循环冷却加热装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及循环冷却加热装置，特别是涉及用于等离子体蚀刻装置的循环冷却加热装置。
【背景技术】
[0002]目前，在等离子体蚀刻装置等半导体处理装置中设置有控制腔室的温度的温度控制装置。在具体的温度控制装置中，用流量计测量调节温度的循环流体的栗排出流量，基于测量结果进行反馈控制等，由此，将该栗排出流量控制为目标流量，将腔室维持在目标温度。因此，在温度控制装置中设置有冷却或加热循环流体、或者通过栗使被调温的循环流体在与腔室之间循环、或者测量循环流体的流量的循环冷却加热装置。
[0003]另一方面，作为循环流体的温度，迄今为止设为90°C左右，但近年来希望以更高温进行温度调整。因此，在具有叶片等旋转部分的普通的流量计中，因来自高温的循环流体的热影响，有可能使机械可靠性显著降低。因此，使用对应高温度型的流量计，但这种流量计采用用于抑制热影响的复杂构造及特殊的材料，变为价格高的规格。
[0004]然而，公知的是，向腔室供给的循环流体的流量、和在循环流体流动的流路的流体压力相互处于相关关系(例如，专利文献1)。因此，考虑到，代替流量计，通过使用构造简单且难以受到热影响的压力传感器，基于检测到的循环流体的压力，将循环流体的压力维持在目标压力或基于根据该压力换算的流量，将循环流体的流量控制为目标流量。由此，不需要价格高的流量计，能实现循环冷却加热装置的零件成本降低。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1:(日本)特开2006 — 210732号公报
[0008]发明所要解决的课题
[0009]但是，虽说压力传感器是不易受到热影响的构造，进而，即使在使用高温的循环流体的情况等下，也有可能不能充分对应。这种情况下，为了确保压力传感器的可靠性，有可能要求特殊的构造，但不是对应高温型的流量计那种程度，会产生循环冷却加热装置的零件成本增大这样的问题。
【发明内容】
[0010]本发明的目的在于，提供即使是使用廉价的压力传感器的情况下，也可以确保可靠性的循环冷却加热装置。
[0011 ]用于解决课题的技术方案
[0012]本发明的循环冷却加热装置是将对等离子体蚀刻装置的腔室供给的循环流体冷却、加热的装置，其特征在于，具备:在循环流体与冷却水之间进行热交换的热交换器、加热循环流体的加热单元、在与所述腔室之间使循环流体循环的栗、使冷却水流通的冷却水流通块、检测被冷却或加热的循环流体的压力的压力检测单元，所述压力检测单元安装于所述冷却水流通块。
[0013]本发明的循环冷却加热装置中，优选所述压力检测单元和取出循环流体的压力的压力取出部之间分开，并且通过规定长度的压力取出管连接，所述压力取出管在位于重力作用方向的上侧的所述压力取出部、和位于重力作用方向的下侧的所述压力检测单元之间倾斜设置，所述压力取出管的倾斜角度相对于水平面为10?30°。
[0014]本发明的循环冷却加热装置中，优选具备使冷却空气沿着规定的方向流通的冷却风扇，所述压力检测单元配置于所述冷却空气的流动方向的上游侧。
[0015]本发明的循环冷却加热装置中，基于由压力检测单元检测的检测结果，将来自被温度调节的循环流体的栗的排出流量控制为一定，将腔室温度维持在一定。而且，在该循环冷却加热装置中，冷却水在冷却水流通块流通，冷却水流通块的温度因冷却水而维持在低温。因此，安装于这种冷却水流通块的压力检测单元也维持在低温，不易受到在高温下使用的循环流体的热影响，因此，即使是使用廉价的压力检测单元的情况，也能够确保其可靠性。
[0016]本发明的循环冷却加热装置中，由于使取出循环流体的压力的压力取出管倾斜，所以即使在压力取出管内存在空气的情况下，这种空气也能够沿着压力取出管的倾斜向上方侧移动，从压力取出管内排出，因此，能够响应性高地检测出循环流体的压力。另外，在这种压力取出管的内部存在与压力取出管的长度对应的量的循环流体，但内部的循环流体处于滞留状态，不是通常高温的循环流体流通的意思，所以即使较长地设置压力取出管，也不易受到来自循环流体的热影响。
