端子9、10接合时的最佳位置的方式与外部连接用端子保持构件11的嵌合部18嵌合。
如此一来，中继用端子9、10与外部连接用端子13、14可确保必要的焊接强度、熔融截面积。
此处，非导电性中继用端子保持构件6保持与焊料4的接合面侧的中继用端子9、10的端部。此外，如图3所示，将外部连接用端子保持构件11、中继用端子保持构件6及基板2层叠。
如以上所说明，根据本实施方式，中继用端子9、10与外部连接用端子13、14的相对位置精度提高。即，中继用端子9、10在回流焊时不会发生错位。因此，在对中继用端子9、10与外部连接用端子13、14分别进行接合时，无须强制性地弯曲中继用端子9、10来进行对位，可缓和对焊接部的应力，从而可提高焊料寿命。此外，即便是在将外部连接用端子保持构件11、中继用端子保持构件6及基板2层叠之后实施回流焊，也获得同样的效果。
接着，使用图4、图5，对本发明的第2实施方式的功率半导体模块进行说明。
首先，使用图4，对本发明的第2实施方式的功率半导体模块1的构成进行说明。图4为本发明的第2实施方式的功率半导体模块1的分解图。
夹具21是回流焊时所使用的夹具，是在基板2上焊接中继用端子9、10时所使用的夹具。夹具21具有至少1处以上与基板2的通孔15卡合的凸部22。进而，夹具21具有至少1处以上与中继用端子保持构件6的凸部25卡合的凹部23。在图4中，作为一例，显示有1处凸部22和1处凹部23。
在基板2上，在金属基底上隔着绝缘层以导体形成有布线图案3，在其上形成有焊料4。基板2具有至少1处以上与外部连接用端子保持构件11的凸部24卡合的通孔15。在图4中，作为一例，显示有1处通孔15。
进而，基板2的与外部连接用端子保持构件11的凸部24卡合的通孔15起到与回流焊时的夹具21的凸部22卡合的作用。
中继用端子保持构件6由合成树脂制等绝缘构件形成，具有至少1处以上与夹具21的凹部23卡合的凸部25。在图4中，作为一例，显示有1处凸部25。
此外，中继用端子9、10以固定在与外部连接用端子13、14接合时的最佳位置的方式嵌合、埋设在中继用端子保持构件6的嵌合部17中。
再者，中继用端子9为电力系统的端子，中继用端子10为信号系统的端子，通过焊料4与布线图案3接合。
另一方面，外部连接用端子保持构件11由合成树脂制等绝缘构件形成，具有至少1处以上卡合至基板2的通孔15的凸部24。在图4中，作为一例，显示有1处凸部24。此外，外部连接用端子13、14以固定在与中继用端子9、10接合时的最佳位置的方式嵌合、埋设在外部连接用端子保持构件11的嵌合部18中。
再者，外部连接用端子13为电力系统的端子，外部连接用端子14为信号系统的端子，通过与中继用端子9、10接合并借助于中继用端子9、10与基板2连接。
基板2上所配备的通孔15与回流焊时所使用的夹具21上所配备的凸部22卡合，且夹具21上所配备的凹部23与中继用端子保持构件6上所配备的凸部25卡合，进而，中继用端子9、10与中继用端子保持构件6的嵌合部17嵌合。
由此，中继用端子9、10即便以回流焊方式安装在基板2上，也不会发生错位，而是配置在指定位置。并且，中继用端子9、10以固定在与外部连接用端子13、14接合时的最佳位置的方式与中继用端子保持构件6的嵌合部17嵌合。
此外，基板2上所配备的通孔15与外部连接用端子保持构件11上所配备的凸部24卡合，且外部连接用端子13、14以固定在与中继用端子9、10接合时的最佳位置的方式与外部连接用端子保持构件11的嵌合部18嵌合。
接着，使用图5，对本发明的第2实施方式的功率半导体模块1的成品进行说明。图5为本发明的第2实施方式的功率半导体模块的剖视图。
像使用图4所说明的那样，在回流焊时，基板2的通孔15与夹具21的凸部22卡合。由此，基板2被固定在夹具21上。另一方面，焊接后，从基板2的通孔15中拔出夹具21的凸部22，并且像图5所示那样使基板2的通孔15与外部连接用端子保持构件11的凸部24卡合。由此，外部连接用端子保持构件11被固定在基板2上。
此处，如图5所示，将基板2与中继用端子保持构件6层叠，并将基板2与外部连接用端子保持构件11层叠。也就是说，中继用端子保持构件6和外部连接用端子保持构件11配置在基板2上。
