晶片的加工方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及对于通过在基板的正面层叠的功能层而形成了多个器件的晶片，沿着 划分器件的多条分割预定线进行分割的晶片的加工方法。
【背景技术】
[0002] 如本领域普通技术人员所熟知的那样，在半导体器件制造工艺中，通过在硅等的 基板正面层叠绝缘膜和功能膜而成的功能层而形成有将多个IC、LSI等的器件形成为矩阵 状的半导体晶片。如上形成的半导体晶片由分割预定线而划分出上述器件，并且通过沿着 该分割预定线进行分割，制造出各个半导体器件芯片。
[0003] 在近些年来，为了提升IC、LSI等的半导体器件芯片的处理能力，如下方式的半导 体晶片变得实用，其通过在硅等的基板正面层叠由SiOF、BSG(SiOB)等的无机物类的膜或 聚酰亚胺类、聚对二甲苯系等的作为聚合物膜的有机物类的膜而成的低介电率绝缘体被膜 (Low-k膜）的功能层而形成半导体器件。
[0004] 这种沿着半导体晶片的分割预定线的分割通常是使用被称作切割锯的切削装置 进行的。该切削装置具有保持作为被加工物的半导体晶片的作为被加工物保持单元的卡盘 台、用于切削被保持于该卡盘台上的半导体晶片的切削单元、以及使卡盘台与切削单元相 对移动的移动单元。切削单元包括高速旋转的旋转主轴和安装于该主轴上的切削刀具。切 肖IJ刀具由圆盘状的基台和安装于该基台的侧表面外周部上的环状的切割刃构成，切割刃是 将例如粒径为3 μL?左右的金刚石磨粒通过电铸固定形成的。
[0005] 然而，上述Low-k膜不同于晶片的素材，因此难以通过切削刀具同时切削。即， Low-k膜如云母般非常脆，因而若通过切削刀具沿着分割预定线进行切削，则Low-k膜会剥 离，存在该剥离对到达电路的器件带来致命损伤的问题。
[0006] 为了解决上述问题，在下述专利文献1中公开了一种晶片的分割方法，在形成于 半导体晶片上的分割预定线的两侧沿着分割预定线照射激光光线，且沿着切割线形成2条 激光加工槽并断开功能层，在这2条激光加工槽之间定位切削刀具并使切削刀具与半导体 晶片相对移动，从而将半导体晶片沿着分割预定线切断。
[0007] 专利文献1 :日本特开2005-64231号公报
[0008] 然而，在如上述专利文献1所述的在形成于半导体晶片上的分割预定线的两侧沿 着分割预定线照射激光光线，从而沿着分割预定线形成2条激光加工槽并断开功能层，在 这2条激光加工槽之间定位切削刀具并将半导体晶片沿着分割预定线切断的晶片的分割 方法中，存在如下的问题。
[0009] (1)为了断开功能层，需要沿着分割预定线形成至少2条激光加工槽，生产效率较 差。
[0010] (2)在形成激光加工槽时如果功能层的断开不充分，则会产生切削刀具的偏离或 倾倒，在切削刀具上产生偏离磨损。
[0011] (3)如果从晶片的正面形成激光加工槽则碎肩会飞散，因此需要在晶片的正面上 覆盖保护膜，生产效率较差。
[0012] (4)为了形成2条激光加工槽而至少照射2次激光光线，从而会在晶片上残留热畸 变，器件的抗折强度降低。
[0013] (5)为了在超过切削刀具的宽度的范围内形成2条激光加工槽，需要增大分割预 定线的宽度，使得形成于晶片上的器件数量减少。
[0014] (6)如果对在功能层的正面形成有包括Si02、SiO、SiN、SiNO的钝化膜的晶片照射 激光光线，则会透过钝化膜对功能层进行加工，从而失去散热空间而产生在横方向上展开 加工的所谓的咬边现象。
【发明内容】
[0015] 本发明就是鉴于上述情况而完成的，其主要的技术课题在于，提供一种对于通过 在基板的正面层叠而成的功能层而形成了多个器件的晶片，能够解决上述问题并分割为各 个器件的晶片的加工方法。
