发光二极管芯片封装结构及其制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种半导体的封装结构及其制造方法，特别涉及一种发光二极管芯片 封装结构及其制造方法。
【背景技术】
[0002] 发光二极管封装结构有多种封装方式，例如板上芯片（C0B)封装是将发光二极管 芯片贴装在印刷线路板上，芯片与印刷线路板的电气连接通过打线连接的方法实现，并进 一步用树脂覆盖芯片和导线以确保可靠性。现有的C0B封装体因为是在平板上注胶，大部 分需要先于平板上设置一环绕芯片的围堰结构，再把胶体注入围堰结构内。该围堰结构用 于将胶体局限住，避免胶体溢流。但是，由于围堰结构的存在，限制了该封装体封装层的高 度，从而影响封装体的光学效率。
【发明内容】
[0003] 有鉴于此，有必要提供一种无围堰结构的发光二极管芯片封装结构及其制造方 法。
[0004] 一种发光二极管芯片封装结构，包括一基板，设于基板上的若干LED芯片，以及罩 设所述LED芯片的封装层，其中，所述LED芯片通过导线与所述基板电性连接；所述封装层 包括至少两层的封装材料，依次为第一封装层、第二封装层，第一封装层平铺于基板上并完 全覆盖LED芯片及导线，第二封装层覆盖在第一封装层上，形成第二封装层所用的胶体的 流动性小于形成第一封装层所用的胶体的流动性。
[0005] -种板上芯片体的制作方法，该方法包括以下步骤： 固晶：提供一基板和若干LED芯片，将所述LED芯片固定于该基板一侧； 打线：提供若干导线，利用该导线将所述LED芯片电性连接于该基板； 一次点胶：提供第一胶体，利用点胶方式将该第一胶体注于所述基板设有LED芯片的 一侧； 烘烤：烘烤所述胶体至半干，形成第一封装层； 二次点胶：提供第二胶体，在所述第一封装层上注入该第二胶体，第二胶体的流动性 小于第一胶体的流动性； 固化：烘烤所述胶体，使得二次点胶中的胶体形成第二封装层，同时使第一封装层和第 二封装层完全固化。
[0006] 相比于现有技术，本发明的发光二极管芯片封装结构没有采用通用的围堰体来限 制封装胶体的溢流，而是采用胶体在胶体平面上的流动性较差与胶体本身的内聚力来成型 封装体的封装层。利用此方式得到的封装体因无围堰体的限制，可以得到高度比较高的封 装体，从而使封装体具有比较好的光学效率。
【附图说明】
[0007] 图1为本发明实施例中的所述发光二极管芯片封装结构的剖面图。
[0008] 图2为图1中所述发光二极管芯片封装结构的制作流程图。
[0009] 图3为图2中所述发光二极管芯片封装结构在打线后的俯视图。
[0010] 图4为图2中所述发光二极管芯片封装结构在一次点胶时的俯视图。
[0011] 图5为图2中所述发光二极管芯片封装结构在二次点胶时的俯视图。
[0012] 主要元件符号说明
如下【具体实施方式】将结合上述附图进一步说明本发明。
【具体实施方式】
[0013] 请参见图1，本发明的发光二极管芯片封装结构100包括一基板10,设于基板10 上的若干LED芯片20,以及至少两层的封装层。在本实施例中，所述封装层包括两层，自基 板10向上依次为第一封装层30、第二封装层40。其中第一封装层30覆盖所述LED芯片 20,第二封装层40置于第一封装层30之上。
[0014] 所述基板10为具有传导线路的电路板，可以为陶瓷基板、金属基板或PLCC等。所 述基板10为一平面板体，包括一底面11和与所述底面11背向平行设置的一承载面12。所述承载面12上设有若干固晶区13,和若干与所述固晶区13数量相等的第一电极14,以及 第二电极15。所述第一电极14和第二电极15分别 对应的设于所述固晶区13的两侧。
[0015] 所述LED芯片20包括一P型电极21和一N型电极22。所述LED芯片20--对 应的固定于所述基板的固晶区13。所述LED芯片20的P型电极21与所述基板10的第一 电极14通过导线51电性连接，N型电极22与第二电极15通过导线52电性连接。在本实 施例中，导线51、52均为金线。
[0016] 所述第一封装层30设于所述基板10的承载面12上，且完全覆盖所述LED芯片20 和导线51、52。所述第一封装层30是在所述基板10的承载面12上平铺形成，包括与所述 基板10相贴合的一贴合面31和一用于承载所述第二封装层40的一支撑面32。在本实施 例中，所述支撑面32为水平面。可以理解的，在其它实施例中，所述支撑面32还可以是朝 向基板10的方向凹陷的凹曲面。
[0017] 所述第二封装层40设于所述第一封装层30的支撑面32上，且位于所述LED芯片 20和导线51、52的上方。所述第二封装层40是在所述第一封装层30的支撑面32上成型 的一半球形封装层，包括与所述第一封装层30的支撑面32粘合的一粘合面41和自所述粘 合面41背向所述基本10凸起的一弧形成型面42。形成第二封装层40与第一封装层30的 胶体具有如下特性，即形成第二封装层40所用的胶体的流动性小于形成第一封装层30所 用的胶体的流动性。
[0018] 相比于现有技术，本发明的发光二极管芯片封装结构100没有利用围堰结构来限 制胶体的溢流。如此，因为没有围堰结构的高度限制，本发明的发光二极管芯片封装结构 100的第一封装层30和第二封装层40的高度可以按需求通过控制形成两者的胶体的流动 性差异大小和胶体数量来灵活设置，例如可以达到〇.5mm以上，得到高度比较高，并具有所 需形状的封装层。因为封装层的高度较高，所以使发光二极管芯片封装结构100的混光距 离较大，从而可以得到较好的光学取出效率。
[0019] 本发明还提供了一种上述发光二极管芯片封装结构100的制作方法。
[0020] 图2为本发明的上述发光二极管芯片封装结构100的制作流程图。
[0021] 请参见图2,本发明的上述发光二极管芯片封装结构100的制作方法包括以下步 骤： S1固晶：提供一基板和若干LED芯片，将所述LED芯片固定于该基板一侧； S2打线：提供若干导线，利用该导线将所述LED芯片电性连接于该基板； S3 -次点胶：提供第一胶体，利用点胶的方式将该第一胶体注于所述基板设有LED芯 片的一侧； S4烘烤：烘烤所述第一胶体至半干，形成第一封装层； S5二次点胶：提供第二胶体，在所述第一封装层上注入该第二胶体，该第二胶体的流 动性小于第一胶体的流动性； S6固化：烘烤所述第二胶体，使得二次点胶中的第二胶体形成第二封装层，同时使第 一封装层和第二封装层完全固化。
[0022] 请参见图3,提供一基板10,在该基板10的承载面12上设有若干固晶区13和第 一电极14,以及第二电极15。提供若干LED芯片20,在本实施例中，采用通用的固晶方式固 晶，即将LED芯片20放在已刮好银浆层的背胶机面上背上银浆，采用点胶机将适量的银浆 点在基板10的固晶区13上，将LED芯片20用刺晶笔刺在基板10的固晶区13上，将刺好 晶的基板10放入热循环烘箱中恒温静置一段时间，待银浆固化后取出。
[0023] 提供若干导线，本实施例中为所述导线50为金线，采用焊线机将LED芯片20与基 板10进行电性连接，即，利用导线51将所述LED芯片20的P型电极21与所述基板10的 第一电极14电性连接，利用导线52将N型电极22与第二电极15电性连接。
[0024] 请参见图4,提供