。芳硫基、取代的或未取代的C。杂芳基、取代的或未取代的单价非芳香 缩合多环基、取代的或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、-N(Qi)(Q2)和-Si(Q3) (Q4) (Q5);
[0017] bl5至bl7均独立地选自于1、2、3和4 ;
[0018]取代的。亚环烷基、取代的Ci-Ci。亚杂环烷基、取代的C^-Ci。亚环烯基、取代 的Ci-Ci。亚杂环烯基、取代的c6-c6。亚芳基、取代的C 。亚杂芳基、取代的二价非芳香缩合 多环基、取代的二价非芳香缩合杂多环基、取代的Ci-Q。烷基、取代的C 。烷氧基、取代的 c6-c6。芳基、取代的c6-c6。芳氧基、取代的c6-c6。芳硫基、取代的C 。杂芳基、取代的单价非 芳香缩合多环基和取代的单价非芳香缩合杂多环基的至少一个取代基选自于：
[0019] 氘、4、-(：1、-8^-1、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸或其盐、磺酸或 其盐、磷酸或其盐、Ci-Q。烷基、c2-c6。烯基、c2-c6。炔基和CfC6。烷氧基；
[0020] 均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-1、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸或 其盐、磺酸或其盐、磷酸或其盐、。环烷基、ci-Q。杂环烷基、c3-q。环烯基、Ci-Q。杂环烯 基、c6-c6。芳基、c6-c6。芳氧基、c6-c6。芳硫基、c「c6。杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价 非芳香缩合杂多环基、_N(Qn) (Q12)和-Si(Q13) (Q14) (Q15)中选择的至少一者的。烷基、 c2-c6。烯基、c2-c6。炔基和C「Q；。烷氧基；
[0021]C3-C1(rE^烷基、C。杂环烷基、C。环烯基、C。杂环烯基、C6-C6。芳基、C6-C6。 芳氧基、c6-c6。芳硫基、Ci-Cj；。杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基；
[0022] 均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-1、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸或 其盐、磺酸或其盐、磷酸或其盐、CfC6。烷基、c2-c6。烯基、c2-c6。炔基、CfC6。烷氧基、c3-c1(] 环烷基、CfQ。杂环烷基、C3-(^。环烯基、C。杂环烯基、C6_C6。芳基、C6_C6。芳氧基、C6_C6。 芳硫基、Q-Cj；。杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、-n(q21) (q22) 和-Si(q23) (q24) (q25)中选择的至少一者的c3-c1Q环烷基、C。杂环烷基、c3-q。环烯基、 CfCi。杂环烯基、c6-c6。芳基、c6-c6。芳氧基、c6-c6。芳硫基、C 。杂芳基、单价非芳香缩合多 环基和单价非芳香缩合杂多环基；以及
[0023]_N(Q31) (Q32)和-Si(Q33) (Q34) (Q35);
[0024] 其中，Q5、QnSQ15、Q21至Q25和Q31至Q35均独立地选自于：
[0025]C「C6。烷基、C6_C60芳基、C「C6。杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合 杂多环基；以及
[0026] 均取代有C6_C6。芳基的C6_C6。芳基、C 。杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价 非芳香缩合杂多环基。
【附图说明】
[0027] 通过下面结合附图对实施例的描述，这些和/或其他方面将变得明显并更容易理 解，在附图中：
[0028] 图1是根据本发明构思的一个或更多个实施例的有机发光器件的结构的示意性 剖视图；
[0029] 图2是根据本发明构思的一个或更多个实施例的有机发光器件的结构的示意性 剖视图；
[0030] 图3是根据本发明构思的一个或更多个实施例的全彩色有机发光器件的结构的 示意性剖视图；以及
[0031] 图4示出根据本发明构思的一个或更多个实施例的logJ与电流效率的曲线图。
【具体实施方式】
[0032] 现在将对实施例做出详细参考，实施例的示例在附图中示出，其中，同样的附图标 记始终指示同样的元件。就这点而言，当前实施例可以具有不同形式并且不应该被解释为 限于这里阐述的描述。因此，在下面通过参照附图仅描述实施例，以解释本描述的各方面。 如这里使用的，术语"和/或"包括一个或更多个相关所列项目的任意和所有组合。当诸如 "……中的至少一种（个）（者）"或"从……中选择的至少一种（个）（者）"的表述在一系 列要素后面时，修饰整个系列的要素，而不是修饰所述系列中的单个要素。此外，当描述本 发明的实施例时使用"可以（可）"是指"本发明的一个或更多个实施例"。
[0033] 附图中的同样的附图标记指示同样的元件，并将不再提供重复的描述。
[0034] 如这里使用的，单数形式的"一个"、"一种"和"所述（该）"也意图包括复数形式， 除非上下文另外清楚地指出。
[0035] 还将理解的是，这里使用的术语"包括"和/或"包含"表示存在叙述的特征或组 件，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征或组件。另外，如这里使用的，术语"使用" 及其变型可以被视为分别与术语"利用"及其变型同义。
[0036] 将理解的是，当层、区域或组件被称作"形成在"另一层、区域或组件"上"时，该层、 区域或组件可以直接地或间接地形成在所述另一层、区域或组件上。即，例如，可以存在中 间层、中间区域或中间组件。
[0037] 在附图中，为了方便解释，可以夸大组件的尺寸。换言之，由于为了方便解释而任 意地示出附图中的组件的尺寸和厚度，因此下面的实施例不限于此。
[0038] 如这里使用的，表述"（有机层）包括从第一材料中选择的至少一种"在这里可以 表示"（有机层）可以包括一种式1的第一材料或者至少两种不同的式1的第一材料"。
[0039] 如这里使用的，术语"有机层"是指位于有机发光器件中的第一电极和第二电极之 间的单个层和/或多个层。"有机层"中包括的材料不限于有机材料。
[0040]图1是根据本发明构思的一个或更多个实施例的有机发光器件的结构的示意图。
