一种可调整有机发光二极管组件光谱的封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及一种有机发光二极管组件，尤其设及一种可调整该有机发光二极管组 件光谱的封装结构。
【背景技术】
[0002] 在现有的平板显示器中，有机发光二极管的rganic Li曲t血itting Diode， OLED)显示器可提供宽视角、良好的对比度和有快速的响应速度，且相比无机发光显示器具 有更高的亮度、更低的驱动电压，因此逐渐受到人们的广泛关注和青睐。
[0003] 一般来说，有机发光二极管显示器包括有机发光二极管组件，其包括空穴注入层 (Hole Injection Layer, HIL)、空穴传输层（Hole Transportation Layer, HTL)、电子传 输层巧Iectron Transportation L曰yer，ETL)、电子注入层巧Iectron Injection Layer， EIL) W及设置在空穴传输层和电子传输层之间的有机发光层（Emission Layer,EL)。当激 子（来自空穴注入层的空穴与来自电子注入层的电子在有机发光层中复合产生）从激发态 下降到基态时产生光线。作为自发射显示装置，有机发光二极管显示器不需要额外的光源， 可W使用低电压驱动，并被构造为具有薄而轻的设计。
[0004] 然而，有机发光二极管组件接触水、氧后，会与它们产生化学反应，破坏组件内部 的电极与有机材料，造成发光区的暗点，降低了组件效率与寿命。针对上述问题，现有的一 种解决方案是在于，W胶材贴合显示器的玻璃基板与盖板玻璃，达到阻隔水气的效果。不 过，贴合盖板玻璃将增加整个组件的厚度；另一种解决方案是利用阻水薄膜作为封装，采用 无机薄膜层/有机薄膜层的多层堆叠方式，藉由无机薄膜层较佳的阻水性，W及有机薄膜 层可平整化的特性，来增加有机发光二极管组件的封装可靠性。但是，当光线穿过多层阻水 薄膜时，往往产生光干设现象从而造成光谱变化，不利于进行光谱性质的优化。 阳〇化]有鉴于此，如何设计一种用于有机发光二极管组件的封装结构，W便调整得到平 滑的单峰值光谱，从而改善或消除现有技术的上述缺陷，是业内相关技术人员亟待解决的 一项课题。
【发明内容】
[0006] 针对现有技术中的用于有机发光二极管组件的封装结构所存在的上述缺陷，本发 明提供一种可调整有机发光二极管组件光谱的封装结构。
[0007] 依据本发明的一个方面，提供了一种可调整有机发光二极管组件光谱的封装结 构，其中所述封装结构包括至少一有机层，所述有机层具有一第一厚度和一第二厚度，且所 述第一厚度与所述第二厚度之差大于所述有机发光二极管组件的光谱周期。
[0008] 在其中的一实施例，所述封装结构还包括一第一无机层和一第二无机层，并且所 述有机层位于所述第一无机层与所述第二无机层之间。
[0009] 在其中的一实施例，所述光谱周期满足数学关系式：
[0010] Cycle = Peak/(2. 1128袖-0. 1978)
[0011] 其中，切Cle为所述光谱周期，Peak为光谱峰值，n为所述有机层的折射率。
[0012] 在其中的一实施例，所述第一无机层的截面为一水平直线，所述第二无机层的截 面为一倒梯形，其中所述倒梯形的第一底边到所述水平直线的距离为所述有机层的第一厚 度，W及所述倒梯形的第二底边到所述水平直线的距离为所述有机层的第二厚度。
[0013] 在其中的一实施例，所述第一无机层的截面为起伏不平的一曲线，所述第二无机 层的截面为一水平直线，其中所述曲线的下凹部到所述水平直线的距离为所述有机层的第 一厚度，W及所述曲线的上凸部到所述水平直线的距离为所述有机层的第二厚度。
[0014] 在其中的一实施例，所述有机层的折射率为1. 5、1. 64或1. 85。
[0015] 在其中的一实施例，所述封装结构包括交错堆叠的一第一无机层、一第一有机层、 一第二无机层、一第二有机层W及一第=无机层，其中，所述第一有机层具有一第一厚度和 一第二厚度，且所述第一厚度与所述第二厚度之差大于所述有机发光二极管组件的光谱周 期。
[0016] 在其中的一实施例，所述有机发光二极管组件依次包括一阳极、一空穴注入层、一 空穴传输层、一发光层、一电子传输层W及一阴极，其中，所述发光层为绿色发光层。
[0017] 在其中的一实施例，所述封装结构采用薄膜封装（Thin Film Encapsulation， TFE)技术制作而成。
