结果。
[0079]比较例1
[0080]在实施例1中制作出的片上将Pd膏剂印刷为图5所示的大致三角形的形状，进行层叠使得其前端部隔着1片重合，通过温等静压机(Warm Isostatic Press ;WIP)，以60°C、200MPa进行压接来得到层叠体。使用切割机来将得到的层叠体切分为单片(长度L=l.0mm，宽度W=0.5mm，高度T = 0.5mm)，以1100?1400°C进行烧结。
[0081]接下来，为了在侧面形成外部电极，通过涂敷Ag膏剂并以750°C进行烧制，从而制作出比较例试料。
[0082]如上述那样制作了4种比较例试料，以使得图5所示的电极的重合部分的面积与上述实施例1的电极的接合部分的直径d为5、10、20以及30μπι的面积相同。
[0083]使用阻抗分析器(AgilentTechnologies社制:HP4294A)，在温度25± 2°C、电压lVrms、频率1kHz的条件下测量得到的4种比较例试料的静电电容，分别求出10个平均值。图6中一并表不结果。
[0084]由图6可知，在作为现有的层叠构造的比较例试料中，即使将内部电极的重合尺寸缩小到5μπι，静电电容也只降低至大约0.6pF。另一方面，在实施例1的试料中，若将对接部分的直径缩小到5μπι，则静电电容降低到大约0.lpF。认为这是因为:与作为现有的层叠构造的比较例试料相比，实施例1的试料能够将寄生电容抑制得更小，因此能够广泛地使用元件本来应具有的静电电容的可变范围。
[0085]实施例2
[0086]称量BaC03、SrC03以及Ti02粉末以使得成为相对介电常数大约为2000的规定的组成((Ba0.6Sr0.4)Ti03)。使用该称量物，按照与实施例1相同的顺序，制作出实施例2的试料。
[0087]实施例3
[0088]称量Ca⑶3、Al203、Si02、B203粉末以使得成为相对介电常数大约为7的规定的组成(将由0.16Ca0-0.11Α1203-0.64Si02-0.09B203(摩尔比)构成的玻璃陶瓷与A1203按照1:1 (重量比)混合而成的物质)。使用该称量物，按照与实施例1相同的顺序，制作出由Ca0-Al203-Si02-B203系的玻璃陶瓷构成的厚度30μπι的片。在将得到的片冲压为规定的大小后，层叠20片，并进行临时压接。
[0089]接下来，通过激光在得到的层叠体形成通孔，将碳膏剂填充到通孔来进行通孔填充。在这些层叠体的2个之间，将上述实施例2中形成的片作为可变电容层来夹住1片，进行层叠使得形成在2个层叠体的通孔分别重合，以lOOMPa进行压接，通过温等静压机(WarmIsostatic Press;WIP)来以60°C、200MPa进行压接，得到层叠体。接下来，使用切割机来将得到的层叠体切分为单片(长度L=1.0mm，宽度W=0.5mm，高度T = 0.5mm)，以1100?1400°C
进行烧制。
[0090]接下来，将Ag膏剂填充到通孔内，为了形成外部电极而在通孔露出的部分涂敷相同的Ag膏剂，以750°C进行烧制，得到实施例3的试料。
[0091]对实施例2以及实施例3的试料施加直流电压，在1kHz、IV的条件下测量静电电容，求出电容可变率。
[0092]电容可变率=(Capo-CapDe)/CapoX 100( % )
[0093]这里，CapDC是施加了规定的直流电压时的静电电容值，Capo是不施加直流电压的状态下的静电电容值。图7中表示结果。
[0094]如图7所示，在绝缘部与可变电容层是同一材料的BST系材料(相对介电常数2000)的实施例2中，随着直流施加电压成为3ν/μπι以上而静电电容变小，静电电容的变化变小。另一方面，在绝缘部中使用了低介电常数的材料(相对介电常数7)的实施例3中，即使将直流施加电压设为3ν/μπι以上，静电电容也相对于直流电压的变化而充分地变化。认为这是由于:若静电电容变小则寄生电容的影响相对变大，即使施加更大电压，表观的静电电容也不变化。也就是说，认为由于绝缘部的相对介电常数较大(相对介电常数2000)的实施例2的可变电容元件的两端面间的寄生电容较大，绝缘部的低介电常数较小(相对介电常数7)的实施例3能够抑制该寄生电容，因此与实施例2相比，实施例3即使在施加了较高电压的情况下，静电电容的变化也不降低。
