一种新型系统级封装的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明实施例涉及半导体封装技术，尤其涉及一种新型系统级封装。
【背景技术】
[0002]如图1所示，为由2个N型金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)连接形成的功率切换器的电路图，其中高端(High Side, HS)MOSFET的漏极D1连接电压输入(Vin)端，其源极S1连接低端(Low Side，LS)MOSFET的漏极D2，而低端MOSFET的源极S2则连接地线(Gnd)端。通常，在该功率切换器的Vin-Gnd两端之间还并联设置有一个旁路电路电容C，该电容的设置是为了压制功率切换器启动时电压的冲激，以增进该功率切换器的性能。更进一步，如图2所示，在高端MOSFET的栅极G1和低端MOSFET的栅极G2的两端并联连接一功率控制器(Power Integrated Circuit，PIC)，则形成一直流-直流(DC-DC)转换器。
[0003]在目前的半导体封装技术中，DC-DC转换器封装结构不断地将各元器件集成封装，从而使得该半导体封装走向微型化。因此，半导体上元器件的密度也随之不断增加，从而使得元器件间电磁干扰增大，系统散热急需提高。
【发明内容】
[0004]本发明实施例提供一种新型系统级封装，以实现屏蔽电磁干扰，同时提高系统散热效率。
[0005]本发明实施例提供了一种新型系统级封装，该封装包括:
[0006]基板，用于承载封装结构中的元器件；
[0007]MOSFET芯片，设置在基板表面，其底部高端漏极通过基板布线与输入电压端电性连接；
[0008]第一金属端子，所述第一金属端子的一端与基板电路相连，另一端设置在高端MOSFET芯片表面，用于连接高端MOSFET芯片的高端源极；
[0009]低端MOSFET芯片，设置于第一金属端子表面，低端MOSFET芯片的底部为低端漏极，所述低端漏极通过第一金属端子与高端MOSFET芯片顶部的高端源极串连；
[0010]折线型金属片，所述折线型金属片的横端包含有第二金属端子，第二金属端子连接低端MOSFET芯片顶部低端源极，竖端与基板地线端电性连接；
[0011]1C芯片，设置于基板表面，通过基板电路分别与高端MOSFET芯片和低端MOSFET芯片的栅极相连，用于功率控制；
[0012]至少一个无源器件，用于根据电路相应需求设置在折线型金属片两侧基板电路的相应位置，构成完整的DC-DC功率切换电路。
[0013]进一步的，所述折线型金属片为T型金属片。
[0014]进一步的，所述T型金属片横端将整个封装结构的含元器件方向的表面覆盖。
[0015]进一步的，所述折线型金属片为L型金属片。
[0016]进一步的，所述封装还包括:矩形金属板，罩在电路中电感器件的上方。
[0017]进一步的，所述1C芯片使用引线键合工艺与基板电路连接。
[0018]进一步的，所述1C芯片使用倒装芯片工艺与基板电路连接。
[0019]进一步的，所述1C芯片与基板电路通过金属球连接。
[0020]进一步的，所述MOSFET芯片使用叠加模具工艺设置在基板上。
[0021]本发明通过将封装电路中的无源器件设置在折线型金属片两侧，实现折线型金属片对无源器件的电磁干扰的保护。同时，1C芯片通过金属球倒装设置在基板上，形成最短电路，减低电阻。两个MOSFET芯片使用叠加模具工艺堆叠设置在基板上，减少了该系统封装的尺寸。
【附图说明】
[0022]图1为现有技术中功率切换器的电路图；
[0023]图2是本发明实施例中的DC-DC转换器的电路图；
[0024]图3A是本发明实施例一中的一种新型系统封装结构的俯视图；图3B为沿着图3A中的A-A方向的封装结构刨面图；图3C为沿着图3A中的B-B方向的封装结构刨面图；
[0025]图4A是本发明实施例二中的一种新型系统封装结构的俯视图；图4B为沿着图4A中的A-A方向的封装结构刨面图；图4C为沿着图4A中的B-B方向的封装结构刨面图。
【具体实施方式】
[0026]下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
[0027]实施例一
[0028]图3A是本发明实施例一中的一种新型系统封装结构的俯视图，本实施例中的系统封装可适用于DC-DC转换器，该系统封装包括:基板1、高端MOSFET芯片2、第一金属端子
3、低端MOSFET芯片6、折线型金属片7、集成电路1C芯片10及至少一个无源器件8。
[0029]其中，基板1为带有印刷有电路的基板，该基板可以是印刷线路板，也可以是一个铺有引线框架的基板。
[0030]高端MOSFET芯片2，设置在基板1上，其底部高端漏极通过基板布线与输入电压端电性连接。该高端MOSFET芯片2与基板1的连接方式有多种，可以是通过金属导线4与基板1连接，也可以通过导电胶5固定并电性连接。本实施例中元器件与基板电路的连接方式，优选是当所要连接部件位于基板1待连接端的上方时，选用导电胶5连接；否则，选用金属导线4连接。
[0031]第一金属端子3，设置在高端MOSFET芯片2表现，一端与基板电路相连，另一端设置在高端MOSFET芯片2表面，用于连接高端MOSFET芯片2的高端源极。该第一金属端子3可以是任意形状，优选为L型，其中L型第一金属端子较短的一端可以通过导电胶5与基板电路连接，较长的一端可以通过导电胶5与高端MOSFET芯片2电性连接。
[0032]低端MOSFET芯片6设置在第一端子3表面，低端MOSFET芯片6的底部为低端漏极，所述低端漏极通过第一金属端子3与高端MOSFET芯片2顶部的高端源极串连。该低端MOSFET芯片6与高端MOSFET芯片2的连接方式可以是任意方式，例如可以通过导线水平相连，本实施例优选为低端MOSFET芯片6通过第一金属端子3堆叠设置在高端MOSFET芯片2之上，从而减小半导体封装尺寸。
[0033]折线型金属片7，所述折线型金属片7的横端包含有第二金属端子9，第二金属端子9连接低端MOSFET芯片6顶部低端源极，竖端与基板地线电性连接。该折线型金属片9的形状可以是弧形等多种形状，本实施例优选为T型，该T型金属片的横端可以将整个封装结构的含元器件方向的表面覆盖。使得设置在该T型金属片两侧的无源器件不受电磁干扰的影响，同时该封装可以通过其表面覆盖的T