如以上所说明，根据本实施方式，中继用端子9、10与外部连接用端子13、14的相对位置精度提高。即，中继用端子9、10在回流焊时不会发生错位。因此，在对中继用端子9、10与外部连接用端子13、14分别进行接合时，无须强制性地弯曲中继用端子9、10来进行对位，可缓和对焊接部的应力，从而可提高焊料寿命。此外，即便是在将夹具21、基板2及中继用端子保持构件6层叠、以及将夹具21、基板2及外部连接用端子保持构件11层叠之后实施回流焊，也获得同样的效果。
接着，使用图6、图7，对本发明的第3实施方式的功率半导体模块1进行说明。
首先，使用图6，对本发明的第3实施方式的功率半导体模块1的构成及其所使用的夹具的构成进行说明。图6为本发明的第3实施方式的功率半导体模块1的分解图。
夹具21是回流焊时所使用的夹具，是在基板2上焊接中继用端子9、10时所使用的夹具。夹具21具有至少1处以上与基板2的通孔16卡合的凸部22。进而，夹具21具有至少1处以上与中继用端子保持构件6的凸部25卡合的凹部23。在图6中，作为一例，显示有1处凸部22和1处凹部23。
在基板2上，在金属基底上隔着绝缘层以导体形成有布线图案3，在其上形成有焊料4。基板2具有至少1处以上与回流焊时的夹具21的凸部22卡合的通孔16。在图6中，作为一例，显示有1处通孔16。
中继用端子保持构件6由合成树脂制等绝缘构件形成，具有至少1处以上与夹具21的凹部23卡合的凸部25。在图6中，作为一例，显示有1处凸部25。 此外，中继用端子9、10以固定在与外部连接用端子13、14接合时的最佳位置的方式嵌合、埋设在中继用端子保持构件6的嵌合部17中。而且，中继用端子保持构件6具有至少1处以上与外部连接用端子保持构件11的凹部12卡合的凸部8。在图6中，作为一例，显示有1处凸部8。
再者，中继用端子9为电力系统的端子，中继用端子10为信号系统的端子，通过焊料4与布线图案3接合。
另一方面，外部连接用端子保持构件11由合成树脂制等绝缘构件形成，具有至少1处以上与中继用端子保持构件6的凸部8卡合的凹部12。在图6中，作为一例，显示有1处凹部12。
此外，外部连接用端子13、14以固定在与中继用端子9、10接合时的最佳位置的方式嵌合、埋设在外部连接用端子保持构件11的嵌合部18中。
再者，外部连接用端子13为电力系统的端子，外部连接用端子14为信号系统的端子，通过与中继用端子9、10接合并借助于中继用端子9、10与基板2连接。
基板2上所配备的通孔16与回流焊时所使用的夹具21上所配备的凸部22卡合，且夹具21上所配备的凹部23与中继用端子保持构件6上所配备的凸部25卡合，进而，中继用端子9、10与中继用端子保持构件6的嵌合部17嵌合。由此，中继用端子9、10即便以回流焊方式安装在基板2上，也不会发生错位，而是配置在指定位置。此外，中继用端子9、10以固定在与外部连接用端子13、14接合时的最佳位置的方式与中继用端子保持构件6的嵌合部17嵌合。
此外，中继用端子保持构件6上所配备的凸部8与外部连接用端子保持构件11上所配备的凹部12卡合，且外部连接用端子13、14以固定在与中继用端子9、10接合时的最佳位置的方式与外部连接用端子保持构件11的嵌合部18嵌合。
接着，使用图7，对本发明的第3实施方式的功率半导体模块1的成品进行说明。图7为本发明的第3实施方式的功率半导体模块1的剖视图。
像使用图6所说明的那样，在回流焊时，基板2的通孔16与夹具21的凸部22卡合。由此，基板2被固定在夹具21上。另一方面，焊接后，像图7所示那样从基板2的通孔16中拔出夹具21的凸部22。再者，中继用端子保持构件6与基板2利用粘结剂等加以固定。
此处，如图7所示，将外部连接用端子保持构件11、中继用端子保持构件6及基板2层置。
如以上所说明，根据本实施方式，中继用端子9、10与外部连接用端子13、14的相对位置精度提高。即，中继用端子9、10在回流焊时不会发生错位。因此，在对中继用端子9、10与外部连接用端子13、14分别进行接合时，无须强制性地弯曲中继用端子9、10来进行对位，可缓和对焊接部的应力，从而可提高焊料寿命。此外，即便是在