用于接合区3’的材料。被沉积到共同的平面Ε上方的接合区3’的材料紧接着通过返回薄化过程(Rueckduennprozess)被去除。将可设想的是通过研磨工艺、抛光工艺、化学_机械抛光等的直至平面E的去除。这样制造的具有腔2的基板Γ紧接着根据本发明被覆盖有牺牲层4,所述腔2通过用材料填充形成接合区3’且因此共同形成接触表面。
[0048]针对根据本发明的所有实施形式的牺牲层4的沉积可实现以使得用于牺牲层4的材料沉积直至达到必要的层厚度。第二方法在于，在第一步骤中将牺牲层4构造得比所需更厚，且在第二步骤(返回薄化过程)中将其减小到所期望的厚度。在此情形中，也将可设想的是研磨工艺和/或抛光工艺和/或化学-机械抛光的应用。在液体牺牲层的情况下，必要的层厚度也可通过允许牺牲层生长来连续地被构建。这样，例如已知在产生具有相应空气湿度的大气时，均衡层厚度在基板的表面上形成。基板表面上的良好界定的层厚度可通过对温度、压力及湿度的有针对性的控制而产生。
[0049]在制造两个层系统7、7’、7〃之后，其在接合区上在构建预接合的情况下在低温度下和/或在低压力下彼此接合。
[0050]在预接合之前，牺牲层表面4〇可另外用液体(较佳地水)润湿。较佳地，所施加的水层薄于100 nm，更佳地薄于10 nm，最佳地薄于1 nm，特佳地仅是单层。举例而言，将可设想到由一个S1jl及位于其上的一个水层组成的双层系统的使用。S1jl例如是大约1.5 nm厚，S1jl上的水层单独地通过水分子在大气中的冷凝而形成。
[0051]在接近过程期间和/或在接近过程之前，两个基板7、7’、7〃可在X和/或y方向上沿着平面E经由对准标记和/或其他对准特征而被对准。两个牺牲层4的彼此接触较佳地在一个点处通过由针形插头凸状地成形两个基板1、1’中的一个而实现。在两个牺牲层表面4〇进行接触之后，形成通过预接合将两个牺牲层表面彼此固定地连接的接合波。
[0052]在根据本发明的另一方法步骤中，在低温下执行热处理和/或接合步骤。增大的温度和/或力的作用导致牺牲层4的原子至接合区3、3’中的扩散。牺牲层4的原子较佳地完全溶解于接合区3、3’和/或环绕其的块体材料5中且因此在尽可能低的温度下导致接合区材料的根据本发明的直接接合。直接接合可例如通过在此方面参考的专利文献EP2372755或专利文献PCT/EP2012/069268中的方法中的一种而实现。
[0053]根据本发明的用于产生牺牲层的实施形式较佳地是群集9、尤其是低真空群集、较佳地高真空群集、最佳地超高真空群集的模块8 (牺牲层模块)的部分。群集9由可被抽空且可经由模块闸门(Modulschleusentore) 11气密性地分离成所有现存模块的内部空间10构成。在内部空间10之内，机器人12将产品晶片1逐个模块地传送。产品晶片1经由用于进入的产品晶片1的一个输入F0UP 13的群集闸(Clusterschleuse)15到达内部空间10中。在产品晶片1在群集9之内成功处理之后，机器人12再次经由一个输出F0UP 14中的F0UP闸15放下产品晶片1。
[0054]参考符号列表
1，1’基板
1〇，1〇’边界面
2腔
3,3’接合区
3〇,3〇’接合区表面
4牺牲层
4〇牺牲层表面5块体材料
5ο块体材料表面
7，7’，7〃层系统
8模块
9群集
10内部空间
11模块闸门
12机器人
13输入F0UP
14输出F0UP
15群集闸
【主权项】
1.一种用于将第一基板(1、1’)的第一、尤其是至少部分地为金属的接触表面与第二基板的第二、尤其是至少部分地为金属的接触表面相接合的方法，其具有以下步骤、尤其是以下进程: -将至少部分地、尤其是主要可溶于所述接触表面中的至少一个的材料中的牺牲层(4)施加到所述接触表面中的至少一个上， -在将所述牺牲层(4)至少部分地溶于所述接触表面中的至少一个中的情况下接合所述基板2.根据权利要求1所述的方法，其中，施加具有小于1000nm、较佳地小于100 nm、更佳地小于10 nm、最佳地小于1 nm的厚度的牺牲层⑷。3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述牺牲层至少主要地、尤其是完全地由以下材料中的至少一种构成: 籲金属，尤其是 〇 Cu、Ag、Au、Al、Fe、N1、Co、Pt、W、Cr、Pb、T1、Te、Sn 和 / 或 Zn， ?合金， 籲半导体(具有相应掺杂)，尤其是 〇元素半导体，较佳地 ■S1、Ge、Se、Te、B和 / 或(a )-Sn， 〇化合物半导体，较佳地■GaAs、GaN、InP、InxGai XN、InSb、InAs、GaSb、AIN、InN、GaP、BeTe、ZnO、CuInGaSe2、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、Hg(l-x) Cd (x) Te、BeSe、HgS、Al.Ga! xAs、GaS、GaSe、GaTe、InS、InSe、InTe、CuInSe2、CuInS2、CuInGaS” SiC 和 / 或 SiGe， 〇有机半导体，较佳地 ■黄烷士酮、萘环酮、Alq3、萘环酮、并四苯、喹吖啶酮、并五苯、酞青素、聚噻吩、PTCDA、MePT⑶1、吖啶酮和/或阴丹酮， 籲液体，尤其是 〇水， 〇醇， 〇醛， 〇酮， 〇醚， 〇酸， 〇碱基。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述牺牲层(4)的厚度对所述基板(1、1’)、尤其是所述基板(1、1’)的接合区(3、3’)的厚度的比率小于1、较佳地小于10 2、较佳地小于10 4、更佳地小于10 6、还更佳地小于10 8ο5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述接触表面中的至少一个由多个接合区(3、3’)及环绕所述接合区(3、3’)的块体材料(5)构造。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述接触表面中的至少一个以毯覆方式被布置在一个接合区(3)上。
【专利摘要】本发明涉及一种用于将第一基板（1,1＇）的第一至少部分地为金属的接触表面与第二基板的第二至少部分地为金属的接触表面相接合的方法，其具有以下步骤、尤其是以下进程：-将至少部分地、尤其是主要可溶于所述接触表面中的至少一个的材料中的牺牲层（4）施加到所述接触表面中的至少一个上，-在将所述牺牲层（4）至少部分溶于所述接触表面中的至少一个中的情况下接合所述接触表面。所述接触表面可以毯覆方式被布置在一个接合区域（3）上。可替换地，所述接触表面可由多个接合区（3＇）构造，所述接合区（3＇）被块体材料（5）环绕或者被布置在基板腔（2）中。为了产生基板之间的预接合可使用液体（例如水）。
【IPC分类】H01L21/67, H01L21/60, H01L21/66, H01L23/488
【公开号】CN105340070
【申请号】CN201380077980
【发明人】B.雷布汉
【申请人】Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司
【公开日】2016年2月17日
【申请日】2013年7月5日
【公告号】EP2994935A1, US20160071817, WO2015000527A1