底200从具有第二温度的退火腔室内取出之前，还包括步骤:向所述退火腔室内通入气体，使所述退火腔室内的压强与退火腔室外环境压强相等。其目的在于:由于在进行降温处理206后，退火腔室内几乎处于真空状态，退火处理腔室将很难打开，向退火腔室内通入气体后，增加退火腔室内的压强，以便能够打开退火腔室将形成有金属层204的基底200取出。
[0084]在将形成有金属层204的基底200取出时，所述金属层204以及基底200的温度为第二温度，即所述金属层204以及基底200的温度为20摄氏度至80摄氏度左右，而退火腔室外环境温度为室温，所述第二温度与室温之间的温度差异较小，避免金属层204以及基底200的所处的环境温度发生突变，从而减小金属层204以及基底200的翘曲度，提高形成的半导体结构的性能。
[0085]请参考图8至图10，图8示出了本实施例中退火处理以及降温处理过程中，退火腔室内温度、压强与时间的关系不意图，图9为图8中000区域的局部放大不意图，图10为图8中001区域的局部放大示意图，其中，第一纵坐标示出了退火腔室内温度的变化，单位为摄氏度(°C )，第二纵坐标示出了退火腔室内压强的变化，单位为托(T)，横坐标示出了退火腔室经历的时间变化，点划线10示出了退火腔室内温度随时间变化的关系，实线20示出了退火腔室内压强随时间变化的关系。
[0086]退火处理的时长为tl，在tl时间段内退火腔室内温度保持为第一温度，在tl时间段内退火腔室内压强随时间变化示意图请参考图9，即tl时间段内退火腔室内压强变化为:上升至第三压强P3，第三压强P3保持预定时长后，下降至第四压强P4 ;重复上升至第三压强P3以及下降至第四压强P4的过程。
[0087]降温处理的时长为t2，在t2时间段内退火腔室内温度缓慢下降，直至下降至第二温度，在t2时间段内退火腔室内压强随时间变化示意图请参考图10，即t2时间段内退火腔室内压强变化为:上升至第一压强P1，第一压强P1保持预设时长后，下降至第二压强P2 ；重复上升至第一压强P1以及下降至第二压强P2的过程。
[0088]在降温处理后，金属层204 (请参考图7)以及基底200 (请参考图7)从退火腔室内取出，退火腔室内压强与退火腔室外环境压强相同，约为760托。
[0089]虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
【主权项】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括 提供基底； 在所述基底表面形成金属层； 提供退火腔室，将所述金属层置于退火腔室内进行退火处理，且在退火处理过程中，退火腔室内的温度为第一温度； 在进行所述退火处理后，对所述放置有金属层的退火腔室进行降温处理，使所述退火腔室内的温度由第一温度递减至第二温度； 将所述形成有金属层的基底从具有第二温度的退火腔室内取出。2.如权利要求1所述半导体结构的制作方法，其特征在于，所述退火腔室内具有加热源。3.如权利要求2所述半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述退火处理过程中加热源处于开启状态，在所述降温处理过程中加热源处于关闭状态。4.如权利要求1所述半导体结构的制作方法，其特征在于，对所述放置有金属层的退火腔室进行降温处理的方法包括:第一次向所述退火腔室内通入气体，使退火腔室内具有第一压强，且退火腔室内的第一压强保持预设时长；在第一次向退火腔室内通入气体后，第一次从所述退火腔室内抽出气体，使退火腔室内具有第二压强。5.如权利要求4所述半导体结构的制作方法，其特征在于，重复若干次向所述退火腔室通入气体，使退火腔室内具有第一压强，退火腔室内的第一压强保持预设时长，且每一次向退火腔室内通入气体后，从所述退火腔室内抽出气体使退火腔室内具有第二压强，直至退火腔室内具有第二温度。6.如权利要求4或5所述半导体结构的制作方法，其特征在于，所述气体为N2、Ar、He或Ne。7.如权利要求4或5所述半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一压强为20托至40托，所述第二压强为5E-5托至7E-5托，所述预设时长为5秒至20秒。8.如权利要求5所述半导体结构的制作方法，所述向退火腔室内通入气体的次数为50至150次。9.如权利要求1所述半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一温度为160摄氏度至200摄氏度。10.如权利要求1所述半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第二温度为50摄氏度至80摄氏度。11.如权利要求1所述半导体结构的制作方法，其特征在于，所述退火处理的方法包括:所述退火腔室内具有第一温度，第一次向所述退火腔室内通入气体，使退火腔室内具有第三压强，且退火腔室内的第三压强保持预定时长；第一次从所述退火腔室内抽出气体，使退火腔室内具有第四压强。12.如权利要求11所述半导体结构的制作方法，其特征在于，重复若干次向所述退火腔室通入气体，使退火腔室内具有第三压强，退火腔室内的第三压强保持预定时长；且每一次向退火腔室内通入气体后，从所述退火腔室内抽出气体，使退火腔室内具有第四压强。13.如权利要求11或12所述半导体结构的制作方法，其特征在于，所述气体为N2、Ar、He 或 Ne。14.如权利要求11或12所述半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第三压强为20托至40托，所述第四压强为5E-5托至7E-5托。15.如权利要求12所述半导体结构的制作方法，其特征在于，所述预设时长为5秒至20秒。16.如权利要求12所述半导体结构的制作方法，其特征在于，所述向退火腔室内通入气体的次数为5至15次。17.如权利要求1所述半导体结构的制作方法，其特征在于，将所述形成有金属层的基底从具有第二温度的退火腔室内取出之前，还包括步骤:向所述退火腔室内通入气体，使所述退火腔室内的压强与退火腔室外环境压强相等。18.如权利要求1所述半导体结构的制作方法，其特征在于，所述退火处理适于提高金属层表面的平坦度。19.如权利要求1所述半导体结构的制作方法，其特征在于，所述金属层为单层结构或叠层结构。20.如权利要求19所述半导体结构的制作方法，其特征在于，所述金属层的材料为TiN、TaN、T1、Ta、Al、Cu、Pt、Ag 或 W。
【专利摘要】一种半导体结构的制作方法，包括：提供基底；在所述基底表面形成金属层；提供退火腔室，将所述金属层置于退火腔室内进行退火处理，且在退火处理过程中退火腔室内的温度为第一温度；在进行所述退火处理后，对所述放置有金属层的退火腔室进行降温处理，使所述退火腔室内的温度由第一温度递减至第二温度；将所述形成有金属层的基底从具有第二温度的退火腔室内取出。本发明减小金属层以及基底从退火处理腔室内取出时具有的温度差，防止温度突变造成金属层以及基底发生翘曲，提高半导体结构的生产良率。
【IPC分类】H01L21/02
【公开号】CN105448654
【申请号】CN201410443004
【发明人】陈怡骏, 游宽结, 侯元琨
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2014年9月2日