150°CW下，优选为120°CW下。热压的时间例如为I分钟W上，优 选为3分钟W上，并且，例如为20分钟W下，优选为15分钟W下。此外，压制压力例如为 O.lMPaW上，优选为0.3MPaW上，并且，例如为5MPaW下，优选为3MPaW下。
[0167] 而在光半导体元件封装波长转换片1含有郎介状态的热固性树脂、不兼具热塑性和 热固性的情况(仅具有热固性的情况)下，首先，使用未图示的公知的粘合剂将郎介状态的光 半导体元件封装波长转换片1贴附（粘接)于光半导体元件5和基板6。粘合剂的厚度例如为 50皿W下，优选为30皿^下，并且，例如为lOwnW上。然后，对具备光半导体元件封装波长转 换片1的封装构件3W及安装基板4进行加热。加热溫度例如为90°CW上，优选为105°CW上， 并且，例如为160°C W下，优选为150°C W下。加热时间例如为10分钟W上，优选为30分钟W 上，并且，例如为120分钟W下，优选为60分钟W下。
[0168] 由此，B阶状态的封装树脂进行C阶化(完全固化）。即，B阶状态的光半导体元件封 装波长转换片1进行邱介化(完全固化）。
[0169] (产物）
[0170] 在封装树脂含有苯基类有机娃树脂组合物的情况下，苯基类有机娃树脂组合物的 反应(邱介化反应）中，含链締基聚硅氧烷的链締基和/或环締基与含娃氨基聚硅氧烷的娃氨 基的娃氨加成反应进一步被促进。然后，链締基和/或环締基或者含娃氨基聚硅氧烷的娃氨 基消失，娃氨加成反应结束，从而可得到邱介的苯基类有机娃树脂组合物的产物，即固化物。 即，通过娃氨加成反应的结束，在苯基类有机娃树脂组合物中表现出固化性(具体为热固 性)。
[0171] 上述产物W下述平均组成式(3)表示。
[0172] 平均组成式(3):
[0173] R\SiO(4-e)/2
[0174] (式中，R5表示包括苯基的、无取代或取代的碳数1~10的1价控基(但链締基和环 締基除外。）。6为0.5^上2.0^下。）
[0175] 作为R5所表示的无取代或取代的碳数1~10的1价控基，可例示出与式（1)的R2所表 示的无取代或取代的碳数1~10的1价控基W及式(2)的R 3所表示的无取代或取代的碳数1 ~10的1价控基相同的基团。优选列举出无取代的1价控基，更优选列举出碳数1~10的烧 基、碳数6~10的芳基，进一步优选列举出苯基与甲基的组合使用。
[0176] e优选为0.7W上且1.0W下。
[0177] 接着，产物的平均组成式(3)的R5中的苯基的含有比率例如为30摩尔％ ^上，优选 为35摩尔％ ^上，并且，例如为55摩尔％ ^下，优选为50摩尔％ W下。
[0178] 在产物的平均组成式(3)的R5中的苯基的含有比率小于上述下限时，无法确保郎介 的光半导体元件封装波长转换片1(参见图1A)的热塑性，即，后述的光半导体元件封装波长 转换片1在80°C的剪切储能模量G'会超出所期望的范围，因此有时无法确实地埋设、封装光 半导体元件5。
[0179] 而如果产物的平均组成式(3)的R5中的苯基的含有比率为上述上限W下，则能够 防止邱介的光半导体元件封装波长转换片1(参见图1A)的柔性的降低。
[0180] 产物的平均组成式（3)的R5中的苯基的含有比率是与产物的娃原子直接键合的1 价控基(在平均组成式(3)中R 5所表示）中的苯基浓度。
[0181] 产物的平均组成式(3)的R5中的苯基的含有比率通过Ih-醒R和29Si-NMR算出。R 5中 的苯基的含有比率的算出方法的细节记载于后述的实施例中，并且可基于例如W02011/ 125463等的记载通过Ih-NMR和 29Si-NMR算出。
[0182] 然后，如图IB的箭头所示，将第1剥离片2自光半导体元件封装波长转换片1剥离。 具体而言，将第1剥离片2自光半导体元件封装波长转换片1的上表面W成大致U字形弯曲的 方式剥离。
