与晶片的半径一致；当第一喷淋装置40的形状为圆柱体时，圆柱体的直径与晶片的直径一致。
[0029]同时，提高晶片腐蚀均匀性的装置还包括第二喷淋臂50以及第二喷淋装置60，第二喷淋装置60安装在可带动其旋转和/或升降的第二喷淋臂50上，第二喷淋装置60用于在晶片20的一端边缘至另一端边缘之间做往复运动并喷射化学药液，第二喷淋装置60连通用于供给化学药液的第二进液管路61，第二进液管路61上具有控制化学药液流通的第三控制阀62，当使用第二喷淋装置60时，打开第三控制阀62即可，实现一边供液一边喷淋。
[0030]为了更加精确控制晶片腐蚀速率，第二喷淋臂50上可设有速度传感器以及速度调整器(图中未示出)，速度传感器用于感测第二喷淋装置60在晶片20上方的摆动速率，速度调整器用于调整第二喷淋装置60在晶片20上方的摆动速率，具体的摆动速率可根据实际需求而定，在此不做限定，通过调整第二喷淋装置60的摆动速率，精确控制晶片20腐蚀速率，进一步提尚晶片的腐蚀均勾性。
[0031]此外，本发明还提供一种提高晶片腐蚀均匀性的方法，包括以下步骤:
[0032]步骤SO1:提供待清洗的晶片20并承载于晶片载具10上，晶片载具10以预设旋转速度带动晶片20旋转。
[0033]步骤S02:将第一喷淋装置40从home位置(即初始位置)旋转并升降至晶片20上方的预设位置，该预设位置的设定可保证第一喷淋装置40喷出的化学药液可同时覆盖晶片的半径或直径范围，同时，关闭喷射孔43的第二控制阀44，打开第一进液管路41的第一控制阀42，直至中空腔体内的化学药液达到预设液位高度，触发液位传感器45的显示灯亮起，关闭第一进液管路41的第一控制阀42。
[0034]本步骤中，对第一喷淋装置40在晶片20上方的预设位置做进一步限定，当第一喷淋装置40的长度与晶片20的半径一致时，第一喷淋装置40的一端与晶片20的边缘对齐，另一端与晶片20的圆心对齐；当第一喷淋装置40的长度与晶片20的直径一致时，第一喷淋装置40的一端与晶片20的一端边缘对齐，另一端与晶片20的另一端边缘对齐。
[0035]步骤S03:打开喷射孔43的第二控制阀44，以使喷射孔43喷出的化学药液同时覆盖在旋转的晶片20表面。
[0036]步骤S04:将第一喷淋装置40从预设位置旋转并升降回home位置，再将第二喷淋装置60从home位置旋转并升降至晶片20上方的预设位置，打开第三控制阀62，从晶片20的一端边缘至另一端边缘之间做往复运动并喷射化学药液，直至完成晶片20表面预设量的腐蚀。
[0037]本步骤中，第二喷淋装置60在晶片20上方喷射预设时间的化学药液后，可首先通过速度传感器感测第二喷淋装置的摆动速率，再根据实际需求，通过速度调整器调整第二喷淋装置的摆动速率，继续从晶片20的一端边缘至另一端边缘之间做往复运动并喷射化学药液，以精确控制晶片腐蚀速率。
[0038]综上所述，本发明提供的一种提高晶片腐蚀均匀性的装置及方法，通过设置第一喷淋装置，使其长度与晶片的半径或直径一致，在喷射化学药液时，伴随晶片高速旋转的状态，可在晶片表面瞬时均匀覆盖化学药液，使得晶片表面各处同时与化学药液产生反应，解决了现有技术中化学药液在起喷点处腐蚀速率高于晶片其他各处的问题，提高了晶片的腐蚀的均匀性，进一步的，在晶片腐蚀过程中，还可通过调整第二喷淋装置的摆动速率，精确控制晶片腐蚀速率，进一步提高晶片的腐蚀均匀性。
[0039]以上所述的仅为本发明的优选实施例，所述实施例并非用以限制本发明的专利保护范围，因此凡是运用本发明的说明书及附图内容所作的等同结构变化，同理均应包含在本发明的保护范围内。
【主权项】
