阱电阻结构及其制造方法及绝缘体上硅器件的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体器件，特别是涉及一种阱电阻结构，一种阱电阻结构的制造方法，还涉及一种包括阱电阻结构的绝缘体上硅器件。
【背景技术】
[0002]在模拟电路设计中，电阻的误差一般分为绝对误差和匹配误差。一般情况下器件的绝对误差会远远大于器件的匹配误差。因为电阻的绝对误差比较大，一般电阻都是应用在对绝对误差要求很低的电路中，电路设计时一般考虑的是电阻的匹配精度。对于匹配精度，一般情况下，多晶电阻要优于阱电阻。这是因为阱的横向扩散比较大，所以相同器件面积下难以得到比较精确的电阻。故电路设计时通常选用多晶电阻。
【发明内容】
[0003]基于此，有必要提供一种能够得到较准确的电阻值的阱电阻结构。
[0004]一种阱电阻结构，包括绝缘层和绝缘层上的有源区，所述有源区包括阱区，所述有源区还包括向下延伸至所述绝缘层的沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构在横向上将所述阱区包围、在竖向上使所述阱区被分隔开；所述阱电阻结构还包括设于阱区上并与阱区接触的金属触点。
[0005]在其中一个实施例中，所述阱区因被沟槽隔离结构分隔开使得横截面呈直长条状或蛇行结构。
[0006]在其中一个实施例中，每条阱电阻的两端各设有一组所述金属触点，每组金属触点的数量为两个以上。
[0007]在其中一个实施例中，所述绝缘层为埋氧层。
[0008]还有必要提供一种绝缘体上硅器件。
[0009]一种绝缘体上硅器件，包括前述的阱电阻结构，所述绝缘层为埋氧层。
[0010]还有必要提供一种阱电阻结构的制造方法，包括下列步骤:提供形成有绝缘层和绝缘层上的硅层的基片；用有源区光刻版在所述硅层上光刻定义出有源区；用阱注入光刻版光刻并通过离子注入在所述有源区内形成阱区；用深槽隔离光刻版光刻并刻蚀，在所述有源区内刻蚀出向下延伸至所述绝缘层的沟槽；向所述沟槽内填充绝缘材料，形成沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构在横向上将所述阱区包围、在竖向上使所述阱区被分隔开；在所述阱区上形成与阱区接触的金属触点。
[0011]在其中一个实施例中，所述阱区因被沟槽隔离结构分隔开使得横截面呈直长条状或蛇行结构。
[0012]在其中一个实施例中，所述基片为绝缘体上硅结构的基片。
[0013]还有必要提供另一种阱电阻结构的制造方法，包括下列步骤:提供形成有绝缘层和绝缘层上的硅层的基片；用有源区光刻版在所述硅层上光刻定义出有源区；用深槽隔离光刻版光刻并刻蚀，在所述有源区内刻蚀出向下延伸至所述绝缘层的沟槽；向所述沟槽内填充绝缘材料，形成沟槽隔离结构；用阱注入光刻版光刻并通过离子注入在所述有源区内形成阱区，所述阱区在横向上将所述阱区包围、在竖向上被所述沟槽隔离结构分隔开；在所述阱区上形成与阱区接触的金属触点。
[0014]在其中一个实施例中，所述阱区因被沟槽隔离结构分隔开使得横截面呈直长条状或蛇行结构。
[0015]上述阱电阻结构，通过在有源区区域内形成沟槽隔离结构，使得阱区在横向上被沟槽隔离结构所阻挡，不会形成多数载流子的横向扩散，因此可以得到电阻值较准确的阱电阻。
【附图说明】
[0016]通过附图中所示的本发明的优选实施例的更具体说明，本发明的上述及其它目的、特征和优势将变得更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分，且并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。
[0017]图1是一实施例中阱电阻结构的俯视图；
[0018]图2是另一实施例中阱电阻结构的俯视图；
[0019]图3是图2所示阱电阻结构沿A-A线的剖视图；
[0020]图4是一实施例中阱电阻结构的制造方法的流程图；
[0021]图5是另一实施例中阱电阻结构的制造方法的流程图。
【具体实施方式】
[0022]为使本发明的目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的【具体实施方式】做详细的说明。
[0023]图1是一实施例中阱电阻结构的俯视图。包括绝缘层(图1未示)和绝缘层上的有源区10。有源区10包括阱区14和向下延伸至绝缘层的沟槽隔离结构12。沟槽隔离结构12在横向上将阱区14包围、在竖向上使阱区14被分隔开。也就是说，沟槽隔离结构12的深度至少要与阱区14 一样，从而使得阱区14在设置有沟槽隔离结构12的位置无法越过沟槽隔离结构12向横向延伸。阱区14的横截面呈长条状，该长条状可以是如图1所示的竖直、无弯曲、无弯折的直长条，也可以是像九节鞭那样呈弯折结构的长条。阱电阻结构还包括设于阱区14上并与阱区14接触的金属触点16，金属触点16设置于每一条电阻的两端。
[0024]上述阱电阻结构，通过在有源区区域内形成沟槽隔离结构12，使得阱区14在横向上被沟槽隔离结构12所阻挡，不会形成多数载流子的横向扩散，因此可以得到电阻值较准确的阱电阻。
[0025]上述阱电阻结构可以应用于绝缘体上硅(SOI)工艺的器件中，绝缘层为埋氧层。可以理解的，器件的有源区内可以设置多条电阻，而不限于图1所示的一条。
[0026]图2是另一实施例中阱电阻结构的俯视图，图3是图2沿A-A方向的剖视图。阱电阻结构包括绝缘层30和绝缘层30上被场氧结构定义出的有源区20 (图2未示出图3中有源区20两侧的场氧结构)。有源区20包括阱区24和向下延伸至绝缘层30的沟槽隔离结构22。在本实施例中，通过合理设计沟槽隔离结构22的形状和位置，使其将阱区24分隔，形成横截面呈蛇行的阱区结构。根据公知常识，方块结构的电阻的电阻值计算公式为:R = ( P /h) * (L/ff)
[0027]其中p为电阻率，h为方块结构的深度，L为方块结构的长度，W为方块结构的宽度。图2所示的蛇行结构的阱电阻，在有限的器件面积内可以得到很长的L和很窄的W，因此可以得到高阻值的电阻，完全满足高阻的应用。
[0028]在图2、图3所示实施例中，一条阱电阻的两端各设有一组金属触点26，每组金属触点26的数量为两个以上(本实施例中为4个)。增