04上设置图案化的裸片附接材料302诸如焊料。根据本实施例，引线框架300的顶表面304是实心的(即，无间隙或者开口)并且是平面的。根据本实施例，设置在引线框架300的底(背)表面308上的金属化结构306包括Ni 310、Pd 312和Au 314。在引线框架制造工艺期间，将引线框架的背侧图案化，从而使得凹陷区域316从引线框架300的底表面308向顶表面304延伸。引线框架300在凹陷区域316中更薄(Α_)并且在别处更厚(A)，如此处先前所描述的。在引线框架300的顶表面304上的裸片附接金属化结构302中的间隙(空间)318，与凹陷区域316对准。图3C示出了在预模制工艺之后的引线框架300，其中用模制用料320填充凹陷区域316。模制用料320，连同设置在线框架300的底表面308上的金属化结构306，保护引线框架300免受用于形成引线的后续化学蚀刻工艺的处理，例如，如此处之前参照图2D所描述的。在引线框架300的顶表面304上的图案化的裸片附接金属化结构302不被蚀刻工艺去除，从而保护被裸片附接金属化结构302覆盖的这部分引线框架300。因为引线框架300在凹陷区域316中更薄并且在别处更厚，所以更少的引线框架材料被去除以形成引线，并且因此可以实现引线间距与引线框架厚度之比B/A小于1。
[0030]与空间相关的术语诸如“下”、“之下”、“下方”、“上”、“之上”、“上方”等用于方便说明，以阐释一个元件相对于第二个元件的定位。这些术语旨在涵盖封装体的除了在图中所绘的定向之外的不同定向。进一步地，术语诸如“第一”、“第二”等也可以用于描述各种元件、区域和部分等，而非旨在构成限制。贯穿本说明，类似的术语表示类似的元件。
[0031]如此处使用的，“具有”、“含有”、“包含”、“包括”等术语为开放性术语，表示存在所陈述的元件或者特征，但是也不排除存在其他元件或者特征。除非本文另有明确说明，否则“一”、“一个”和“该”旨在包括单数形式和复数形式。
[0032]在了解了变型和应用的上述范围之后，应该理解，本发明既不限于前述说明，也不限于对应附图。事实上，本发明仅由以下权利要求书及其法律等同物限制。
【主权项】
1.一种制造模制倒装芯片半导体封装体的方法，包括: 提供引线框架，所述引线框架具有相对的第一主表面和第二主表面、在所述第一主表面上的第一金属化结构、在所述第二主表面上的第二金属化结构、以及从所述第二主表面向所述第一主表面延伸的凹陷区域； 用第一模制用料填充所述凹陷区域，从而使得所述引线框架:在所述引线框架的第二侧处被所述第一模制用料和所述第二金属化结构保护、并且在所述引线框架的与所述第二侧相对的第一侧处在所述第一金属化结构中的间隙之间暴露出来；以及 用化学蚀刻剂蚀刻所述引线框架的在所述第一金属化结构中的间隙之间的暴露部分，以在所述引线框架的所述第一侧处形成间隔开的引线，所述第一模制用料和所述第二金属化结构保护所述引线框架在所述第二侧处免受所述化学蚀刻剂的作用。2.根据权利要求1所述的方法， 其中所述引线框架包括铜并且所述第二金属化结构包括金，并且 其中所述化学蚀刻剂相对于金并且相对于所述第一模制用料选择性地蚀刻铜，从而使得所述第一模制用料和所述第二金属化结构保护所述引线框架在所述第二侧处免受所述化学蚀刻剂的作用。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第二金属化结构包括NiPdAu，并且所述化学蚀刻剂包括氨。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一模制用料是多官能模制用料。5.根据权利要求1所述的方法，其中由所述化学蚀刻剂蚀刻所述引线框架的在所述第一金属化结构中的所述间隙之间的所述暴露部分，从而使得所述引线在所述引线的厚度上具有非均匀的宽度。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述引线的宽度从所述第一主表面进一步地减小到最小值，并且然后增加。7.