半导体背面用切割带集成膜的制作方法
【专利说明】
[0001] 本申请是申请日为2011年4月19日，申请号为201110099946. 4,发明名称为"半 导体背面用切割带集成膜"的申请的分案申请。
技术领域
[0002] 本发明设及半导体背面用切割带集成膜，其具有倒装忍片型半导体背面用膜。将 倒装忍片型半导体背面用膜用于保护半导体元件例如半导体忍片的背面和提高强度。此 夕F，本发明设及使用半导体背面用切割带集成膜生产半导体器件的方法和倒装忍片安装的 半导体器件。
【背景技术】
[0003] 近年来，日益要求半导体器件及其封装的薄型化和小型化。因此，作为半导体器 件及其封装，已经广泛地利用其中借助于倒装忍片接合将半导体元件例如半导体忍片安装 (倒装忍片连接）于基板上的倒装忍片型半导体器件。在此类倒装忍片连接中，将半导体 忍片W该半导体忍片的电路面与基板的电极形成面相对的形式固定至基板。在此类半导体 器件等中，可能存在半导体忍片的背面用保护膜保护W防止半导体忍片损坏等的情况（参 见，专利文献1至10)。
[0004]专利文献 1 :JP-A-2008-166451 阳005]专利文献2 :JP-A-2008-006386
[0006]专利文献 3 :JP-A-2007-261035
[0007]专利文献 4 :JP-A-2007-250970
[0008]专利文献 5 :JP-A-2007-158026
[0009]专利文献 6 :JP-A-2004-221169
[0010]专利文献 7 :JP-A-2004-214288
[0011]专利文献 8 :JP-A-2004-142430
[0012]专利文献 9 :JP-A-2004-072108
[0013]专利文献10 :JP-A-2004-063551
【发明内容】
[0014] 然而，为了通过保护膜保护半导体忍片背面，需要添加新步骤W将保护膜粘贴至 在切割步骤中获得的半导体忍片的背面。结果，步骤数量增加W及生产成本等增加。因此， 出于减少生产成本的目的，本发明人开发了半导体背面用切割带集成膜。半导体背面用切 割带集成膜具有W下结构：包括具有基材和基材上的压敏粘合剂层的切割带，和形成于切 割带的压敏粘合剂层上的倒装忍片型半导体背面用膜。在生产半导体器件时，半导体背面 用切割带集成膜如下使用。首先，将半导体晶片粘贴至半导体背面用切割带集成膜中的倒 装忍片型半导体背面用膜上。接下来，切割半导体晶片W形成半导体元件。随后，半导体元 件从切割带的压敏粘合剂层剥离并与倒装忍片型半导体背面用膜一起拾取，然后将半导体 元件倒装忍片连接至被粘物如基板上。因此，获得倒装忍片型半导体器件。然而，在上述半 导体背面用切割带集成膜中，在压敏粘合剂层与倒装忍片型半导体背面用膜的紧密粘合性 高的情况下，半导体元件的拾取在一些情况下变得困难。
[0015] 关于半导体元件的拾取性，本发明人进一步开发了包括通过用放射线照射而预先 固化的压敏粘合剂层的半导体背面用切割带集成膜。由于在拾取半导体元件时，在不用放 射线照射的情况下，该半导体背面用切割带集成膜显示在压敏粘合剂层和倒装忍片型半导 体背面用膜之间的良好的剥离性，因此拾取性得W改进。此外，由于用放射线照射的步骤不 是必需的，所W生产半导体器件的生产步骤的数量可减少且也可降低生产成本。
[0016] 然而，在上述此类半导体背面用切割带集成膜中，由于压敏粘合剂层已预先射线 固化，压敏粘合剂层和倒装忍片型半导体背面用膜之间的紧密粘合性低。因此，例如，存在 在切割半导体晶片时发生忍片飞散和半导体元件的碎裂的问题。另外，还存在切割时使用 的切割水渗入压敏粘合剂层和倒装忍片型半导体背面用膜之间的问题。