1.一种提高晶片腐蚀均匀性的装置，包括用于承载晶片的晶片载具，所述晶片载具可带动晶片旋转至预设旋转速度，其特征在于，还包括第一喷淋臂以及第一喷淋装置，所述第一喷淋装置安装在可带动其旋转和/或升降的第一喷淋臂上;其中，所述第一喷淋装置的长度与所述晶片的半径或直径一致，可在晶片表面瞬时均匀覆盖化学药液，其具有用于盛装化学药液的中空腔体，所述中空腔体的上表面连通用于供给化学药液的第一进液管路，所述第一进液管路上设有第一控制阀以控制化学药液的流通，所述中空腔体的下表面设有若干均匀分布的喷射孔以及第二控制阀，所述第二控制阀同时控制各喷射孔的启闭，以使所述喷射孔喷出的化学药液同时覆盖所述晶片表面。2.根据权利要求1所述的提高晶片腐蚀均匀性的装置，其特征在于，所述第一喷淋装置的形状为长方体、扇形体或圆柱体，当所述第一喷淋装置的形状为长方体时，所述长方体的长度与所述晶片的半径或直径一致；当所述第一喷淋装置的形状为扇形体时，所述扇形体的边长与所述晶片的半径一致；当所述第一喷淋装置的形状为圆柱体时，所述圆柱体的直径与所述晶片的直径一致。3.根据权利要求2所述的提高晶片腐蚀均匀性的装置，其特征在于，所述第一喷淋装置的中空腔体内设有用于感测化学溶液液位高度的液位传感器。4.根据权利要求3所述的提高晶片腐蚀均匀性的装置，其特征在于，所述液位传感器具有显示灯，当化学溶液达到预设液位高度时，所述显示灯亮起。5.根据权利要求1?4任一所述的提高晶片腐蚀均匀性的装置，其特征在于，提高晶片腐蚀均匀性的装置还包括第二喷淋臂以及第二喷淋装置，所述第二喷淋装置安装在可带动其旋转和/或升降的第二喷淋臂上，所述第二喷淋装置用于在晶片的一端边缘至另一端边缘之间做往复运动并喷射化学药液。6.根据权利要求5所述的提高晶片腐蚀均匀性的装置，其特征在于，所述第二喷淋装置连通用于供给化学药液的第二进液管路，所述第二进液管路上具有控制化学药液流通的第三控制阀。7.根据权利要求5所述的提高晶片腐蚀均匀性的装置，其特征在于，所述第二喷淋臂上设有速度传感器以及速度调整器，所述速度传感器用于感测所述第二喷淋装置在晶片上方的摆动速率，所述速度调整器用于调整所述第二喷淋装置在晶片上方的摆动速率。8.一种提高晶片腐蚀均匀性的方法，其特征在于，包括以下步骤: 步骤SOl:提供待清洗的晶片并承载于晶片载具上，晶片载具以预设旋转速度带动晶片旋转； 步骤S02:将第一喷淋装置从home位置旋转并升降至晶片上方的预设位置，以使所述第一喷淋装置喷出的化学药液可同时覆盖所述晶片的半径或直径范围，同时，关闭喷射孔的第二控制阀，打开第一进液管路的第一控制阀，直至中空腔体内的化学药液达到预设液位高度； 步骤S03:打开喷射孔的第二控制阀，以使所述喷射孔喷出的化学药液同时覆盖在旋转的晶片表面； 步骤S04:将第一喷淋装置从预设位置旋转并升降回home位置，再将第二喷淋装置从home位置旋转并升降至晶片上方的预设位置，打开第三控制阀，从晶片的一端边缘至另一端边缘之间做往复运动并喷射化学药液，直至完成晶片表面预设量的腐蚀。9.根据权利要求8所述的提高晶片腐蚀均匀性的方法，其特征在于，所述步骤S02中，当第一喷淋装置的长度与所述晶片的半径一致时，所述第一喷淋装置的一端与所述晶片的边缘对齐，另一端与所述晶片的圆心对齐；当所述第一喷淋装置的长度与所述晶片的直径一致时，所述第一喷淋装置的一端与所述晶片的一端边缘对齐，另一端与所述晶片的另一端边缘对齐。10.根据权利要求8所述的提高晶片腐蚀均匀性的方法，其特征在于，所述步骤S04中，第二喷淋装置晶片上方喷射预设时间的化学药液后，调整所述第二喷淋装置的摆动速率，继续从晶片的一端边缘至另一端边缘之间做往复运动并喷射化学药液。
【专利摘要】本发明公开了一种提高晶片腐蚀均匀性的装置及方法，包括第一喷淋臂以及第一喷淋装置,第一喷淋装置安装在可带动其旋转和/或升降的第一喷淋臂上，第一喷淋装置的长度与晶片的半径或直径一致，其喷出的化学药液可瞬间同时覆盖晶片的表面。本发明通过设置第一喷淋装置，在喷射化学药液时，伴随晶片高速旋转的状态，可在晶片表面瞬时均匀覆盖化学药液，使得晶片表面各处同时与化学药液产生反应，解决了现有技术中化学药液在起喷点处腐蚀速率高于晶片其他各处的问题，提高了晶片的腐蚀的均匀性；进一步的，在晶片腐蚀过程中，还可通过调整第二喷淋装置的摆动速率，精确控制晶片腐蚀速率，进一步提高晶片的腐蚀均匀性。
【IPC分类】H01L21/67
【公开号】CN105552007
【申请号】CN201610101512
【发明人】刘伟, 许璐
【申请人】北京七星华创电子股份有限公司
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2016年2月24日