根据权利要求1所述的方法，其中用所述化学蚀刻剂蚀刻所述引线框架的在所述第一金属化结构中的所述间隙之间的所述暴露部分，从而使得所述引线的侧壁被钻蚀。8.根据权利要求7所述的方法，其中在所述引线的每侧处的所述钻蚀的范围在所述引线的厚度的5%至40%。9.根据权利要求1所述的方法，进一步包括: 将多个半导体裸片放置在所述引线框架上，从而使得所述半导体裸片的焊盘面朝所述引线框架的所述引线； 将所述焊盘附接至所述引线框架的所述引线；以及 用第二模制用料将所述半导体裸片包封，所述第二模制用料将在所述引线之间的空间填充，从而使得所述第二模制用料与所述第一模制用料邻接。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一模制用料是与所述第二模制用料不同的模制用料。11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一模制用料是多官能模制用料，并且所述第二模制用料是多芳香模制用料。12.—种模制倒装芯片半导体封装体，包括: 引线框架，具有:相对的第一主表面和第二主表面、在所述第一主表面上的第一金属化结构、在所述第二主表面上的第二金属化结构、从所述第二主表面向所述第一主表面延伸的凹陷区域、以及在所述第一金属化结构中的间隙之间被化学蚀刻到所述引线框架中的间隔开的引线； 半导体裸片，具有面朝并且附接至所述引线框架的所述引线的多个焊盘； 第一模制用料，将所述凹陷区域填充；以及 第二模制用料，将所述半导体裸片包封并且将在所述引线之间的空间填充，从而使得所述第二模制用料与所述第一模制用料邻接， 其中A是所述引线框架的总厚度， 其中B是在所述引线中的相邻引线之间的间距， 其中B/A〈l。13.根据权利要求12所述的模制倒装芯片半导体封装体，其中0.2〈B/A〈1。14.根据权利要求12所述的模制倒装芯片半导体封装体，其中所述引线框架包括铜，并且所述第二金属化结构包括金。15.根据权利要求14所述的模制倒装芯片半导体封装体，其中所述第二金属化结构包括 NiPdAu。16.根据权利要求12所述的模制倒装芯片半导体封装体，其中所述第一模制用料是多官能模制用料。17.根据权利要求12所述的模制倒装芯片半导体封装体，其中在所述引线的厚度上，所述引线具有非均匀的宽度。18.根据权利要求17所述的模制倒装芯片半导体封装体，其中所述引线的宽度从所述第一主表面进一步地减小到最小值，并且然后增加。19.根据权利要求12所述的模制倒装芯片半导体封装体，其中所述第一模制用料是与所述第二模制用料不同的模制用料。20.根据权利要求19所述的模制倒装芯片半导体封装体，其中所述第一模制用料是多官能模制用料，并且所述第二模制用料是多芳香模制用料。21.根据权利要求12所述的模制倒装芯片半导体封装体，其中所述引线具有曲面形侧壁。22.根据权利要求12所述的模制倒装芯片半导体封装体，其中所述第一模制用料包括液晶聚合物或者填充有氮化铝的热塑性树脂。
【专利摘要】本发明的各个实施例涉及一种模制倒装芯片半导体封装体。模制倒装芯片半导体封装体包括引线框架，该引线框架具有相对的第一主表面和第二主表面、在第一主表面上的第一金属化结构、在第二主表面上的第二金属化结构、从第二主表面向第一主表面延伸的凹陷区域、以及化学蚀刻到在第一金属化结构中的间隙之间的引线框架的间隔开的引线。该封装体进一步包括：半导体裸片，该半导体裸片具有面朝并且附接至引线框架的引线的多个焊盘；第一模制用料，该第一模制用料填充凹陷区域；以及第二模制用料，该第二模制用料将半导体裸片包封并且将在引线之间的空间填充，从而使得第二模制用料与第一模制用料邻接。A是引线框架的总厚度，B是在引线中的相邻引线之间的间距，并且B/A<1。
【IPC分类】H01L23/31, H01L21/58, H01L23/495
【公开号】CN105374787
【申请号】CN201510505954
【发明人】李瑞家, 方子康, 黄美晶
【申请人】英飞凌科技股份有限公司
【公开日】2016年3月2日
【申请日】2015年8月17日
【公告号】DE102015113287A1, US9219025