[0095]产业上的可利用性
[0096]本发明的保护元件能够用于RFID(Rad1 Frequency Identificat1n，射频识别)系统等多种多样的电子设备。
[0097]-符号说明-
[0098]1…可变电容元件
[0099]2…可变电容层
[0100]4、4’…电极
[0101]6、6’…绝缘部
[0102]8、8，…引出部
[0103]10...贯通口
[0104]12…外部电极
[0105]101…可变电容元件
[0106]102...电介质
[0107]104…电极
[0108]112…外部电极
【主权项】
1.一种可变电容元件，其特征在于，具有: 可变电容层，其由电介质材料构成； 一对电极，其隔着可变电容层而位于相对置的位置； 一对绝缘部，其隔着一对电极将可变电容层支撑在中间;和 一对引出部，其分别与一对电极连接， 一对引出部分别被配置在一对绝缘部内，并且处于与可变电容层大致垂直的同轴上。2.根据权利要求1所述的可变电容元件，其特征在于， 绝缘部由介电常数比构成可变电容层的电介质材料低的电介质材料构成。3.根据权利要求1或者2所述的可变电容元件，其特征在于， 电极以及引出部由Ag或者Cu构成。4.根据权利要求1?3的任意一项所述的可变电容元件，其特征在于， 电极以及引出部的厚度是0.5?ΙΟΟμπι。5.根据权利要求1?4的任意一项所述的可变电容元件，其特征在于， 所述可变电容元件还具有:外部电极，其位于绝缘部的与支撑可变电容层的面对置的面，并与引出部电连接。6.根据权利要求1?5的任意一项所述的可变电容元件，其特征在于， 在绝缘部的与可变电容层垂直的面的至少一个面还具有导体部。7.—种可变电容元件的制造方法，该可变电容元件具有: 可变电容层，其由电介质材料构成； 一对电极，其隔着可变电容层而位于相对置的位置； 一对绝缘部，其隔着一对电极将可变电容层支撑在中间;和 一对引出部，其分别与一对电极连接， 一对引出部分别被配置在一对绝缘部内，并且处于与可变电容层大致垂直的同轴上， 所述可变电容元件的制造方法的特征在于， 通过将电介质材料形成为片状，或者对该片进行层叠来制作可变电容层， 通过形成贯通口的同时将绝缘体片层叠来制作绝缘部，或者通过在将绝缘体片层叠之后，形成贯通口来制作绝缘部， 在一对绝缘部之间夹着可变电容层来得到层叠体， 通过向上述贯通口赋予电极以及引出部形成用的导电性材料，与层叠体同时进行烧制，来形成电极以及引出部，或者，在烧制层叠体之后，向贯通口赋予电极以及引出部形成用的导电性材料来形成电极以及引出部。8.—种可变电容元件的制造方法，该可变电容元件具有: 可变电容层，其由电介质材料构成； 一对电极，其隔着可变电容层而位于相对置的位置； 一对绝缘部，其隔着一对电极将可变电容层支撑在中间;和 一对引出部，其分别与一对电极连接， 一对引出部分别被配置在一对绝缘部内，并且处于与可变电容层大致垂直的同轴上， 所述可变电容元件的制造方法的特征在于， 在形成有贯通口的一对绝缘部之间夹着可变电容层而得到层叠体，对其进行烧制，接下来，向贯通口赋予电极以及引出部形成用的导电性材料来形成电极以及引出部。
【专利摘要】本发明提供一种寄生电容小且静电电容可变率大的可变电容元件。该可变电容元件的特征在于，具有：可变电容层，其由电介质材料构成；一对电极，其隔着可变电容层而位于相对置的位置；一对绝缘部，其隔着一对电极将可变电容层支撑在中间；和一对引出部，其分别与一对电极连结，一对引出部分别被配置在一对绝缘部内，并且处于与可变电容层大致垂直的同轴上。
【IPC分类】H01G7/06
【公开号】CN105493211
【申请号】CN201480046715
【发明人】景山惠介
【申请人】株式会社村田制作所
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2014年8月29日
【公告号】US20160172114, WO2015030170A1