[0017] 考虑到前述问题进行本发明，其目的在于提供半导体背面用切割带集成膜和生产 半导体器件的方法，所述半导体背面用切割带集成膜能够防止在切割半导体晶片时忍片飞 散和半导体元件碎裂的发生和切割时使用的切割水渗入压敏粘合剂层和倒装忍片型半导 体背面用膜之间同时维持在拾取半导体元件时良好的剥离性。
[0018] 为了解决前述问题，本发明人已进行了广泛和深入的研究。结果，已发现前述问题 可通过采用W下构造解决，由此导致完成本发明。
[0019]目P，本发明提供半导体背面用切割带集成膜，其包括倒装忍片型半导体背面用膜 和切割带，所述倒装忍片型半导体背面用膜用于保护倒装忍片连接至被粘物上的半导体元 件的背面，
[0020] 所述切割带包括基材和设置于基材上的压敏粘合剂层，
[0021] 所述倒装忍片型半导体背面用膜形成于压敏粘合剂层上，
[0022] 其中，压敏粘合剂层为放射线固化型压敏粘合剂层，其对于倒装忍片型半导体背 面用膜的压敏粘合力通过用放射线照射而降低。
[0023] 根据前述构造，由于压敏粘合剂层和倒装忍片型半导体背面用膜之间的紧密粘合 性良好，因此例如可防止在切割半导体晶片时忍片飞散和半导体元件碎裂的发生。此处， 在切割时，例如，半导体晶片通过高速旋转切割刀等切断，并且切割通常利用将切割水喷射 至切割部分W冷却和防止切屑（cutswarf)的飞散来进行。根据本发明，由于压敏粘合剂 层和倒装忍片型半导体背面用膜之间的紧密粘合性良好，因此可W防止切割水渗入两者之 间。另外，例如，在前述构造中，由于放射线固化型压敏粘合剂层用作压敏粘合剂层，对于倒 装忍片型半导体背面用膜的压敏粘合力的降低可通过在拾取半导体元件之前即刻用放射 线照射压敏粘合剂层来实现。因此，在半导体元件与倒装忍片型半导体背面用膜一起拾取 时，拾取可良好地进行而不产生残胶。此外，半导体元件背面是指与电路形成面（电路面） 相对的面（非电路面）。
[0024] 倒装忍片型半导体背面用膜优选包含着色剂。由于该构造，倒装忍片型半导体背 面用膜可具有显示优良的激光标识性和优良的外观性的功能。结果，例如，可通过利用任何 各种标识方法如印刷法和激光标识法通过倒装忍片型半导体背面用膜进行标识，W将各种 信息如文字信息和图形信息赋予至半导体元件或使用半导体元件的半导体器件的非电路 侧上的面。此外，倒装忍片型半导体背面用膜和切割带可容易地彼此区分，因而可提高加工 性等。
[00巧]另外，本发明还提供使用上述半导体背面用切割带集成膜生产半导体器件的方 法，所述方法包括：
[00%] 将半导体晶片粘贴至所述半导体背面用切割带集成膜中的倒装忍片型半导体背 面用膜上，
[0027] 切割所述半导体晶片W形成半导体元件，
[0028] 从所述基材侧用放射线照射所述半导体背面用切割带集成膜中的压敏粘合剂层，
[0029] 将所述半导体元件与所述倒装忍片型背面用膜一起从所述切割带的压敏粘合剂 层剥罔，和
[0030] 将所述半导体元件倒装忍片连接至被粘物上。
[0031] 根据该方法，将半导体晶片粘贴至半导体背面用切割带集成膜中的倒装忍片型半 导体背面用膜上，半导体晶片W保护半导体晶片背面的状态切割。在此情况下，由于压敏粘 合剂层不通过用放射线照射等预先固化，与倒装忍片型半导体背面用膜的紧密粘合性处于 良好状态。因此，可防止忍片飞散和半导体元件碎裂的发生。此外，在切割时，喷射切割水 W冷却和防止切屑飞散。根据前述方法，由于压敏粘合剂层和倒装忍片型半导体背面用膜 之间的紧密粘合性良好，在防止切割水渗入两者之间的同时可进行切割。