[0016] 为了解决上述主要技术课题，本发明提供一种晶片的加工方法，对于通过在基板 的正面层叠而成的功能层而形成了多个器件的晶片，沿着划分该器件的多条切割线进行分 害J，其特征在于，包括：
[0017] 保护带贴附工序，使敷设有粘结层的保护带的粘结层侧与晶片的功能层的正面相 对而在功能层的正面贴附保护带；以及
[0018] 晶片分割工序，将晶片的实施了该保护带贴附工序的保护带侧保持于卡盘台的保 持面上，从晶片的基板的背面侧沿着分割预定线照射对于基板和功能层具有吸收性的波长 的激光光线，沿着分割预定线形成到达保护带的激光加工槽，从而将晶片分割为各个器件 芯片，
[0019] 在该保护带贴附工序中，以在晶片分割工序中因照射激光光线而沿着分割预定线 生成的碎肩不会附着于器件的正面的方式，将保护带的粘结层以与器件紧密贴合而不存在 间隙的方式进行贴附。
[0020] 发明的效果
[0021] 根据本发明的晶片的加工方法，保护带贴附工序以在晶片分割工序中因照射激光 光线而沿着分割预定线生成的碎肩不会附着于器件的正面的方式，将保护带的粘结层以与 器件紧密贴合而不存在间隙的方式进行贴附，因此虽然在晶片分割工序中照射对于基板和 功能层具有吸收性的波长的脉冲激光光线会产生碎肩，然而将保护带的粘结层贴附为与形 成于功能层上的器件紧密贴合而不存在间隙，因此碎肩不会附着于器件上。
[0022] 此外，本发明的晶片的加工方法可获得如下的作用效果。
[0023] (1)为了断开功能层而无需沿着分割预定线形成多条激光加工槽，因而生产效率 得以提升。
[0024] (2)不在功能层上形成激光加工槽，因此不会产生切削刀具的偏离或倾倒，也不会 在切削刀具上产生偏离磨损。
[0025] (3)不会从晶片的正面照射激光光线，因此无需在晶片的正面上覆盖保护膜。
[0026] (4)从基板的背面侧形成切削槽，因此不需要较宽的分割预定线，能够增加可形成 于晶片上的器件数量。
[0027] (5)不会从晶片的正面照射激光光线，因此在功能层的正面形成有包括Si02、Si0、 SiN、SiN0的钝化膜的晶片上，可抑制透过钝化膜对功能层进行加工而暂时失去热量的散热 空间且在横方向上展开加工的情况。
【附图说明】
[0028] 图1是表示半导体晶片的立体图和要部放大剖面图。
[0029] 图2是保护带贴附工序的说明图。
[0030] 图3是用于实施晶片分割工序的激光加工装置的要部立体图。
[0031] 图4是表示晶片分割工序的第1实施方式的说明图。
[0032] 图5是用于实施切削槽形成工序的切削装置的要部立体图。
[0033] 图6是切削槽形成工序的说明图。
[0034] 图7是表示晶片分割工序的第2实施方式的说明图。
[0035] 图8是表示晶片分割工序的第2实施方式的说明图。
[0036] 图9是晶片支承工序的说明图。
[0037] 图10是保护带剥离工序的说明图。
[0038] 图11是用于实施器件分离工序的器件分离装置的立体图。
[0039] 图12是器件分离工序的说明图。
[0040] 标号说明
[0041] 2 :半导体晶片，20 :基板，21 :功能层，22 :器件，23 :分割预定线，24 :激光加工槽， 25 :切削槽，4 :按压辊，5 :激光加工装置，51 :激光加工装置的卡盘台，52 :激光光线照射单 元，522 :聚光器，6 :切削装置，61 :切削装置的卡盘台，62 :切削单元，623 :切削刀具，7 :器 件分离装置，71 :框架保持单元，72 :带扩张单元，73 :拾取夹头，F :环状框架，T :切割带。
【具体实施方式】
[0042] 以下，参照附图进一步详细说明本发明的晶片的加工方法。
[0043] 图1的（a)和（b)示出通过本发明的晶片的加工方法而被分割为各个器件的半导 体晶片的立体图和要部放大剖面图。图1的（a)和（