显示面板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种显示面板，且特别涉及一种具有像素存储器(Memory in Pixel ；MIP)的显示面板。
【背景技术】
[0002]目前多功能的便携式产品已经被广泛地运用于各种不同的领域中。举例来说，在市面上已设计出具有通信、计数、且具备多媒体显示功能的智能手表。在智能手机市场逐渐饱和的状况下，由于智能手表具有更为轻薄短小且可以直接配戴在身上等优点，因此，智能手表等穿戴装置的研发已成为热门的研究主题。就现有技术来说，为了使智能手表具备多媒体显示功能，其像素设计需要运用到多条电源线。然而，运用过多的电源线会使的线路配置过为复杂，因此，现有的穿戴式产品的外观设计会受到诸多限制。举例来说，市面上的智能手表的显示面板大多为具有方形外观的设计。因此，为了因应市场上的要求，有必要改善现有的线路配置关系以使得穿戴式产品的外观更具多样化。
【发明内容】
[0003]本发明提供一种显示面板，可用以节省线路的配置空间，以满足多样的外观需求。
[0004]本发明的显示面板包括基板、像素阵列、第一电源线以及第二电源线。基板具有显示区以及环绕显示区的非显示区。像素阵列位于基板的显示区内，其中，像素阵列包括多个像素单元。每一像素单元包括扫描线、数据线、像素结构、存储元件、第一信号线以及第二信号线。像素结构与扫描线以及数据线电性连接，像素结构包括驱动元件以及与驱动元件电性连接的反射电极。存储元件与像素结构电性连接。第一信号线以及第二信号线与存储元件电性连接。第一电源线位于基板的非显示区，其中第一电源线与每一像素结构的反射电极属于同一膜层且具有相同的材质。每一像素结构的第一信号线延伸至非显示区中与第一电源线电性连接。第二电源线位于基板的非显示区，其中第二电源线与每一像素结构的反射电极属于同一膜层且具有相同的材质。每一像素结构的第二信号线延伸至非显示区中与第二电源线电性连接。基于上述，本发明的第一电源线以及第二电源线位于基板的非显示区，且与每一像素结构的反射电极属于同一膜层且具有相同的材质。因此，可用以节省线路的配置空间，以满足多样的外观需求。
[0005]为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合【附图说明】书附图作详细说明如下。
【附图说明】
[0006]图1为本发明一实施例的显不面板不意图。
[0007]图2为本发明一实施例的像素结构的剖面示意图。
[0008]图3A为本发明一实施例的像素单元等效电路图。
[0009]图3B为本发明一实施例的像素单元等效电路图。
[0010]图4A为本发明另一实施例的像素单元等效电路图。[0011 ]图4B为本发明另一实施例的像素单元等效电路图。
[0012]附图标记说明:
[0013]100:显示面板
[0014]110:像素单元
[0015]112:像素结构
[0016]114:存储元件
[0017]115:切换电路
[0018]116:存储单元
[0019]120:扫瞄驱动电路
[0020]130:数据驱动电路
[0021]DR:显示区
[0022]NR:非显示区
[0023]SL:扫描线
[0024]DL:数据线
[0025]Vcom:共通线
[0026]Vdd:第一信号线
[0027]Vss:第二信号线
[0028]Vp:第三信号线
[0029]XVp:第四信号线
[0030]PL1:第一电源线
[0031]PL2:第二电源线
[0032]SS1:第一周边信号线
[0033]SS2:第二周边信号线
[0034]CW1、CW2、CW3、CW4:接触窗
[0035]Sub:基板
[0036]TFT:驱动元件
[0037]SR:源极区
[0038]DR:漏极区
[0039]CH:通道
[0040]G1:栅极绝缘层
[0041]G:栅极
[0042]IL:介电层
[0043]SE:源极
[0044]DE:漏极
[0045]PL1:第一覆盖层
[0046]PL2:第二覆盖层
[0047]EL1:电极层
[0048]RL:反射电极
[0049]Clc:液晶电容
[0050]Cst:存储电容[0051 ]ΕΝ:切换控制信号
[0052]SW1:第一晶体管
[0053]SW2:第二晶体管
[0054]SW3:第三晶体管
[0055]SW4:第四晶体管
[0056]SW5:第五晶体管
[0057]SW6:第六晶体管
【具体实施方式】
[0058]图1为本发明一实施例的显示面板示意图。图2为本发明一实施例的像素结构的剖面示意图。请同时参照图1及图2。本实施例的显示面板100包括基板Sub、像素阵列、第一电源线PL1以及第二电源线PL2。基板Sub具有显示区DR以及环绕显示区DR的非显示区NR。所述像素阵列位于基板Sub的显示区DR内，其中，像素阵列包括多个像素单元110。为了清楚地说明本发明的实施例，图1仅绘示出像素阵列中的三个像素单元110。
[0059]承上所述，每个像素单元110包括扫描线SL、数据线DL、像素结构112、存储元件114、第一信号线Vdd以及第二信号线Vss。特别是，像素单元110的存储元件114与像素结构112电性连接。第一信号线Vdd以及第二信号线Vss与存储元件114电性连接。另外，第一信号线Vdd以及第二信号线Vss与数据线DL平行设置且与像素结构112电性连接。关于像素单元110中的电性连接关系将于后文中详细地描述。
[0060]在本实施例中，扫描线SL与数据线DL彼此交越设置。换言之，扫描线SL的延伸方向与数据线DL的延伸方向不平行，较佳的是，扫描线SL的延伸方向与数据线DL的延伸方向垂直。基于导电性的考量，扫描线SL与数据线DL—般是使用金属材料。然，本发明不限于此，根据其他实施例，扫描线SL与数据线DL也可以使用其他导电材料。例如:合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或其它合适的材料、或是金属材料与其它导材料的堆叠层。
[0061]像素结构112与扫描线SL以及数据线DL电性连接。如图2所示，像素结构112包括驱动元件TFT以及与驱动元件TFT电性连接的反射电极RL。详细来说，像素结构112的驱动元件TFT包括半导体层、栅极绝缘层G1、栅极G、介电层IL、源极SE以及漏极DE。所述半导体层是设置在基板Sub上方，并包括源极区SR、漏极区DR以及通道CH。在本实施例中，半导体层的材料是多晶硅，且含有掺杂物(dopant)以形成所述源极区SR以及漏极区DR。但是本发明不限于此。在其他实施例中，半导体层的材料包括非晶硅、微晶硅、单晶硅、有机半导体材料、氧化物半导体材料(例如:铟锌氧化物、铟锗锌氧化物或是其它合适的材料、或上述的组合)、或其它合适的材料、或含有掺杂物(dopant)于上述材料中、或上述的组合。
[0062]栅极绝缘层GI是设置在半导体层的上方，并覆盖半导体层。栅极G位于栅极绝缘层GI的上方。介电层IL覆盖栅极G。另外，源极SE以及漏极DE位于介电层IL上且分别与半导体层的源极区SR以及漏极区DR电性连接。驱动元件TFT的栅极G与扫描线SL连接，且驱动元件TFT的源极SE与数据线DL连接。在本