显示器件制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种半导体工艺，尤其涉及一种显示器件制备方法。
【背景技术】
[0002] 目前，在显示器件的制造过程中，要求显示器件具有高开口率，甚至是超高开口 率。
[0003] 器件的开口率是指除去每一个像素的配线部、晶体管部（通常采用黑色矩阵隐 藏）后的光线通过部分的面积和每一个像素整体的面积之间的比例。所以，器件的开口率 越高，光线通过的效率也就越高。
[0004] 为了提高器件的开口率，通常采用具有高开口率（或超高开口率）的有机膜工艺 流程来实现，即通过于两层相邻的金属层之间设置有机材料层，以利用有机材料来降低该 两层金属层之间的耦合效应，进而制备具有高开口率的器件。
[0005] 传统制备上述具有高开口率的器件的工艺主要包括前序工艺和有机膜工艺，其具 体工艺步骤如下：
[0006] 首先在玻璃基板上制备多晶硅（Polysilicon)，然后形成栅绝缘层（Gate Insulator)，接着制备栅极线（Gate Line)，并继续刻蚀以形成接触孔（Contact Hole)， 之后形成数据线层（Data Line);在上述的数据线层制备完成之后，继续形成具有超高开 口率有机物物平坦化层（Organic Material Planar Layer with Ultra High Aperture ratio)〇
[0007] 其中，对于该超高开口率有机物平坦化层的工艺流程中，一般都包含光阻的涂覆 (coating)、曝光（exposure)、显影（develop)、有机物平坦化层的烘烤（baking)和固化 (curing)等工艺步骤。在这些工艺步骤中，由于对有机物平坦化层进行固化后，一般都会形 成一层有机物的聚合物（organic polymer)覆盖于器件的表面，如不加以去除，会导致器件 的金属与金属层之间接触阻抗过高或其他异常情况，因此，为了保证器件的良率，需要在该 步骤之后对该步骤所形成的副产物（有机聚合物）进行去除。
[0008] 可见，由于在进行有机物平坦化层的固化过程中会伴随着有机物聚合物副产物的 产生，因此，在对该有机物平坦化层进行固化之后还需要至少进行两步的清理（有机聚合 物的干刻去除和电极工艺前的预清洗），这样会导致器件在实际的生产过程中，无形中增加 了工艺步骤的数量，进而增加了产品的工艺周期，影响了产品的生产效率。
[0009] 中国专利（CN 1641830A)公开了一种显示面板的制作方法，包括：在显示面板上 依序形成保护层以及平坦层，平坦层是由有机高分子材料构成的光致抗蚀剂，其厚度约为 500 A~50000人,用来维持表面平坦，接着将平坦层图形化，以形成开口，继续向下刻蚀保 护层形成接触孔，通过一去光致抗蚀剂工艺（descum)来扩大开口，接着在平坦层表面沉积 一导电层。
[0010] 该专利并未给出如何进行有机聚合物去除的具体方法。
[0011] 中国专利（CN 101017301A)公开了一种制造显示基板的方法，具体包括：在形成 有有源元件和电容结构的基板上涂布平坦层，在平坦层中形成导孔，于平坦层上依序形成 透明导电层以及反射电极层，透明导电层的材质可为铟锡氧化物等。
[0012] 该专利所公开的方法是在平坦层制备完成后，直接进行ITO层的沉积，上述两步 工艺之间并没有进行有机聚合物的去除。
[0013] 由此可见，目前在具有超高开口率的显示器件的制备过程中，尚不存在一种既节 省工艺步骤又能够对有机聚合物进行去除的有效方法。
【发明内容】
[0014] 鉴于上述问题，本发明提供一种显示器件制备方法。
[0015] 本发明解决技术问题所采用的技术方案为：
[0016] -种显示器件的制备方法，其特征在于，
[0017] 于一半导体结构的表面涂覆一有机物层；
[0018] 经曝光、显影后，于所述半导体结构上将所述有机物层形成具有开口图形的平坦 化层；
[0019] 对所述平坦化层进行固化工艺，固化工艺所述平坦化层的表面形成一有机聚合物 层；
[0020] 湿法刻蚀去除所述有机聚合物层后，沉积电极层覆盖所述平坦化层的上表面，且 该电极层还覆盖所述开口图形的底部及其侧壁；
[0021] 所述半导体结构中设置一数据线层，所述平坦化层覆盖于所述数据线层的上表 面，且所述电极层与所述数据线层电性连接。
[0022] 所述的显示器件制备方法，其中，所述半导体结构还包括多晶硅栅极、栅绝缘层、 栅极线和接触孔。
[0023] 所述的显示器件制备方法，其中，采用包含有乙醇胺的化学清洗液进行所述湿法 刻蚀。
[0024] 所述的显示器件制备方法，其中，所述化学清洗液中还包含有二甲基亚砜；
[0025] 所述的显示器件制备方法，其中，所述化学清洗液中还包含有二乙二醇丁醚。
[0026] 所述的显示器件制备方法，其中，所述化学清洗液中还包含有二甲基乙酰胺。
[0027] 所述的显示器件制备方法，其中，采用包含有氢氟酸的化学清洗液进行所述湿法 刻蚀。
[0028] 所述的显示器件制备方法，其中，所述透明电极的材质为氧化铟锡。
[0029] 所述的显示器件制备方法，其中，所述对所述有机聚合物层进行所述湿法刻蚀时， 还伴随有大气电浆刻蚀工艺。
[0030] 所述的显示器件制备方法，其中，所述有机聚合物层覆盖于所述平坦化层的上表 面以及每个所述开口图形的底部和侧壁表面。
[0031] 上述技术方案具有如下优点或有益效果：
[0032] 本发明方法通过湿法刻蚀的方法来去除超高开口率显示器件制备工艺中产生的 再沉积的有机聚合物层，与传统技术相比，本发明方法中并不需要使用干法刻蚀机台，从而 使得工艺设备的建制费用投入大大降低。另外，采用本发明的方法将有机聚合物层去除的 同时还对器件结构的表面进行了清洗，所以当进行后续透明电极的沉积制备工艺前不需要 再进行预清洗，从而减少了工艺流程数量，进而简化了工艺流程。
【附图说明】
[0033] 参考所附附图，以更加充分的描述本发明的实施例。然而，所附附图仅用于说明和 阐述，并不构成对本发明范围的限制。
[0034] 图1是本发明方法实施例中从平坦化层工艺至电极沉积工艺之间的流程示意图；
[0035] 图2~图7是本发明方法实施例中经过不同工艺步骤后所形成的器件结构示意 图；
[0036] 图8是本发明方法另一实施例中从平坦化层工艺至电极沉积工艺之间的流程示 意图。
【具体实施方式】
[0037] 本发明提供一种高开口率显示器件制备工艺中有机聚合物的去除方法，本发明可 应用于任何会形成有机聚合物的高开口率或者超高开口率的显示器件的制备工艺中，如低 温多晶硅器件（LTPS)、薄膜晶体管器件（TFT)、液晶显示器件（LCD)或主动式有机致电发光 显示器（AMOLED)的制备工艺等。
[0038] 本发明的中心思想是在去除有机聚合物时，通过采用化学清洗液（chemical base treatment)处理工艺完全或部分取代以下两个工艺步骤：
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