[0032] 另外，在上述方法中，对于倒装忍片型半导体背面用膜的压敏粘合力通过从基材 侧用放射线照射压敏粘合剂层而降低。因此，可将半导体元件与倒装忍片型半导体背面用 膜一起容易地从切割带的压敏粘合剂层拾取而不产生残胶。目P，根据该生产方法，在切割步 骤中防止忍片飞散和半导体元件的碎裂W及切割水渗入压敏粘合剂层和倒装忍片型半导 体背面用膜之间，还可W在拾取步骤中良好地拾取半导体元件。
[0033] 此外，本发明还提供倒装忍片型半导体器件，其通过如上所述的生产半导体器件 的方法制造，
[0034] 根据本发明，在包括含有基材和基材上的放射线固化型压敏粘合剂层的切割带 W及形成于压敏粘合剂层上的倒装忍片型半导体背面用膜的半导体背面用切割带集成膜 中，由于采用其对于倒装忍片型半导体背面用膜的压敏粘合力可通过用放射线照射而降低 的放射线固化型压敏粘合剂层作为压敏粘合剂层，所W半导体元件的拾取可通过在拾取前 (特别地，在拾取时）用放射线照射压敏粘合剂层良好地进行，此外，由于压敏粘合剂层和 倒装忍片型半导体背面用膜之间的紧密粘合性在压敏粘合剂层不用放射线照射的状态下 是良好的，因此在切割半导体晶片时可防止忍片飞散和半导体元件碎裂的发生。另外，在切 割时，喷射切割水W冷却和防止切屑飞散，但也可防止切割水渗入压敏粘合剂层和倒装忍 片型半导体背面用膜之间。目P，根据本发明的构造，可W提供W下半导体背面用切割带集成 膜：其在拾取时能够显示良好的剥离性同时防止在切割时的忍片飞散和半导体元件的碎裂 W及切割水渗入压敏粘合剂层和倒装忍片型半导体背面用膜之间。
【附图说明】
[0035] 图1为示出本发明的半导体背面用切割带集成膜的一个实施方案的截面示意图。
[0036] 图2为示出本发明的半导体背面用切割带集成膜的另一个实施方案的截面示意 图。
[0037]图3A-3E为示出使用本发明的半导体背面用切割带集成膜生产半导体器件的方 法的一个实施方案的截面示意图。
[0038] 附图梳巧说巧
[0039] 1，11半导体背面用切割带集成膜
[0040] 2, 12半导体背面用膜
[0041] 3 切割带
[00创 4 半导体晶片
[0043] 5 半导体忍片
[0044] 6 被粘物
[0045] 12a半导体晶片粘合部分
[0046] 12b除了半导体晶片粘合部分之外的部分
[0047]31 基材
[0048]32 压敏粘合剂层
[0049] 32a对应于半导体晶片粘合部分的部分
[0050]3化除了对应于半导体晶片粘合部分的部分之外的部分
[0051] 51 在半导体忍片5的电路面侧形成的凸块度ump) 阳052] 61 粘合至被粘物6的连接垫（connectingpad)的连结用导电性材料
【具体实施方式】
[0053] 参考图1和2描述本发明的实施方案，但本发明不限于运些实施方案。图1为示 出根据本实施方案的半导体背面用切割带集成膜的一个实施方案的截面示意图。图2为示 出根据本实施方案的半导体背面用切割带集成膜的另一个实施方案的截面示意图。此外， 在本说明书的附图中，未给出对于描述不必要的部分，并且有通过放大、缩小等示出的部分 W使描述容易。
[0054](半导体背面用切割带集成膜）
[0055] 如图1所示，半导体背面用切割带集成膜1 (下文中有时也称作"切割带集成的半 导体背面保护膜"、"具有切割带的半导体背面用膜"或"具有切割带的半导体背面保护 膜"）具有包括W下的构造：包括在基材31上形成的压敏粘合剂层32的切割带3和形成于 压敏粘合剂层32上的倒装忍片型半导体背面用膜2 (下文中有时称作"半导体背面用膜" 或"半导体背面保护膜"）。半导体背面用膜2仅形成于对应于半导体晶片粘贴部分的部分 32a上。此外，本发明可为具有包括设置于压敏粘合剂层32整个表面上的半导体背面用膜 12的构造的半导体背面用切割带集成膜11。此外，半导体背面用膜2的表面（要粘贴至晶 片背面的表面）可用隔离膜等保护直至该膜粘贴至晶片背面。
