有机发光显示设备的制造方法
【专利说明】
[0001] 本申请要求于2014年10月14日向韩国知识产权局提交的第10-2014-0138614 号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
[0002] -个或更多个示例实施例涉及一种有机发光显示设备。
【背景技术】
[0003] 有机发光显示设备是一种自发光显示设备，其包括空穴注入电极、电子注入电极 以及形成在空穴注入电极和电子注入电极之间的发射层，其中，从空穴注入电极注入的空 穴和从电子注入电极注入的电子在发射层中复合，从而从发射层发光。有机发光显示设备 因其诸如低功耗、高对比度和快速响应时间等高品质特性而被期望作为下一代显示设备。
【发明内容】
[0004] -个或更多个示例实施例包括一种具有改善的显示质量的有机发光显示设备。
[0005] 附加方面将在下面的描述中部分地阐述，并部分地将通过下面的描述而明显，或 者可通过提供的实施例的实践而理解。
[0006] 根据本发明的一些实施例，一种有机发光显示设备包括：基底；薄膜晶体管 (TFT)，位于所述基底上并包括有源层、栅电极、源电极和漏电极；第一层间绝缘层，位于栅 电极与源电极之间以及栅电极与漏电极之间，并包括无机材料；第二层间绝缘层，位于第一 层间绝缘层与源电极和漏电极之间，并包括有机材料；第一有机层，覆盖源电极和漏电极； 第二有机层，位于第一有机层上；电容器，包括第一电极和第二电极，第一电极包括与栅电 极相同的材料，第二电极包括与源电极和漏电极相同的材料；像素电极，位于在不与TFT和 电容器叠置的区域中形成的开口中，并与源电极和漏电极中的一个接触；发射层，位于像素 电极上；对电极，位于发射层上。
[0007] 像素电极可以是半透明电极，对电极可以是反射电极。
[0008] 像素电极可以包括第一透明导电氧化物层、半透明金属层和第二透明导电氧化物 层。
[0009] 像素电极的端部可以位于第一有机层上并且可以被第二有机层覆盖。
[0010] 布置有像素电极的开口可以使第二层间绝缘层、第一有机层和第二有机层以叠置 的方式暴露。
[0011] 第一有机层中的开口的宽度可以比第二有机层中的开口的宽度大，并且可以比第 二层间绝缘层中的开口的宽度小。
[0012] 布置有像素电极的开口还可以使第一层间绝缘层以叠置的方式暴露。
[0013] 第一有机层中的开口的宽度可以比第二有机层中的开口的宽度大，并且可以比第 一层间绝缘层和第二层间绝缘层中的开口的宽度小。
[0014] 像素电极的底表面可以与第一层间绝缘层的顶表面接触。
[0015] 栅电极的厚度可以在大约繼(Μ至大约1200?)Λ.之间。
[0016] 电容器的第二电极可以布置在第二层间绝缘层的开口中。
[0017] 电容器的第二电极的底表面可以与第一层间绝缘层的顶表面接触。
[0018] 源电极和漏电极中的每个可以包括第一金属层和位于第一金属层上的第二金属 层。
[0019] 所述有机发光显示设备还可以包括位于源电极和漏电极上的保护层。
[0020] 所述有机发光显示设备还可以包括与源电极和漏电极处于同一层上的焊盘电极。
[0021 ] 焊盘电极可以包括第一焊盘层和位于第一焊盘层上的第二焊盘层。
[0022] 所述有机发光显示设备还可以包括位于焊盘电极上的保护层。
[0023] 所述有机发光显示设备还可以包括阴极接触层，所述阴极接触层位于第二层间绝 缘层上并通过第一有机层和第二有机层中的接触孔与所述对电极接触。
[0024] 阴极接触层可以包括与源电极和漏电极相同的材料。
[0025] 所述有机发光显示设备还可以包括位于阴极接触层上的保护层。
【附图说明】
[0026] 通过下面结合附图的对示例实施例进行的描述，这些和/或其它方面将变得明显 和更加容易理解，在附图中：
[0027] 图1是根据本发明的一些实施例的有机发光显示设备的平面图；
[0028] 图2是示出根据本发明的一些实施例的有机发光显示设备的发射像素的一部分 和焊盘的一部分的剖视图；
