发光装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及能够利用于照明器具或显示装置的光源等的发光装置，尤其是设及能 够实现高演色性和高发光效率的发光装置。
【背景技术】
[0002] 将半导体发光元件和巧光体进行了组合的发光装置作为低功耗、小型化、高亮度、 进而宽范围的颜色再现性被期待的下一代的发光装置而受到关注，并正在被积极地研究W 及开发。从半导体发光元件发出的一次光通常是从近紫外到蓝色的范围，例如是波长为 380~480nm的光。此外，也提出了使用了符合用途的各种各样的巧光体的发光装置。
[0003] 例如，发光装置有作为小型液晶显示器化CD化iquid化ystalDisplay,液晶显示 器））用背光的用途。该领域的发光装置例如在JP特开2003-121838号公报（专利文献1) 等中有记载。在专利文献1中，记载了使用在505~535nm的范围中具有光谱峰值的光源 作为背光光源的情况，并记载了作为背光光源中使用的绿色巧光体的激活剂而包含館、鹤、 锡、錬、儘的任意一个或多个。在专利文献1的实施例中，记载了使用MgGa2〇4:Mn或化2Si〇2: Mn作为绿色巧光体。但是，在使用峰值波长在430~480nm的范围内的激励光（上述一次 光）的情况下，上述绿色巧光体的发光效率显著下降。
[0004]另一方面，作为红色巧光体的4价的儘激活氣化4价金属盐巧光体，例如在美国专 利申请公开第2006/0169998号（专利文献2)中有记载。但是，在专利文献2中，对于W输 出性能提高为目的将半导体发光元件和巧光体进行了组合的发光装置的构成，并没有特别 的研究。
[0005] 此外，作为照明装置等来使用的半导体发光装置也被开发出很多种，用于输出性 能提高的手段也被研究出很多种。特别是在能够用于一般照明器具用途的发光装置中，作 为性能，具有高演色性（所谓"具有高演色性"，意味着基本上平均演色评价数Ra为80W 上。演色性能够遵循美国化ergyStar标准等来测量）也和输出性能的提高同样变得重要。 例如在JP特开2012-124356号公报（专利文献3)中，记载了将多个LED(Li曲t血itting Diode)忍片直接安装在基板上、各L邸忍片通过基板上的布线与电路连接并且被进行了树 脂密封的COB(化ip化Board)类型的发光装置。在专利文献3中，记载了通过使用峰值波 长不同的2种红色巧光体从而能够达到高演色性。
[000引但是，仅包含专利文献3中所使用的（Sriy，Cay) 1xAlSiN3:EuX系巧光体（W下记为 "(Sr，Ca)AlSiN3:化系巧光体）"）W及/或者CalxAlSiN3:化x(W下记为"CaAlSiN3:Eu系 巧光体"）的发光装置由于在700皿W上的长波长区域（人的相对可见度较低的区域）具 有较多的发光分量，因此有时会招致相对于投入功率的发光效率（单位：lm/W)的下降。此 夕F，专利文献3中所使用的（Sr,化)AlSiNs:化系巧光体W及CaAlSiN3:化系巧光体由于在 500~600nm的主要绿色的波长区域产生许多的光吸收，因而会吸收来自绿色巧光体的二 次光。因此，红色巧光体吸收来自绿色巧光体的二次光而进行发光运样的2阶段发光发生， 结果有时会招致发光效率的下降。
[0007] 相对可见度在国际上由CIE(国际照明委员会）的标准相对可见度曲线来定义，而 在国内在经济产业省令第189号计量单位规则附表第8中被定义为分光发光效率。据此， 人是在明亮的地方对555nm附近的光感受最强，在黑暗的地方对507nm附近的光感受最强， 而对于与上述峰值波长相比波长更长或更短的光，灵敏度下降，会觉得变暗。红色的情况下 的发光效率是波长越长越下降。
[0008] 在先技术文献 [000引专利文献
[0010] 专利文献1 :JP特开2003-121838号公报
[0011] 专利文献2 :美国专利申请公开第2006/0169998号 [001引专利文献3 :JP特开2012-124356号公报
【发明内容】
[001引发明要解决的课题
[0014] 本发明为了解决上述课题而作，其目的在于提供一种通过使用利用波长在430~ 480nm的范围内的光（来自发光元件的一次光）来高效率地发光的特定的巧光体从而演色 性优异、并且发光效率高的发光装置。
[0015] 用于解决课题的手段
[0016] 本发明所设及的发光装置具备：基板；配置在基板上的布线图案、电极焊盘、密封 树脂层、金属丝W及树脂巧；至少1个发光元件，福射在430nmW上且480nmW下的波长范 围内具有峰值发光波长的光；绿色巧光体，其由从发光元件福射的1次光来激励，福射在绿 色区域具有峰值发光波长的光；和第1红色巧光体，其由1次光来激励，福射在红色区域具 有峰值发光波长的光。第1红色巧光体在700nmW上的波长范围内不发光，并且在550nm W上且600nmW下的波长范围内没有光吸收。
[0017] 第1红色巧光体优选包含由通式（A) : (Ml)2((M2)IhMrOFe(在通式（A)中，（Ml) 表示Li、化、K、化W及Cs中的至少1个碱金属元素，（M2)表示Ge、Si、Sn、TiW及Zr中 的至少1个4价的金属元素，h满足0.OOl《h《0. 1)所表示的4价的儘激活氣化4价金 属盐巧光体的至少1个。在通式（A)中，（Ml)优选表示K，（M2)优选表示Si,h优选满足 0. 005《h《0. 05。
[0018] 本发明所设及的发光装置优选还含有第2红色巧光体。第2红色巧光体优选 包含（Sr,Ca)AlSiNs:化系巧光体、CaAlSiN3:化系巧光体W及由通式巧）：巧Ug(M7)i。） xSibAlc〇dNe(在通式似中，X满足0. 15《x《 1.5，a满足0《a《l，bW及C满足b+c= 12，(1^及6满足(1+6 = 16，（]\17)表示^、化、1(、化、〔3、]\%、〔日、5'、8日、5。、￥、1^3^及6(1中 的至少1个）所表示的2价的館激活氧氮化物巧光体的至少1个。
[0019] 绿色巧光体优选包含由通式度）：(M3) 3xCex(M4) 5〇12 (在通式度）中，（M3)表示Y、 Lu、GdW及La中的至少1个，（M4)表示AlW及Ga的至少1个，X满足0. 005《X《0. 20) 所表示的巧光体的至少1个。
[0020] 发光元件优选为InGaN系L邸忍片。发光装置优选发出白色系的光。
[00川发明效果
[0022]根据本发明所设及的发光装置，演色性优异，并具有高发光效率。
【附图说明】
[0023] 图1(a)是示意性地示出本发明所设及的发光装置的一例的俯视图，（b)是其剖面 图。
[0024] 图2(a)是示意性地示出本发明所设及的发光装置的另一例的俯视图，化）是其剖 面图。
[00巧]图3是表示本发明的第1巧光体的一例的发光光谱分布的曲线图。
[0026] 图4是表示实施例1的发光装置的发光光谱分布的曲线图。
[0027] 图5是表示比较例1的发光装置的发光光谱分布的曲线图。
[002引图6是表示比较例2的发光装置的发光光谱分布的曲线图。
【具体实施方式】
[0029]W下，使用附图对本发明的发光装置进行说明。另外，在本发明的附图中，相同的 参照符号表示同一部分或相当部分。此外，长度、宽度、厚度、深度等尺寸关系为了附图的清 晰化和简略化而作了适当变更，并不表示实际的尺寸关系。
[0030](第1实施方式）
[0031] 图