至少部分重叠，以形成电容器。
[0052]在一个实施例中，所述第二导电层还具有与所述第二部分和所述第四部分间隔开的第五部分，所述第五部分用作布线。
[0053]根据本发明的又一实施例，提供一种显示装置，包括前述任一种阵列基板。
[0054]在本发明的实施例中，提供的阵列基板、薄膜晶体管、及它们的制造方法，以及显示装置，通过在薄膜晶体管的栅极之上的边缘处形成挡光部，可以有效防止光(如在薄膜晶体管或阵列基板等器件的制造过程中使用的紫外光)通过在栅极的边缘(如通过在栅极边缘的衍射效应)进入器件的有源区(例如沟道区域)而影响器件的整体性能。
【附图说明】
[0055]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0056]图1示意性示出了根据本发明实施例的阵列基板的部分横截面视图；
[0057]图2示意性示出了根据本发明实施例的薄膜晶体管的部分横截面视图；
[0058]图3示出了根据本发明实施例的阵列基板的制造方法的流程图；
[0059]图4示出了根据本发明实施例的薄膜晶体管的制造方法的流程图。
【具体实施方式】
[0060]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。应当理解，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0061]也应当理解，在附图中示出的各种层和/或区域未按比例绘制。并且在给定图或实施例中为了便于解释，仅明确示出或描述在这种半导体器件中常用类型的一个或多个半导体层和/或区域。特别地，对于处理步骤，要强调的是，此处提供的描述并不意图包含形成功能性半导体器件可能需要的所有处理步骤。更确切地，为了精简描述，此处有目的地未描述形成半导体器件时常用的特定处理步骤，例如湿法清洗和退火步骤。然而，本领域普通技术人员将容易认识到从这些概括性描述省略的那些处理步骤。
[0062]图1示意性示出了根据本发明实施例阵列基板的部分横截面视图。具体地，图1示出了根据本发明实施例提供的阵列基板100，包括:衬底101;形成在衬底101之上的有源层103;形成在有源层103之上的栅极104;形成在栅极104之上的第二绝缘层105，以及形成在第二绝缘层105之上的挡光部106，其中，挡光部106被布置在栅极104的边缘部分之上，以使挡光部106能够遮挡从栅极104的边缘部分进入有源层尤其是沟道区域的光。
[0063]在本发明实施例中，可以使用多晶硅层作为阵列基板中有源器件(如TFT晶体管)的有源层，本领域技术人员可以理解，有源层的材料不限于多晶硅层，也可以是适于作为有源层的任何其他材料。还可以理解，本发明实施例中的有源层可以包括沟道区、以及掺杂有P型或N型掺杂离子的源区和漏区，在本发明的实施例中，该阵列基板还包括通过形成在绝缘层中的过孔分别连接到源区和漏区的源极111和漏极112。
[0064]本领域技术人员应当理解的是，在衬底101和有源层103之间还可以布置有缓冲层102，如图1所示。在有源层103与栅极104之间还可以布置有第一绝缘层(即栅极绝缘层110)，栅极绝缘层110和缓冲层102都可以由氮化硅、氧化硅或者他们的组合形成。此外，衬底101可以是透明或不透明的，可选地，衬底可以为玻璃衬底或塑料衬底。
[0065]在一种实施例中，可以在栅极104每个边缘的上方都设置有挡光部106，而且，为了使得挡光部106具有较好的挡光效果，将挡光部设置在第二绝缘层105上方的能够横跨栅极104的边缘的位置，S卩，使得挡光部106在有源层103上的投影具有与栅极104在有源层103上的投影重叠的部分和不重叠的部分。作为一种可选方式，挡光部106的在有源层103上的投影的宽度不小于4μπι，且不大于20μπι，进一步可选地，挡光部106在有源层103上的投影的与栅极104在有源层103上的投影不重叠的部分的宽度不小于3μπι，通过实验验证，将挡光部的宽度设置在上述数值范围内可以更有效地防止由于栅极边缘的衍射现象而进入有源层尤其是沟道区域中的光。
[0066]在本发明的一个实施例中，阵列基板100还包括第一导电层和第二导电层，其中第一导电层至少具有第一部分和与第一部分间隔开的第三部分107，第二导电层至少具有第二部分、与第二部分间隔开的第四部分108、以及分别与第二部分和第四部分间隔开的第五部分109，其中第一部分形成栅极104;第二部分形成上述挡光部106;第三部分107和第四部分108在垂直方向上至少部分重叠以形成电容器，以提高应用该阵列基板的显示面板的分辨率;第五部分用作半导体器件的布线区域。可以理解，第一导电层和第二导电层不限于包含上述那些部分，也可以包含更多或更少的部分。
[0067]在一种实施例中，可以首先沉积第一导电层，然后对第一导电层进行构图以形成第一导电层的第一部分和第三部分;类似地，可以首先沉积第二导电层，然后对第二导电层进行构图以形成第二导电层的第二部分、第四部分和第五部分。可以理解，形成第一导电层的第一部分和第三部分，以及形成第二导电层的第二部分、第四部分和第五部分的方法也不限于在此描述的方法。形成第一导电层和第二导电层的材料可以是任何可以导电的材料，例如，钼(Mo)、钛(Ti)、铝(A1)、铜(Cu)中的一种或多种的组合。
[0068]需要说明的是，在本文中描述的各个层不一定是完整连续的层，可以是由一个或多个部分组成的间断的层，如上所述的具有第一部分和第三部分的第一导电层，以及具有第二部分、第四部分和第五部分的第二导电层。
[0069]可以理解，在本发明实施例中，上述的阵列基板还可以包括用作导电部件(如源极
111、漏极112、第四部分108、第五部分109等部件)之间的介电物质的介电层113。
[0070]图2示意性示出了根据本发明实施例的薄膜晶体管的部分横截面视图。根据本发明实施例的薄膜晶体管可以用于上述实施例中所述的阵列基板中。如图2所示，薄膜晶体管200包括:衬底201;形成在衬底201之上的有源层203;形成在有源层203之上的栅极204;形成在栅极204之上的第二绝缘层205，以及形成在第二绝缘层205之上的挡光部206，其中，挡光部206被布置在栅极204的边缘部分之上，以使挡光部206能够遮挡从栅极204的边缘部分进入有源层203(如沟道区域)光。
[0071]在本发明实施例中，使用多晶硅层作为薄膜晶体管的有源层，本发明实施例中的有源层可以包括沟道区、以及掺杂有P型或N型掺杂离子的源区和漏区。
[0072]此外，应当理解的是，在本发明的实施例中，该薄膜晶体管还包括通过形成在绝缘层中的过孔分别连接到源区和漏区的源极211和漏极212，以及用作介电物质的介电层213。
[0073]本领域技术人员应当理解的是，本发明实施例提供的薄膜晶体管还可以包括缓冲层20