[0041] 参照图1，基底可以位于第一电极110下方或位于第二电极190上。基底可以是均 具有优异的机械强度、热稳定性、透明度、表面平滑度、易于操作和/或防水的玻璃基底或 透明塑料基底。
[0042] 例如，可以通过在基底上沉积或溅射第一电极材料来形成第一电极110。当第一电 极110是阳极时，第一电极材料可以选自于具有高逸出功的材料，以促进空穴注入。第一电 极110可以是反射电极、半透射电极或透射电极。第一电极材料可以是透明的且高导电的 材料，这样的材料的非限制性示例可以包括氧化铟锡（ΙΤ0)、氧化铟锌（ΙΖ0)、氧化锡（Sn02) 和氧化锌（ZnO)。当第一电极110是半透射电极或反射电极时，第一电极材料可以是从镁 (Mg)、铝（A1)、铝-锂（Al-Li)、钙（Ca)、镁-铟（Mg-In)和镁-银（Mg-Ag)中选择的至少一 种。
[0043] 第一电极110可以具有单层结构或者包括两个层或更多个层的多层结构。例如， 第一电极110可以具有IT0/Ag/IT0的三层结构，但是本发明的实施例不限于此。
[0044] 有机层150位于第一电极110上。有机层150包括发射层160。
[0045] 有机层150可以包括位于第一电极110和发射层160之间的空穴传输区域130。 有机层150还可以包括位于发射层160和第二电极190之间的电子传输区域180。
[0046]空穴传输区域130可以包括辅助层140,且还可以包括从空穴注入层（HIL)、空穴 传输层（HTL)和电子阻挡层（EBL)中选择的至少一者，但是本发明的实施例不限于此。电 子传输区域180可以包括从空穴阻挡层（HBL)、电子传输层（ETL)和电子注入层（EIL)中选 择的至少一者，但是本发明的实施例不限于此。
[0047] 空穴传输区域130可以具有由单一材料形成的单层结构、由多种不同的材料形成 的单层结构或者具有由多种不同的材料形成的多个层的多层结构。
[0048] 例如，空穴传输区域130可以具有由多种不同的材料形成的单层结构，或者可以 具有空穴注入层/空穴传输层/辅助层的结构、空穴注入层/辅助层的结构或空穴传输层/ 辅助层的结构，其中，按照此陈述次序从第一电极110顺序地堆叠每种结构的层，但是本发 明的实施例不限于此。
[0049] 当空穴传输区域130包括空穴注入层时，可以通过使用（利用）诸如真空沉积、旋 涂、浇铸、朗格缪尔-布吉特（LB)法、喷墨印刷、激光印刷和/或激光诱导热成像（LITI)的 一种或更多种适合的方法在第一电极110上形成空穴注入层。
[0050] 当通过真空沉积形成空穴注入层时，根据用于形成空穴注入层的化合物和期望的 空穴注入层的结构，可以在范围为大约100°C至大约500°C的沉积温度下、以范围为大约 ?ο8托至大约?ο3托的真空度和以范围为大约ο.οιΑ/秒至大约iooAy秒的沉积速率执行 真空沉积。
[0051] 当通过旋涂形成空穴注入层时，根据用于形成空穴注入层的化合物和期望的空穴 注入层的结构，可以以范围为大约2000rpm至大约5000rpm的涂覆速率并在范围为大约 80°C至大约200°C的温度下执行旋涂。
[0052] 当空穴传输区域130包括空穴传输层时，可以通过使用诸如真空沉积、旋涂、浇 铸、LB法、喷墨印刷、激光印刷和/或LITI的一种或更多种适合的方法在第一电极110上 或在空穴注入层上形成空穴传输层。当通过真空沉积和/或旋涂形成空穴传输层时，沉积 条件和涂覆条件可以类似于用于形成空穴注入层的沉积条件和涂覆条件。
[0053]例如，空穴传输区域130可以包括例如从m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-ΝΡΒ、甲基化NPB、TAPC、HMTPD、4,4'，4〃-三（Ν-咔唑基）三苯胺（TCTA)、 聚苯胺/十二烷基苯磺酸（Pani/DBSA)、聚（3, 4-乙撑二氧噻吩）/聚（4-苯乙烯磺酸盐） (PED0T/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸（Pani/CSA)、聚苯胺/聚（4-苯乙烯磺酸盐）（PANI/PSS) 以及由式201和式202中的任意一个表示的第一空穴传输化合物中选择的至少一种：
[0057]
[0058]
[0059] 在式201和式202中，
[0060]L2Q1至L2Q5可以均独立地与本说明书中结合Ln限定的相同；
[0061] xal至xa4可以均独立地选自于0、1、2和3;
[0062] xa5可以选自于1、2、3、4和5;以及
[0063] R2M至R2M可以均独立地被限定为与本说明书中结合Rn提供的限定相同。
[0064] 例如，在式201和式202中，
[0065]L2M至L2。5可以均独立地选自于：
[0066]亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、 亚芘基、亚.]g基、亚吡啶基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚喹喔 啉基、亚喹唑啉基、亚咔唑基和亚三嗪基；以及
[0067]均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-1、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧基或 其盐、磺酸或其盐、磷酸或其盐。烷基。烷氧基、苯基、萘基、芴基、螺芴基、苯并芴 基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、]證基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、喹啉 基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基中选择的至少一者的亚苯基、亚萘基、 亚芴基、亚螺芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚芘基、亚：g:基、亚吡啶 基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚咔 唑基和亚三嗪基；
[0068] xal至xa4可以均独立地为0、1或2;
[0069] xa5可以为1、2或3;
[0070] R2Q1至R2。4可以均独立地选自于：
[0071]苯基、萘基、芴基、螺芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、窟;基、吡啶 基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基；以及
