电抛光和多孔化的制作方法
【技术领域】
[0001]本文所述主题的实施例整体涉及半导体、硅基板和太阳能电池。更具体地讲，所述主题的实施例涉及半导体、太阳能电池和制造工艺。
【背景技术】
[0002]基于半导体和硅的基板是半导体和电子工业中广泛用于各种应用和装置的为人熟知的装置。例如，太阳能电池(一种半导体类型的装置)是一种将太阳辐射转换为电能的公知装置。它们可以在半导体晶片上用半导体加工技术制造。光伏电池或太阳能电池包括P型和N型扩散区。入射在太阳能电池上的太阳辐射产生迀移到扩散区的电子和空穴，借此在这些扩散区之间形成电压差。在背接触太阳能电池中，扩散区和耦接到它们的金属接触指均位于太阳能电池的背面上。接触区和接触指使得可以将外部电路耦接到太阳能电池上并由太阳能电池供电。一个或多个实施例涉及光伏电池或太阳能电池和光伏制造工艺。这种工艺可包括按如下所述方式处理硅基板，以便为后续的太阳能电池工艺作准备。
【发明内容】
[0003]在一个实施例中，公开了一种用于在第一硅基板上形成多孔层的方法。在一些实施例中，该方法包括将第一硅基板置于第一溶液中，并通过第一溶液中的第一硅基板传导第一电流。在一个实施例中，第一溶液可允许通过第一娃基板传导第一电流。该方法还可包括传导第二电流通过第一硅基板，在第一硅基板上产生多孔层。
[0004]在一个实施例中，另一种用于在第一硅基板上形成多孔层的方法可包括:将第一硅基板置于第一溶液中，传导第一电流通过第一硅基板，并将第一硅基板置于第二溶液中。该方法还可包括:通过传导第二电流通过第一硅基板，在第一硅基板上形成多孔层。
[0005]在一个实施例中，另一种用于在第一硅基板上形成多孔层的方法可包括:将第一硅基板置于电抛光溶液中，通过传导第一电流通过第一硅基板来对第一硅基板进行电抛光，并将第一硅基板置于多孔化溶液中。该方法还可包括:通过传导第二电流通过第一硅基板，在第一硅基板上形成多孔层。
【附图说明】
[0006]当结合以下附图考虑时，通过参见【具体实施方式】和权利要求书可以更完全地理解所述主题，其中在所有附图中，类似的附图标记是指类似的元件。
[0007]图1为在硅基板上形成多孔层的示例性方法的流程示意图。
[0008]图2和图3为根据一些在硅基板上形成多孔层的实施例的溶液中基板的横截面示意图。
[0009]图4和图5为根据一些实施例的示例性太阳能电池的横截面示意图。
【具体实施方式】
[0010]以下【具体实施方式】本质上只是例证性的，并非意图限制所述主题的实施例或此类实施例的应用和用途。如本文所用，术语“示例性的”是指“用作示例、实例或例示”。本文描述为示例性的任何实施未必要理解为相比其他实施是优选的或有利的。此外，并不意图受前述技术领域、【背景技术】、
【发明内容】
或以下【具体实施方式】中提出的任何明示或暗示的理论的约束。
[0011]本说明书包括对“一个实施例”或“实施例”的提及。出现短语“在一个实施例中”或“在实施例中”不一定是指同一实施例。特定的特征、结构或特性可以任何与本公开一致的合适方式加以组合。
[0012]术语。以下段落提供存在于本公开(包括所附权利要求书)中的术语的定义和/或语境:
[0013]“包括”。该术语是开放式的。如在所附权利要求书中所用的，该术语并不排除另外的结构或步骤。
[0014]“被配置为”。各种单元或组件可被描述或主张成“被配置为”执行一项或多项任务。在这样的语境中，“被配置为”用于通过指示该单元/组件包括在操作期间执行一项或多项那些任务的结构而暗示结构。因此，即使当指定的单元/组件目前不在操作(例如，未开启/激活)时，也可将该单元/组件说成是被配置为执行任务。详述某一单元/电路/组件“被配置为”执行一项或多项任务明确地意在对该单元/组件而言不援用35U.S.C.§ 112第六段。