[0183] 由此，可得到具备基板6、安装于基板6的光半导体元件5W及对光半导体元件5进 行封装的光半导体元件封装波长转换片1的光半导体装置10。优选的是，光半导体装置10不 包含第1剥离片2,由基板6、光半导体元件5W及光半导体元件封装波长转换片1形成。
[0184] 接着，该光半导体装置10从基板6的端子向光半导体元件5输入电能，光半导体元 件5发光。如此，自光半导体元件5发出的光透过封装树脂，通过光扩散性有机颗粒而扩散。 此外，一部分光通过巧光体进行波长转换。接着，通过光半导体元件封装波长转换片1扩散 并进行了波长转换的光向光半导体元件封装波长转换片1的上方和侧方(前后方向和左右 方向)放射。
[0185] (作用效果）
[0186] 接着，根据由光半导体元件封装波长转换组合物成型为片状的光半导体元件封装 波长转换片1，封装树脂的折射率ne与光扩散性有机颗粒的折射率nl之差(ne-nl)的绝对值 (Ine-nl I )在特定范围内，并且，光扩散性有机颗粒的含有比率在特定范围内，光半导体元 件封装波长转换片1用于光半导体元件5的封装，因此能够提高自光半导体元件5发出的光 的输出效率。
[0187] 根据该光半导体元件封装波长转换片1，由于光扩散性有机颗粒由有机材料形成， 因此能够使光扩散性有机颗粒的比重接近封装树脂的比重。因此，在光半导体元件封装波 长转换组合物、进而光半导体元件封装波长转换片1中，能够使光扩散性有机颗粒均匀地分 散于封装树脂。因此，能够更进一步提高光的输出效率。
[0188] 根据该光半导体元件封装波长转换片1，能够将自光半导体元件5发出的光通过巧 光体进行波长转换。因此，能够照射高能量的光。
[0189] 此外，由于该光半导体元件封装波长转换片1通过将光半导体元件封装波长转换 组合物成型而得到，因此在确实地封装光半导体元件5的同时，能够提高自光半导体元件5 发出的光的输出效率。
[0190] 进而，由于该光半导体元件封装波长转换片1通过将光半导体元件封装波长转换 组合物成型为片状而得到，因此运输性优异。即，即使将第1剥离片2和光半导体元件封装波 长转换片1都形成为沿前后方向延伸的长条状，也能够W卷状紧凑地进行制造，因此运输性 优异。进而，如果W卷状制造具备第1剥离片2和光半导体元件封装波长转换片1的封装构件 3，则可W采用漉对漉法，因此生产率优异。
[0191] 该光半导体装置10由于具有光的输出效率优异的光半导体元件封装波长转换片 1，因此发光特性优异。
[0192] [变形例]
[0193] 在变形例中，对于与上述的一个实施方式同样的构件和工序，标W相同的附图标 记，省略其详细说明。
[0194]上述的一个实施方式中，作为本发明的光半导体元件封装组合物和光半导体元件 封装片的一个实施方式，列举了含有巧光体的光半导体元件封装波长转换组合物和光半导 体元件封装波长转换片1进行了说明，而例如也可W制成不具有波长转换功能的光半导体 元件封装组合物和光半导体元件封装片1。即，上述的一个实施方式中，将光半导体元件封 装波长转换片1由含有巧光体的光半导体元件封装波长转换组合物形成为片状，但不限于 此，例如可W由不含巧光体的光半导体元件封装组合物形成为片状。
[01%]目P，光半导体元件封装组合物含有封装树脂和光扩散性有机颗粒。
[0196] 此外，虽然图IB中未示出，但在光半导体装置10中，也可W在光半导体元件封装片 1的上表面另外配置含有巧光体的波长转换片。
[0197] 通过上述变形例也可W发挥与上述的一个实施方式同样的作用效果。
[0198] 可优选列举出如图IB所示的含有巧光体的光半导体元件封装波长转换片IW及具 备光半导体元件封装波长转换片1的光半导体装置10。
[0199] 根据该实施方式，不需要另外设置波长转换片，因此可W使构成简化，可W缩减制 造成本。