[0072]均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-1、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧基或 其盐、磺酸或其盐、磷酸或其盐。烷基。烷氧基、苯基、萘基、甘菊环基、芴基、螺芴 基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、窟;基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、喹啉 基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基中选择的至少一者的苯基、萘基、芴基、 螺芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、菌;基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、 喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基，但是本发明的实施例不限于此。
[0073] 可以通过式201A来表不由式201表不的第一空穴传输化合物：
[0074] 式 201A
[0075]
[0076] 例如，可以通过式201A-1来表不由式201表不的第一空穴传输化合物，但是本发 明的实施例不限于此：
[0077] 式 201A-1
[0078]
[0079] 可以通过式202A来表示由式202表示的第一空穴传输化合物，但是本发明的实施 例不限于此：
[0080] 式 2〇2A
[0082]在式201A、式2〇1Α-1和式2〇2A中，、丨至L2Q3、xal至xa3、xa5和R2Q2至R2Q4与本 说明书中限定的相同，r211和r212均独立地被限定为与结合R2(]3提供的限定相同，r213至r216 可以均独立地选自于氢、氘、4、-(：1、-8^-1、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧基 或其盐、磺酸或其盐、磷酸或其盐、CfC6。烷基、c2-c6。烯基、c2-c6。炔基、CfC6。烷氧基、c3-c1(] 环烷基、CfQ。杂环烷基、C3-(^。环烯基、C。杂环烯基、C6_C6。芳基、C6_C6。芳氧基、C6_C6。 芳硫基、(;-(;。杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基。
[0083] 例如，在式201A、式201A-1和式202A中，
[0084]L2M至L2。3可以均独立地选自于：
[0085] 亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、 亚芘基、亚窟基、亚吡啶基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚喹喔 啉基、亚喹唑啉基、亚咔唑基和亚三嗪基；以及
[0086] 均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-1、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸或 其盐、磺酸或其盐、磷酸或其盐、Ci-Q。烷基、Ci-Q。烷氧基、苯基、萘基、芴基、螺芴基、苯并 芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、_窟基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、喹啉基、异喹 啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基中选择的至少一者的亚苯基、亚萘基、亚芴基、 亚螺芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚芘基、亚窟:基、亚吡啶基、亚吡嗪 基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚咔唑基和亚三 嘆基；
[0087] xal至xa3可以均独立地为0或1;
[0088]R2Q3、Rm和R212可以均独立地选自于苯基、萘基、芴基、螺芴基、苯并芴基、二苯并芴 基、菲基、蒽基、芘基、]露:基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、 喹唑啉基、咔唑基和三嗪基；以及
[0089] 均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-1、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧基或 其盐、磺酸或其盐、磷酸或其盐。烷基。烷氧基、苯基、萘基、芴基、螺芴基、苯并芴 基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、窟:基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、喹啉基、异喹啉 基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基中选择的至少一者的苯基、萘基、芴基、螺芴基、苯 并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、窟基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、喹啉基、异 喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基；
[0090] R213和R214可以均独立地选自于：
[0091]CfC^。烷基和C烷氧基；
[0092] 均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-1、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧基或 其盐、磺酸或其盐、磷酸或其盐、苯基、萘基、芴基、螺芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽 基、芘基、窟:基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、 咔唑基和三嗪基中选择的至少一者的Ci-Q。烷基和ci-c2。烷氧基；
[0093] 苯基、萘基、芴基、螺芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、窟基、吡啶 基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基；以及