[0029] 图3Α至图31是示出制造根据本发明的一些实施例的有机发光显示设备的方法的 剖视图；
[0030] 图4是示出根据本发明的一些实施例的有机发光显示设备的阴极接触部的一部 分的剖视图；
[0031] 图5是示出根据本发明的一些实施例的有机发光显示设备的发射像素的一部分 和焊盘的一部分的剖视图；
[0032] 图6是示出根据本发明的一些实施例的有机发光显示设备的发射像素的一部分 和焊盘的一部分的剖视图；
[0033] 图7是示出根据本发明的一些实施例的有机发光显示设备的发射像素的一部分 和焊盘的一部分的剖视图。
【具体实施方式】
[0034] 由于本发明的实施例允许各种变化和许多实施例，因此将在附图中示出并以书面 描述来详细地描述具体实施例。可通过参照接下来对示例实施例的详细描述和附图来使本 发明及其实现方法的各方面和特征变得更加容易理解。然而，本发明可以以许多不同的形 式实施，并且不应被解释为限制于这里所阐述的实施例。
[0035] 在下文中，将在下面参照附图更详细地描述一个或更多个示例实施例。相同或相 应的组件都将以相同的附图标记表示，而与图号无关，省略了多余的解释。
[0036] 以下，在一个或更多个示例实施例中，虽然可以使用"第一"、"第二"等这样的术 语，但是这些组件不必受到上述术语的限制。上述术语仅用于将一个组件与另一个组件区 分开。
[0037] 以下，在一个或更多个示例实施例中，单数形式可以包括复数形式，除非存在与之 相反的具体描述。
[0038] 以下，在一个或更多个示例实施例中，术语诸如"包括"或"包含"用于说明存在 所述的特征或组件，但不排除存在一个或更多个其它所述的特征或一个或更多个其它的组 件。
[0039] 以下，在一个或更多个示例实施例中，还将理解的是，当元件（诸如，层、区域或组 件）被称为"在"另一元件"上"时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者它们之间也可 以插入中间元件（诸如，层、区域或组件）。
[0040] 在附图中，为了便于描述，为了清楚起见而夸大了层和区域的尺寸。例如，为了便 于描述，每个元件的尺寸和厚度会是随意的，因此，一个或更多个示例实施例不限于此。
[0041] 如这里所使用的，术语"和/或"包括一个或更多个相关所列项的任意和全部组 合。
[0042] 图1是根据第一示例实施例的有机发光显示设备1的平面图。图2是示出根据第 一不例实施例的有机发光显不设备1的发射像素的一部分和焊盘的一部分的剖视图。
[0043] 参照图1，有机发光显示设备1包括基底10上的显示区域DA，显示区域DA包括多 个像素 P从而显示图像。显示区域DA形成在密封线SL内，包封构件（未示出）被布置为 沿着密封线SL对显示区域DA进行包封。阴极接触部CECNT形成在显示区域DA和焊盘PAD 之间，从而对公共地形成在显示区域DA中的阴极供电。
[0044] 参照图2,具有至少一个发射层121的像素区域PXL1、具有至少一个薄膜晶体管的 薄膜晶体管区域TR1、具有至少一个电容器的电容器区域CAP1和焊盘区域PAD1布置在基底 10上。
[0045] 在薄膜晶体管区域TR1中，薄膜晶体管的有源层212布置在基底10和缓冲层11 的上方。
[0046] 基底10可以形成为包括玻璃基底或塑料基底的透明基底，塑料基底包括聚对苯 二甲酸乙二醇酯（PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN)或聚酰亚胺等。
[0047] 可以在基底10上进一步布置缓冲层11，以在基底10上形成平坦的表面，并防止外 来物质或污染物的渗透。缓冲层11可以形成为包括氮化硅和/或氧化硅的单层或多层。
[0048] 有源层212在薄膜晶体管区域TR1中布置在缓冲层11上。有源层212可以由包括 非晶硅或多晶硅的半导体形成。有源层212可以包括沟道区212c以及布置在沟道区212c 的两侧并掺杂有杂质的源区212a和漏区212b。有源层212的材料不限于非晶硅或多晶硅， 可以包括氧化物半导体。<