[0015]如本文所用的“第一”、“第二”等这些术语用作其之后的名词的标记，而并不暗示任何类型的顺序(例如，空间、时间和逻辑等)。例如，提及“第一”太阳能电池并不一定暗示该太阳能电池是某一序列中的第一个太阳能电池；相反，术语“第一”用于区分该太阳能电池与另一太阳能电池(例如“第二”太阳能电池)。
[0016]“基于”。如本文所用，该术语用于描述影响确定结果的一个或多个因素。该术语并不排除可影响确定结果的另外因素。也就是说，确定结果可以仅基于那些因素或至少部分地基于那些因素。考虑短语“基于B确定A”。尽管B可以是影响A的确定结果的因素，但这样的短语并不排除A的确定结果还基于C。在其他实例中，可以仅基于B来确定A。
[0017]“耦接以下描述是指“耦接”在一起的元件或节点或特征。如本文所用，除非另外明确指明，否则“親接”意指一个元件/节点/特征直接或间接连接至另一个元件/节点/特征(或直接或间接与其连通)，并且不一定是机械耦接。
[0018]此外，以下描述中还仅为了参考的目的使用了某些术语，因此这些术语并非意图进行限制。例如，诸如“上部”、“下部”、“上面”或“下面”等术语是指附图中提供参考的方向。诸如“正面”、“背面”、“后面”、“侧面”、“外侧”和“内侧”等术语描述在一致但任意的参照系内组件的某些部分的取向和/或位置，通过参考描述所讨论组件的文字和相关的附图可以清楚地了解这些取向和/或位置。这样的术语可以包括上面具体提及的词语、它们的衍生词语以及类似意义的词语。
[0019]虽然本公开的大部分内容是为了便于理解而就硅基板和半导体装置进行描述的，但所公开的技术和结构同样适用于其他的半导体结构，例如硅晶片及其例如在光伏电池或太阳能电池中的应用。
[0020]用于对硅基板进行多孔化的一般技术需要表面处理，例如研磨或抛光硅模板或硅基板。在多孔化过程之前进行的这些额外工艺步骤需要额外的工具和工艺成本。本文所公开的实施例可以解决这些困难，并可节约成本和提高效率。
[0021]图1示出了在硅基板上形成多孔层的方法的实施例的流程图。在各种实施例中，图1的方法可包括比所示出的更多(或更少)方框。
[0022]如160所示，可将硅基板置于溶液中。在一个例子中，硅基板可具有大约100微米-1毫米的厚度范围。溶液可允许第一电流传导通过硅基板。在一个实施例中，将硅基板置于溶液中可包括:将硅基板定位在至少部分浸没在溶液中的两个电极之间。例如，在一个实施例中，电极可被完全浸没在溶液中。在另一个实施例中，一个或多个电极可暴露在溶液夕卜。在另一个实施例中，娃基板可充当电极中的一个。
[0023]在一个实施例中，溶液可以是电抛光溶液或多孔化溶液。示例性溶液可包括氢氟酸(HF)、异丙醇(IPA)和乙醇等等中的一种或多种。
[0024]在162处，可将第一电流传导通过娃基板。在一个实施例中，将第一电流传导通过娃基板可电抛光第一基板，在基板上得到抛光层。在一实施例中，第一电流的电流密度可以在大约1-lOOmA/cm2的范围内。
[0025]在各种实施例中，第一电流的大小可基于硅基板的尺寸、溶液的浓度、溶液的组成、相对于硅基板尺寸的溶液的量，和/或槽的尺寸。在一个实施例中，在162处传导的电流可与施加高偏置电压相关联。如本文所用，相较于低偏置电压，高偏置电压与更高的电流密度(mA/cm2)范围相关联。
[0026]如在164处所示，可将第二电流传导通过硅基板。传导第二电流通过硅基板可在硅基板上产生多孔层。在一实施例中，在传导第二电流之前，可将硅基板置于组成不同于第一溶液的第二溶液中。在其他实施例中，第一溶液和第二溶液可具有相同的组成，或者甚至可以是同一溶液(例如，在162和164处使用的同一溶液)。在一个实施例中，第二电流的电流密度可以在大约0.l-50mA/cm2的范围内。
[0027]类似于第一电流，第二电流的大小可基于硅基板的尺寸、溶液的浓度、溶液的组成、相对于硅基板尺寸的溶液的量，和/或槽的尺寸。在一个实施例中，在164处传导的第二电流可与低偏置电压相关联。
[0028]例如，第一电流的电流密度可以在大约1-lOOmA/cm2的范围内。在一个例子中，第二电流的电流密度