面图示。所述晶片复合体150被构造为平的薄片(晶片)，在所述薄片中，光电子半导体芯片100在横向的方向上被并排布置，例如以二维的矩阵布置。每个光电子半导体芯片100具有上侧101和与上侧101相对的下侧102。光电子半导体芯片100的上侧101共同构成晶体复合体150的上侧。光电子半导体芯片100的下侧102共同地构成晶片复合体150的下侧。
[0032]所述光电子半导体芯片100可以例如是发光二极管芯片(LED芯片)。所述光电子半导体芯片100可以例如是发光二极管芯片，所述发光二极管芯片被设置用于，发射具有来自蓝色光谱范围中的波长的电磁辐射(可见光)。光电子半导体芯片100的上侧101在此构成光电子半导体芯片的辐射发射面，在光电子半导体芯片100运行中通过所述辐射发射面发射电磁辐射。
[0033]图2示出在时间上紧跟着图1的图示的加工状态中的晶片复合体150的另一示意性截面图示。掩模层200已被施加在通过光电子半导体芯片100的上侧101构成的晶片复合体150的上侧上。掩模层200具有上侧201和与上侧201相对的下侧202。掩模层200的下侧202与晶片复合体150的光电子半导体芯片100的上侧101接触。
[0034]掩模层200可以例如具有聚醋酸乙烯酯(PVA)或者光刻胶。所述掩模层200可以例如通过离心涂布(旋转涂布(Spin-Coating))、喷溅或者层压光刻胶薄膜被布置在晶片复合体150的上侧上。掩模层200也可以在使用光掩模的情况下被布置在晶片复合体的上侧上。在掩模层的上侧201和掩模层的下侧202之间的该掩模层200的厚度优选地在晶片复合体150的整个面上方尽可能地时恒定的，并且可以例如处于几个ym和几个mm之间。
[0035]图3示出在时间上紧跟着图2的图示的加工状态中的光电子半导体芯片100的示意性截面图示。所述光电子半导体芯片100通过分割晶片复合体150而被分离。在此在晶片复合体150的上侧上布置的掩模层200也被分割。掩模层200的一部分布置在每个光电子半导体芯片100的上侧101上。掩模层200的布置在光电子半导体芯片100的上侧101上的部分在此分别地具有与光电子半导体芯片100的上侧101基本上相同的横向尺寸。在掩模层200的每个部分的上侧201和下侧202之间延伸的侧面以高的精度与各自的光电子半导体芯片100的上侧101垂直地取向。
[0036]在每个光电子半导体芯片100的下侧102处分别地构造第一电接触区域110和第二电接触区域120，所述电接触区域用于电接触光电子半导体芯片100。所述光电子半导体芯片100可以例如被构造为倒装芯片。
[0037]图4示出载体300的示意性截面图示。所述载体300被构造为具有表面301的基本上平坦的薄片。所述载体300具有导电材料，例如金属。所述载体300还可以被称作导体框架或者引线框架。
[0038]壁320布置在载体300的表面301上，所述壁320侧向地对接纳区域330进行划界。所述壁320在载体300的表面301上构成二维的栅格。在所述接纳区域330中，载体300的表面301分别是能达到的。
[0039]载体300的表面301可以在横向的方向上例如具有矩形形状或者圆形薄片形状。在载体300的表面301处的各个接纳区域300在横向方向上优选地具有矩形形状。
[0040]载体300在每个接纳区域330中分别地通过嵌入到载体300中的绝缘体315划分成第一导电段和第二导电段，所述段构成第一电接触面310和第二电接触面311。每个接纳区域330的第一电接触面310和第二电接触面311分别地彼此电绝缘。代替绝缘体315也可以分别地在载体300中设置间隙。
[0041]壁320可以例如具有高填充环氧树脂、高填充硅树脂或者其他高填充材料。所述壁320可以例如通过压铸(传递模塑(Transfer Molding))来制造。
[0042]在载体300的表面301处的每个接纳区域330中布置光电子半导体芯片100。所述光电子半导体芯片100分别地这样地被布置，使得光电子半导体芯片100的下侧102朝向载体300的表面301，并且与所述表面301接触。
[0043]在此在每个光电子半导体芯片100中，第一电接触区域110在各自的接纳区域330中在载体300的表面301处与第一电接触面310导电连接。每个光电子半导体芯片100的第二电接触区域120在载体300的表面301处与各自的接纳区域330的第二电接触面311
导电连接。