[0018] 采用本发明的可调整有机发光二极管组件光谱的封装结构，其包括至少一有机 层，该有机层具有一第一厚度和一第二厚度，且第一厚度与第二厚度之差大于组件的光谱 周期。相比于现有技术，本发明设计具有不同厚度的有机层，当光线经过该有机层时，多个 干设光谱相叠加，进而消除阻水薄膜封装所造成的光干设现象，得到平滑的、单一峰值的优 化光谱。
【附图说明】
[0019] 读者在参照附图阅读了本发明的【具体实施方式】W后，将会更清楚地了解本发明的 各个方面。其中，
[0020] 图1示出现有技术中的一种用于有机发光二极管组件的封装结构的示意图；
[0021] 图2示出图1的封装结构由于光干设现象造成光谱变化的曲线示意图；
[0022] 图3示出依据本发明的第一实施方式，可调整有机发光二极管组件光谱的封装结 构的示意图；
[0023] 图4示出依据本发明的第二实施方式，可调整有机发光二极管组件光谱的封装结 构的示意图；
[0024] 图5示出依据本发明的第=实施方式，可调整有机发光二极管组件光谱的封装结 构的示意图；W及
[00巧]图6示出图3至图5的任意一种可调整有机发光二极管组件光谱的封装结构中， 采用不同材质的有机层时的折射率与光谱峰值/光谱周期的比值之间的拟合曲线示意图。
【具体实施方式】
[00%] 为了使本申请所掲示的技术内容更加详尽与完备，可参照附图W及本发明的下述 各种具体实施例，附图中相同的标记代表相同或相似的组件。然而，本领域的普通技术人员 应当理解，下文中所提供的实施例并非用来限制本发明所涵盖的范围。此外，附图仅仅用于 示意性地加W说明，并未依照其原尺寸进行绘制。
[0027] 下面参照附图，对本发明各个方面的【具体实施方式】作进一步的详细描述。
[0028]图1示出现有技术中的一种用于有机发光二极管组件的封装结构的示意图。图2 示出图1的封装结构由于光干设现象造成光谱变化的曲线示意图。
[0029] 结合图1和图2,现有的封装结构采用无机薄膜层/有机薄膜层交错堆叠的方式， 其依次包括一基板100、一有机发光二极管组件102、一第一无机薄膜层（first inorganic layer) 104、一第一有机薄膜层（first organic laye;r)204、一第二无机薄膜层 106、一第 二有机薄膜层206、一第=无机薄膜层108、一第=有机薄膜层208 W及一第四无机薄膜层 110。此外，每个无机薄膜层均包括多个离散分布的缺陷部（defect area)102。如图1所示， 虽然相邻的两个无机薄膜层之间的缺陷部可形成流动路径，但是它们之间的有机薄膜层能 够较好地填平缺陷，实现平整化。
[0030] 如前文所述，在图1的封装结构中，当光线穿过多层阻水薄膜时，容易产生光干设 现象，不利于光谱性质的优化。如图2所示，实线表示未采用薄膜封装技术时（W/o TF巧的 有机发光二极管组件的封装结构的光谱图，虚线表示采用了薄膜封装技术时（W/TFE)的有 机发光二极管组件封装结构的光谱图，从图2可W看出，在波长范围介于450纳米至650纳 米的区间时，虚线所示的光谱曲线因光干设现象无法实现平滑和单一峰值。
[0031] 为了克服现有技术中的上述缺陷或不足，本发明掲示了一种可调整有机发光二极 管组件光谱的封装结构。图3示出依据本发明的第一实施方式，可调整有机发光二极管组 件光谱的封装结构的示意图。
[0032] 参照图3,在该实施方式中，本发明的封装结构包括一有机发光二极管组件OL邸、 一第一无机薄膜层302a、一第一有机薄膜层304a、一第二无机薄膜层306a、一第二有机 薄膜层308a、一第S无机薄膜层310a。此外，该封装结构还包括一像素定义层（Pixel Definition Layer, P化)300a，位于有机发光二极管组件OLED的两侧。第一无机薄膜层 302a的部分区域用W覆盖该像素限定层300曰。
[0033] 需要特别指出的是，第一有机薄膜层304a具有一第一厚度Dll和一第二厚度D12， 且第一厚度Dll与第二厚度D12之差大于有机发光二极管组件的光谱周期切cle。由光学 仿真的结果可知，干设光谱随着第一有机薄膜层的厚度变化为周期性，透过设置第一有机 薄膜层具有两个厚度，并且使厚度之差的绝对值满足一定的关系，就可得到平滑的光谱，W 消除光干设的不良情形。
[0034] 在一具体实施例，于有机发光二极管组件OL邸的正上方，第一无机薄膜层302a的 截面为一