[0056](倒装忍片型半导体背面用膜）
[0057] 半导体背面用膜2(或12)具有膜形状。半导体背面用膜2(或12)在半导体背面 用切割带集成膜作为产物的实施方案中通常处于未固化状态（包括半固化状态），且可在 半导体背面用切割带集成膜粘贴至半导体晶片之后热固化（稍后描述细节）。
[0058] 半导体背面用膜2(或12)可由树脂组合物形成，且优选由包含热固性树脂组分和 热塑性树脂组分的树脂组合物形成。此外，半导体背面用膜2(或12)可由不使用热固性树 脂组分的热塑性树脂组合物构成或者可由不使用热塑性树脂组分的热固性树脂组合物构 成。
[0059] 热塑性树脂组分的实例包括天然橡胶、下基橡胶、异戊二締橡胶、氯下橡胶、乙 締-乙酸乙締醋共聚物、乙締-丙締酸共聚物、乙締-丙締酸醋共聚物、聚下二締树脂、聚碳 酸醋树脂、热塑性聚酷亚胺树脂、聚酷胺树脂如6-尼龙和6, 6-尼龙、苯氧基树脂、丙締酸类 树脂、饱和聚醋树脂如PET(聚对苯二甲酸乙二醋）或PBT(聚对苯二甲酸下二醇醋）、聚酷 胺酷亚胺树脂或氣树脂。热塑性树脂可W单独使用或W其两种W上的组合使用。在运些热 塑性树脂中，尤其优选包含少量离子性杂质、具有高耐热性和能够确保半导体元件可靠性 的丙締酸类树脂。
[0060] 丙締酸类树脂没有特别限定，其实例包括含有一种或两种W上具有含有30个W 下碳原子、优选4-18个碳原子、更优选6-10个碳原子和特别是8或9个碳原子的直链或支 链烷基的丙締酸或甲基丙締酸的醋作为组分的聚合物。目P，在本发明中，丙締酸类树脂具有 还包括甲基丙締酸类树脂的宽泛含义。所述烷基的实例包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正下 基、叔下基、异下基、戊基、异戊基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸 基、异癸基、十一烷基、十二烷基（月桂基）、十=烷基、十四烷基、硬脂基和十八烷基。
[0061] 此外，形成丙締酸类树脂的其它单体（除烷基为具有30个W下碳原子的烷基的 丙締酸或甲基丙締酸的烷基醋W外的单体）没有特别限定，其实例包括含簇基单体如丙締 酸、甲基丙締酸、丙締酸簇乙醋、丙締酸簇戊醋、衣康酸、马来酸、富马酸和己豆酸；酸酢单体 如马来酸酢和衣康酸酢；含径基单体如（甲基）丙締酸2-径乙醋、（甲基）丙締酸2-径丙 醋、（甲基）丙締酸4-径下醋、（甲基）丙締酸6-径己醋、（甲基）丙締酸8-径辛醋、（甲 基）丙締酸10-径癸醋、（甲基）丙締酸12-径月桂醋和（4-径甲基环己基）-甲基丙締酸 醋；含横酸基单体如苯乙締横酸、締丙基横酸、2-(甲基）丙締酷氨基-2-甲基丙横酸、（甲 基）丙締酷氨基丙横酸、（甲基）丙締酸横丙醋和（甲基）丙締酷氧基糞横酸；和含憐酸基 团单体如2-径乙基丙締酷憐酸醋（2-hy化oet的Iac巧1〇如phosphate)。在运点上，（甲 基）丙締酸是指丙締酸和/或甲基丙締酸，（甲基）丙締酸醋是指丙締酸醋和/或甲基丙締 酸醋，（甲基）丙締酷基是指丙締酷基和/或甲基丙締酷基，等等，运应用于整个说明书中。
[0062] 此外，除了环氧树脂和酪醒树脂之外，热固性树脂组分的实例还包括，氨基树脂、 不饱和聚醋树脂、聚氨醋树脂、娃酬树脂和热固性聚酷亚胺树脂。热固性树脂组分可W单独 使用或W其两种W上的组合使用。作为热固性树脂组分