[0017]此外，若压力取出管的倾斜角度比10°小，则倾斜角度形成的压力取出管的斜度减小，所以内部的空气等不能从上方侧充分地排泄掉。相反，若倾斜角度比30°大，则考虑到压力检测单元和压力取出部过于接近，布置排列状的构造变得复杂，维护保养等变得麻烦。
[0018]本发明的循环冷却加热装置中，由于将压力检测单元配置于冷却空气的上游侧，所以处于低温状态的冷却空气通过压力检测单元周围，压力检测单元通过冷却空气更有效地冷却，能进一步抑制热影响。
【附图说明】
[0019]图1是表示采用本发明一实施方式的循环冷却加热装置的等离子体蚀刻装置的立体图；
[0020]图2是表示设置于等离子体蚀刻装置的腔室及温度控制装置的示意图；
[0021 ]图3是表示温度控制装置的整体立体图；
[0022]图4是表示设置于温度控制装置的循环冷却加热装置的概略构成及流体回路的图；
[0023]图5是表示温度控制装置的内部的平面图；
[0024]图6是循环冷却加热装置的正面图，是表示局部去除正面侧的部件的状态的图。
[0025]符号说明
[0026]1:等离子体蚀刻装置、2:腔室、3:循环冷却加热装置、14:热交换器、17:加热单元、20:栗、22:压力检测单元即压力传感器、22A:压力取出部、25:压力取出管、29:冷却水流通块、55:冷却风扇即吸气风扇、56:冷却风扇即排气风扇、α:倾斜角度。
【具体实施方式】
[0027]以下，基于【附图说明】本发明的一实施方式。
[0028]图1是表示本实施方式的等离子体蚀刻装置1的立体图。图2是表示设置于等离子体蚀刻装置1的腔室2及温度控制装置3的示意图。
[0029][等离子体蚀刻装置整体的概略说明]
[0030]图1、图2中，等离子体蚀刻装置1是通过使用了等离子体的干法工艺对半导体晶片W实施蚀刻处理的装置，在内部具备多个腔室2(图2中仅图示一个)。这些腔室2通过从温度控制装置3供给的被调温的循环流体控制为规定的目标温度。本实施方式的温度控制装置3对多个腔室2每一个设置，收纳在设于等离子体蚀刻装置1的侧方的操作员用的台阶4。
[0031]在蚀刻处理时，腔室2内被抽真空，维持在规定的低压。在该状态下向腔室2内导入蚀刻气体(流程气体)。将导入的蚀刻气体等离子体化，对半导体晶片W进行蚀刻处理。在进行这种处理时，腔室2的温度通过来自温度控制装置3的循环流体被控制为目标温度。
[0032]在此，作为本实施方式中的腔室2构成为，具有载置半导体晶片W的下部电极2A和配置于其上方的上部电极2B，并且通过使循环流体在这些电极2A、2B的内部流路流通，由此进行温度控制。在这种腔室2中，使用施加在电极2A、2B间的RF(Rad1 Frequency)电场，生成电容耦合型等离子体。但是，作为腔室的构造，除生成电容耦合型等离子体外，还可以生成电子回旋加速器共振等离子体、螺旋波激励等离子体、电感耦合型等离子体、或微波激励表面波等离子体等。
[0033][温度控制装置的说明]
[0034]图3表示从后方侧观察温度控制装置3整体的内部的立体图。图4表示设置于温度控制装置3的循环冷却加热部5的概略构成及流体回路。图5表示显示温度控制装置3的内部的平面图。另外，图3中，图中的上侧是重力作用方向的上方，下侧是重力作用方向的下方。另外，对于前后左右的方向，如图3、图5中用箭头所示。
[0035]在图3?图5中，温度控制装置3具备:循环冷却加热部5，其作为循环冷却加热装置对循环流体冷却、加热，并且在与腔室2之间使循环流体循环;控制部6，其基于从设置于循环冷却加热部5的作为压力检测单元的压力传感器22(后述)输出的检测信号等，调节循环流体的温度，由此，将腔室2的温度控制为目标温度;框体7，其收纳循环冷却加热部5及控制部6。
[0036]后述温度控制装置3中循环冷却加热部5及控制部6的详细内容，它们在相同的平面上以前后的位置关系配置。因此，在进行循环冷却加热部5及控制部6的