[0044]布置在载体300的接纳区域330中的光电子半导体芯片100的上侧101和布置在光电子半导体芯片100的上侧101上的掩模层220从载体300的表面301指向前。
[0045]载体300的接纳区域330在横向方向上分别地具有比布置在接纳区域330中的光电子半导体芯片100的上侧101更大的面。光电子半导体芯片100优选地分别地大约在中心居中地布置在接纳区域330中。由此每个光电子半导体芯片100在其各自的接纳区域330中由接纳区域330的包围区域335包围。光电子半导体芯片100因此在与载体300的表面301平行的横向方向上由对各自的接纳区域330划界的壁320隔开。
[0046]图5示出具有在时间上紧跟着图4的图示的加工状态中的、布置在接纳区域330中的光电子半导体芯片100的载体300的另一不意性截面图不。光学反射材料400被引入到在载体300的表面301处的接纳区域330的包围光电子半导体芯片100的区域335中。
[0047]光学反射材料400可以例如通过无接触的剂量分配(喷射)被引入到包围区域335中。所述光学反射材料400可以具有基本上光学透明的基质材料，光学反射粒子被嵌入到所述基质材料中。所述基质材料可以例如具有硅树脂。光学反射材料400的光学反射粒子可以例如具有Ti02。
[0048]光学反射材料400被填入到接纳区域330的包围光电子半导体芯片100的区域335中直至高度410。所述高度410按从载体300的表面301直至光学反射材料400的上边缘而定。高度410优选地这样地被选择，使得填入到包围区域335中的光学反射材料400与在布置在各自的接纳区域330中的光电子半导体芯片100的上侧101处的掩模层200的上侧201大约齐平地端接。但是，填入到接纳区域330的包围光电子半导体芯片100的区域335中的光学反射材料400的高度410也可以稍微较小地被选择，使得光学反射材料400的上边缘在每个接纳区域330中稍微被布置在各自的光电子半导体芯片100的掩模层200的上侧201之下。但是在任何情况下，所述高度410大于光电子半导体芯片的上侧101和光电子半导体芯片的下侧102之间的该光电子半导体芯片100的厚度。光电子半导体芯片100的掩模层200的上侧201在任何情况下保持不被光学反射材料400覆盖。
[0049]图6示出具有在时间上紧跟着图5的图示的加工状态中的、布置在接纳区域330中的光电子半导体芯片100的载体300的另一示意性截面图示。布置在光电子半导体芯片100的上侧101处的掩模层200的段被去除。掩模层200的去除可以例如通过掩模层200的析取实现。对此可以例如使用水或者显色剂液体。所述掩模层200之前还可以被曝光。
[0050]通过去除布置在光电子半导体芯片100的上侧101处的掩模层200的段，在光电子半导体芯片100的上侧101上方在布置在载体300的接纳区域330中的光学反射材料400中形成自由空间210。在此，自由空间210分别地布置在每个光电子半导体芯片100的上侧101上方。每个自由空间210的位置和形状以高的精度对应于掩模层200的之前在各自的区域中布置的段的形状和位置。由此自由空间210非常精确地布置在光电子半导体芯片100的上侧101处。对每个自由空间210划界的光学反射材料400在各自的自由空间210的界限处分别具有清晰地限定的边缘。
[0051]图7示出具有在时间上紧跟着图6的图示的加工状态中的、布置在接纳区域330中的光电子半导体芯片100的载体300的另一示意性截面图示。波长转换材料500被引入到布置在接纳区域330中的光学反射材料400中的自由空间210中。所述波长转换材料500可以例如通过针式剂量分配(分发(Dispensing))被引入到自由空间210中。基本上完全地填满各自的自由空间210的波长转换材料500的量被引入到每个自由空间210中。
[0052]在布置在接纳区域300的光学反射材料400中的自由空间210中的波长转换材料500分别地构成具有上侧501和与上侧501相对的下侧502的在很大程度上平的小板。波长转换材料500的下侧502在此被布置在在各自的接纳区域330中布置的光电子半导体芯片100的上侧101上。波长转换材料500的上侧501大约与布置在各自的接纳区域330中的光学反射材料400的上侧齐平地端接。在每个接纳区域330中在波长转换材料的上侧501和波长转换材料的下侧502之间的该波长