光波导;其中，所述形成步骤包括以下步骤:沿所述混合式光学装置的长度改变沟槽的宽度以控制沿所述光波导被传输的光的光功率密度。
[0074]示例23可以包括示例22的主题，且还指定，所述方法进一步包括以下步骤:在所述光波导的第一侧上形成第三沟槽，使得所述第一沟槽在所述第三沟槽与所述光波导之间；以及在所述光波导的第二侧上形成第四沟槽，使得所述第二沟槽在所述第四沟槽与所述光波导之间。
[0075]示例24可以包括示例22的主题，且还指定，所述方法进一步包括以下步骤:沿所述混合式光学装置的长度，围绕所述第二半导体区的相应的端部延伸沟槽的部分，其中，延伸步骤包括以下步骤:以相对于所述光波导的确定的角度来设置沟槽的被延伸的部分。
[0076]示例25可以包括示例22的主题，且还指定，所述方法进一步包括以下步骤:使所述第一半导体区成形以使所述第一半导体区的相应的端部渐缩。
[0077]以最有助于理解所要求保护的主题的方式将各种操作描述为多个依次的分立的操作。然而，描述的顺序不应被解释成暗示这些操作必定依赖于顺序。本公开的实施例可实现到使用任何合适的硬件和/或软件以按需配置的系统中。
[0078]尽管已出于描述目的在本文中阐释和描述了某些实施例，但是经计算为实现相同目的的各种各样的替代和/或等效的实施例或实现可以替代所示出和描述的实施例而不背离本公开的范围。本申请旨在覆盖本文中讨论的实施例的任何修改或变型。因此，明显地预期，本文中描述的实施例仅受权利要求书及其等效方案限制。
【主权项】
1.一种混合式光学装置，包括: 第一半导体区，包括一层或多层半导体材料的有源区；以及 第二半导体区，与所述第一半导体区耦合，其中，所述第二半导体区包括光波导，所述光波导配置成用于传输由与所述装置耦合的光输入组件输入的光，其中，所述光波导由第一沟槽和第二沟槽限定，所述第一沟槽设置在所述光波导的第一侧上，所述第二沟槽设置在与所述光波导的、与所述光波导的第一侧相对的第二侧上，其中，每一个沟槽的宽度沿所述装置的长度变化以控制沿所述光波导被传输的所述光的光功率密度。2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置与光输出组件耦合，所述光输出组件配置成用于输出由所述光波导传输的光。3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述有源区包括电流通道，所述电流通道包括多量子阱(MQW)层。4.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述电流通道配置成具有基本上符合所述波导沟槽的变化的宽度的宽度。5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置包括第一端部和第二端部，其中，所述第一端部包括光输入组件，并且所述第二端部包括光输出组件。6.如权利要求5所述的装置，其特征在于，所述装置的所述第一端部处的沟槽宽度比所述装置的所述第二端部处的沟槽宽度更窄，其中，所述装置包括混合式放大器或混合式激光器的增益部分。7.如权利要求5所述的装置，其特征在于，所述装置的所述第一端部处的沟槽宽度比所述装置的所述第二端部处的沟槽宽度更宽，其中，所述第一有源区和第二有源区形成混合式光电探测器的部分。8.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第二半导体区包括: 第三沟槽，设置在所述光波导的所述第一侧上，使得所述第一沟槽在所述第三沟槽与所述光波导之间，以及 第四沟槽，设置在所述光波导的所述第二侧上，使得所述第二沟槽在所述第四沟槽与所述光波导之间。9.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述半导体材料选自III族、IV族或V族半导体。10.如权利要求1到9中的任一项所述的装置，其特征在于，所述第一半导体区的层直接与所述第二半导体区的层结合，其中，所述第一半导体区的所述层由磷化铟组成，并且其中，所述第二半导体区的所述层由硅组成。11.如权利要求8所述的装置，进一步包括第一模式转换器组件，所述第一模式转换器组件包括所述第二半导体区的第一延伸，并且配置成用于将所述第二半导体区与所述光输入组件耦合，其中，沟槽配置成以相对于所述光波导的确定的相应的第一角度延伸到所述第一模式转换器组件中。12.如权利要求11所述的装置，进一步包括第二模式转换器组件，所述第二模式转换器组件包括所述第二半导体区的第二延伸，并且配置成用于将所述第二半导体区与同所述装置耦合的光输出组件耦合，并且配置成用于输出由所述光波导传输的光，其中，沟槽配置成以相对于所述光波导的确定的相应的第二角度延伸到所述第二模式转换器组件中。13.