[0200] 此外，在上述的一个实施方式中，在光半导体元件封装波长转换片1含有郎介状态 的热固性树脂的情况下，通过郎介状态的光半导体元件封装波长转换片1埋设光半导体元件 5而无需使用上述粘合剂。然而，例如也可W预先W邱介状态制备光半导体元件封装波长转 换片1，从而使用粘合剂贴附于光半导体元件5。
[0201] 优选通过郎介的光半导体元件封装波长转换片1埋设光半导体元件5。根据该实施 方式，无需使用粘合剂，因此可W使构成简化，可W缩减制造成本。
[0202] 上述的一个实施方式如图IB所示，通过光半导体元件封装波长转换片1对预先安 装于基板6的光半导体元件5进行封装，而例如也可W如图2A和图2B所示，对未安装于基板6 (参见图2C)而配置于第2剥离片8的光半导体元件5进行封装。
[0203] 该光半导体装置10的制造方法如图2A所示，首先准备上述封装构件3。
[0204] 此外，另外准备元件构件7。
[0205] 元件构件7具备第2剥离片8和配置于第2剥离片8的表面(上表面)的光半导体元件 5。
[0206] 第2剥离片8用于通过光半导体元件封装波长转换片1被覆、封装光半导体元件5， 得到封装光半导体元件9后，到剥离封装光半导体元件9为止的期间保护封装光半导体元件 9的光半导体元件5(参见图2B)，因此W可剥离的方式贴附于封装光半导体元件9中的光半 导体元件5的背面（图2B中的下表面）。即，第2剥离片8是在封装光半导体元件9的出货?运 输?保管时支撑光半导体元件5, W被覆光半导体元件5的背面(图2B中的下表面)的方式层 叠于光半导体元件5的背面，在光半导体元件5即将安装于基板6之前，如图2B的虚线所示， 可W剥离封装光半导体元件9的柔性薄膜。即，第2剥离片8仅由柔性薄膜形成。
[0207] 第2剥离片8由与上述第1剥离片2同样的材料形成。此外，也可W将第2剥离片8由 通过加热能够容易地剥离封装光半导体元件9的热剥离片形成。
[0208] 如图2A所示，接着，将封装构件3和元件构件7W光半导体元件封装波长转换片1与 光半导体元件5相对的方式相对配置。
[0209] 如图2B所示，接着，使封装构件3接近元件构件7,通过光半导体元件封装波长转换 片I埋设光半导体元件5。另外，光半导体元件封装波长转换片I还配置于自光半导体元件5 露出的第2剥离片8的上表面。
[0210] 由此，如图2B的实线所示，可得到具备光半导体元件封装波长转换片1、由光半导 体元件封装波长转换片1被覆并封装的光半导体元件5、配置于光半导体元件5和光半导体 元件封装波长转换片1的下表面的第2剥离片8、W及配置于光半导体元件封装波长转换片1 的上表面的第1剥离片2的带剥离片的封装光半导体元件11。
[0211] 带剥离片的封装光半导体元件11包含封装光半导体元件9W及第2剥离片8和第1 剥离片2,是用于制作光半导体装置10的部件，是可作为部件单独流通、在产业上利用的器 件。
[0212] 封装光半导体元件9具备光半导体元件5W及对光半导体元件5进行封装的光半导 体元件封装波长转换片1。具体而言，封装光半导体元件9不包括第2剥离片8和/或第1剥离 片2,优选由光半导体元件封装波长转换片1和光半导体元件5形成。
[0213] 然后，将第1剥离片2自光半导体元件封装波长转换片1的上表面剥离。由此，得到 具备光半导体元件封装波长转换片1和光半导体元件5的封装光半导体元件9。封装光半导 体元件9不包括第1剥离片2,优选由光半导体元件封装波长转换片1和光半导体元件5形成。
[0214] 然后，如图2B的箭头所示，将封装光半导体元件9自第2剥离片8剥离。具体而言，将 封装光半导体元件9自第2剥离片8朝上侧剥离。封装光半导体元件9也是用于制作光半导体 装置10的部件，是可作为部件单独流通、在产业上利用的器件。
[0215] 接着，如图2C所示，将封装光半导体元件9安装于基板6。具体而言，使封装光半导 体元件9的光半导体元件5的端子(未图示)与基板6的端子