功率半导体器件制作方法及装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制作技术领域，尤其涉及一种功率半导体器件制作方法及装置。
【背景技术】
[0002]功率半导体器件主要应用在大电压、大电流的场合，在使用中会产生大量的热量，过高的热量会使器件失效，为了尽量减少这些热量，需要减少器件的电阻，需要将硅片的厚度降低到350um以下，而硅片的厚度越低，机械强度越小，硅片就越容易发生翘曲，过大的翘曲对加工器件的机台提出了很大的挑战，因为硅片厚度太薄和硅片翘曲过大容易导致如下问题:
[0003](1)自动机台机械手传片发生故障。有些机台的传片是通过真空吸附的形式进行，如果硅片翘曲过大，真空将无法有效吸附这些硅片，导致机台报警，硅片无法进入机台加工。
[0004](2)机台加工薄硅片时容易产生碎片。当硅片的厚度低于350um时，在进行高速旋转的工艺时，硅片由于机械强度低会发生碎片，危及人身安全。
[0005]现有技术中，为了解决硅片减薄后翘曲过大的问题，通常是采用一种硅片临时键合的技术，该方案是采用一种类似于硅片的载片，该载片提供支撑作用，首先在该载片上涂覆临时键合胶，然后在硅片和载片上施加一定大小的力，把硅片和载片“焊接”在一起，再进行后续的相关工艺，等到工艺全部完成时，再把载片和硅片分开(解键合)，即用相应的溶剂清洗干净硅片和载片上残留的临时键合胶，完成整个工艺过程。该技术方案需要用到临时键合胶、清洗溶剂、载片、临时键合机、解键合机等原材料和设备，缺点是设备和原材料昂贵，生产成本大，工艺过程复杂，消耗的化学品污染环境。
【发明内容】
[0006]本发明提供一种功率半导体器件制作方法及装置，用于解决现有技术在解决功率半导体器件薄片翘曲时成本大，工艺过程复杂的技术问题。
[0007]本发明一方面提供一种功率半导体器件制作方法，包括:
[0008]在功率半导体器件的第一硅片正面贴上胶膜；
[0009]对胶膜进行裁剪，剪掉未覆盖在第一硅片上的部分，使胶膜与第一硅片形状大小相同；
[0010]对第一硅片背面进行减薄以及其它工艺，直至对第一硅片背面的所有工艺全部完成；
[0011]从第一硅片上除去胶膜，获得第二硅片。
[0012]进一步的，胶膜的厚度为300?1000微米。
[0013]进一步的，I父I旲具有粘附性。
[0014]进一步的，从第一硅片上除去胶膜，获得第二硅片，具体为:
[0015]对胶膜采用紫外线进行照射预设时间后，再从第一硅片上撕开胶膜，获得第二硅片。
[0016]进一步的，预设时间为1S-1000S。
[0017]进一步的，胶膜呈透明状。
[0018]进一步的，胶膜至少能够承受200°C的高温。
[0019]本发明另一方面提供一种功率半导体器件制作装置，包括:
[0020]胶膜粘贴模块，用于在功率半导体器件的第一硅片正面贴上胶膜；
[0021]胶膜裁剪模块，用于对胶膜进行裁剪，剪掉未覆盖在第一硅片上的部分，使胶膜与第一娃片形状大小相同；
[0022]背面工艺处理模块，用于对第一硅片背面进行减薄以及其它工艺，直至对第一硅片背面的所有工艺全部完成；
[0023]胶膜去除模块，用于从第一硅片上除去胶膜，获得第二硅片。
[0024]本发明提供一种功率半导体器件制作方法及装置，通过在功率半导体器件的第一硅片正面贴上胶膜；对胶膜进行裁剪，剪掉未覆盖在第一硅片上的部分，使胶膜与第一硅片形状大小相同；对第一硅片背面进行减薄以及其它工艺，直至对第一硅片背面的所有工艺全部完成；从第一硅片上除去胶膜，获得第二硅片。上述方法由于在第一硅片上贴了胶膜，可避免第一硅片减薄后翘曲过大，不利于后续加工，且同时能够降低成本，简化工艺过程。
【附图说明】
[0025]在下文中将基于实施例并参考附图来对本发明进行更详细的描述。其中:
[0026]图1为根据本发明实施例一的功率半导体器件制作方法的流程示意图；
[0027]图2为根据本发明实施例二的功率半导体器件制作装置的结构示意图。
[0028]在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制。
【具体实施方式】
[0029]下面将结合附图对本发明作进一步说明。
[0030]实施例一
[0031]本实施例的执行主体是功率半导体器件制作装置。
[0032]图1为根据本发明实施例一的功率半导体器件制作方法的流程示意图，如图1所示，本发明提供一种功率半导体器件制作方法，包括:
[0033]步骤101，在功率半导体器件的第一硅片正面贴上胶膜。
[0034]具体的，此处的第一硅片即是未进行背面减薄工艺的硅片，为了与已完成背面所有工艺的第二硅片进行区分，此处称为第一硅片。功率半导体器件，主要是用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件，如IGBT就是一种功率半导体器件。在制作功率半导体器件时，如制作IGBT，由于涉及到硅片背面减薄工艺，而硅片越薄，机械强度越小，硅片就越容易发生翘曲，过大的翘曲不利于硅片的后续加工，而且硅片太薄在后续加工时容易产生碎片，危及人身安全。所以在功率半导体器件的第一硅片正面先贴上胶膜，然后对第一硅片进行后续工艺。由于胶膜需要能够完全覆盖第一硅片正面，为了贴覆方便，通常胶膜比第一硅片正面要大，至于大多少，可根据实际情况进行设置，在此不做限定，但是为了节约材料，胶膜比第一硅片正面不要大太多。
[0035]进一步的，胶膜的厚度为300?1000微米。这个范围的胶膜厚度，贴在第一硅片上后能保证第一硅片的翘曲在可接受范围内，并能够提供足够的支撑作用，保证第一硅片在高速旋转下不产生碎片。
[0036]进一步的，胶膜具有粘附性。胶膜的粘附性好，贴在第一硅片上后能经受后续的加工工艺而不从第一硅片上脱落，以保证第一硅片的翘曲在可接受范围内。
[0037]进一步的，胶膜呈透明状。胶膜呈透明状，即胶膜贴在第一硅片正面后，可透过胶膜看见第一硅片正面的各部件及结构，便于对第一硅片的加工，避免发生损伤而不可知。
[0038]进一步的，胶膜至少能够承受200°C的高温。胶膜能耐受一定的温度，可在后续的高温加工工艺中不发生性质的改变而保持原有性能，同时也不至于对第一硅片正面各部件及结构产生污染，以改变第一硅片性