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述第一和第二模式转换器还包括所述第一半导体区的第一延伸和第二延伸，并且配置为使得所述第一延伸和第二延伸的相应的形状朝相应的延伸的端部是渐缩的。14.一种系统，包括至少一个混合式光学装置，其中，所述混合式光学装置包括: 第一半导体区，包括一层或多层半导体材料的有源区； 第二半导体区，与所述第一半导体区耦合，其中，所述第二半导体区包括光波导，所述光波导配置成用于传输由与所述装置耦合的光输入组件输入的光，其中，所述光波导由第一沟槽和第二沟槽限定，所述第一沟槽设置在所述光波导的第一侧上，所述第二沟槽设置在与所述光波导的、与所述光波导的第一侧相对的第二侧上， 其中，所述第二半导体区包括至少一个模式转换器组件，所述至少一个模式转换器组件配置成用于将所述第二半导体区与所述光输入组件耦合，其中，沟槽配置成以相对于所述光波导的确定的角度延伸到所述模式转换器组件中。15.如权利要求14所述的系统，其特征在于，所述混合式光学装置与光输出组件耦合，所述光输出组件配置成用于输出由所述光波导传输的光，其中，所述第二半导体区包括另一模式转换器组件，所述另一模式转换器组件配置成用于将所述第二半导体区与所述光输出组件耦合，其中，沟槽配置成以相对于所述光波导的确定的角度延伸到所述另一模式转换器组件中。16.如权利要求15所述的系统，其特征在于，所述装置包括混合式放大器、混合式光电探测器或混合式激光器的增益部分。17.如权利要求14所述的系统，其特征在于，所述第二半导体区包括: 第三沟槽，设置在所述光波导的所述第一侧上，使得所述第一沟槽在所述第三沟槽与所述光波导之间，以及 第四沟槽，设置在所述光波导的所述第二侧上，使得所述第二沟槽在所述第四沟槽与所述光波导之间。18.如权利要求14所述的系统，其特征在于，所述半导体材料选自III族、IV族或V族半导体。19.如权利要求14所述的系统，其特征在于，每一个沟槽的宽度沿所述装置的长度变化以控制沿所述光波导被传输的所述光的光功率密度。20.如权利要求19所述的系统，其特征在于，所述有源区包括电流通道，所述电流通道配置为具有基本上符合所述波导沟槽的变化的宽度的宽度。21.如权利要求14-20中的任何一项所述的系统，其特征在于，所述系统是膝上型计算机、上网本、笔记本、超极本、智能电话、平板、个人数字助理、超移动PC、移动电话、台式计算机、服务器、打印机、扫描仪、监视器、机顶盒、娱乐控制单元、数码相机、便携式音乐播放器或数码录像机中选出的一种。22.—种用于制造混合式光学装置的方法，包括以下步骤: 形成第一半导体区，所述第一半导体区包括由III族、IV族或V族半导体制成的一层或多层半导体材料的有源区；以及 在与所述第一半导体区耦合的第二半导体区中形成第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽相对光波导的所述第二沟槽而设置，所述第一沟槽和第二沟槽限定设置在沟槽之间的光波导； 其中，所述形成步骤包括以下步骤:沿所述混合式光学装置的长度改变沟槽的宽度以控制沿所述光波导被传输的光的光功率密度。23.如权利要求22所述的方法，进一步包括以下步骤: 在所述光波导的第一侧上形成第三沟槽，使得所述第一沟槽在所述第三沟槽与所述光波导之间；以及 在所述光波导的第二侧上形成第四沟槽，使得所述第二沟槽在所述第四沟槽与所述光波导之间。24.如权利要求22所述的方法，进一步包括以下步骤: 沿所述混合式光学装置的长度，围绕所述第二半导体区的相应的端部延伸沟槽的部分，其中，延伸步骤包括以下步骤:以相对于所述光波导的确定的角度来设置沟槽的被延伸的部分。25.如权利要求22所述的方法，进一步包括以下步骤: 使所述第一半导体区成形以使所述第一半导体区的相应的端部渐缩。
【专利摘要】所描述的是包括抗谐振光波导的混合式光学装置以及用于制造此类装置和系统的方法的实施例。在一个实施例中，混合式光学装置可以包括第一半导体区和第二半导体区，第一半导体区包括一层或多层半导体材料的有源区，第二半导体区与第一半导体区耦合。第二半导体区可以包括光波导，该光波导配置成用于传输由光输入组件输入的光。光波导可以由第一沟槽和第二沟槽限定，第一沟槽设置在波导的第一侧上，第二沟槽设置在波导的与第一侧相对的第二侧上。每一个沟槽的宽度可以沿装置的长度变化以控制沿光波导被传输的光的光功率密度。可以描述并要求保护其他实施例。
【IPC分类】H01S5/10, H01S5/34
【公开号】CN105474481
【申请号】CN201380078899
【发明人】H·朴, R·琼斯
【申请人】英特尔公司
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2013年9月16日
【公告号】EP3047549A1, US9134478, US20150078703, WO2015038164A1