00的示例，其具有如下封装结构:其中经沿着主光提取表面的反方向的LED 1910的底表面形成电极，并且磷光体层1907和透镜1920 —体地形成。
[0177]图14所示的CSP 1900包括设置在安装衬底1911上的发射堆叠件S、第一端子Ta和第二端子Tb、磷光体层1907和透镜1920。
[0178]发射堆叠件S具有包括第一导电半导体层1904和第二导电半导体层1906以及设置在第一半导体层1904与第二导电半导体层1906之间的有源层1905的堆叠结构。在当前实施例中，第一导电半导体层1904和第二导电半导体层1906可分别为η型半导体层和P型半导体层，并且可由诸如AlxInyGau x y)N(0彡χ彡1，O彡y彡1，O彡x+y彡I)的氮化物半导体形成。可替换地，除氮化物半导体之外，第一导电半导体层1904和第二导电半导体层1906可由基于GaAs的半导体或基于GaP的半导体形成。
[0179]设置在第一导电半导体层1904与第二导电半导体层1906之间的有源层1905可发射由于电子和空穴的复合而具有预定能量的光，并且可具有其中量子阱层和量子势皇层交替地堆叠的MQW结构。MQW结构可包括InGaN/GaN结构或AlGaN/GaN结构。
[0180]可通过本领域熟知的诸如MOCVD、MBE、HVPE等的半导体层生长工艺来形成第一导电半导体层1904和第二导电半导体层1906以及有源层1905。
[0181]在图14所示的LED 1910中，已经去除了生长衬底，并且凹凸结构P可形成在LED1910的去除了生长衬底的表面上。另外，磷光体层1907在其上形成有凹凸结构的表面上形成为光转换层。
[0182]LED 1910可具有分别接触第一导电半导体层1904和第二导电半导体层1906的第一电极1909a和第二电极1909b。第一电极1909a具有通过穿过第二导电半导体层1906和有源层1905而接触第一导电半导体层1904的导电过孔1908。在导电过孔1908与有源层1905和第二导电半导体层1906之间形成绝缘层1903以防止短路。
[0183]虽然布置了一个导电过孔1908，但是在另一实施例中，可布置至少两个导电过孔1908以用于改进电流分布，并且它们可按照各种形式布置。
[0184]安装衬底1911是容易地应用于半导体工艺过程的诸如硅衬底之类的支承衬底，但是安装衬底1911的示例可变化。安装衬底1911和LED 1910可通过接合层1902和1912彼此接合。接合层1902和1912可由电绝缘材料或导电材料形成，并且关于这一点，电绝缘材料的不例可包括诸如Si02、SiN等的氧化物，或者包括娃树脂、环氧树脂等的树脂材料，并且导电材料的示例可包括Ag、Al、T1、W、Cu、Sn、N1、Pt、Cr、NiSn, Tiff, AuSn或它们的共晶金属。可按照将接合层1902和1912布置在LED 1910和安装衬底1911的接合表面上并随后接合在一起的方式来执行接合工艺。
[0185]穿过安装衬底1911的过孔形成在安装衬底1911的底表面，以接触接合的LED1910的第一电极1909a和第二电极1909b。然后，绝缘体1913可形成在过孔的侧表面和安装衬底1911的底表面上。当安装衬底1911形成为硅衬底时，绝缘体1913可布置为通过热氧化工艺形成的氧化硅层。通过用导电材料填充过孔，第一端子Ta和第二端子Tb形成为连接至第一电极1909a和第二电极1909b。第一端子Ta和第二端子Tb可包括种子层1918a和1918b以及通过利用种子层1918a和1918b经电镀工艺形成的电镀充电单元1919a和1919bo
[0186]图15示出了根据本发明构思的示例性实施例的发光模块检查设备200的构思。图16是根据本发明构思的示例性实施例的制造发光设备的方法的流程图。
[0187]参照图15，发光模块检查设备200可包括用于支承衬底110的支承件201、用于将能量施加至衬底110上的发光封装件120的能量施放器210、用于感测从发光装置124发射的光的光感测部分230和用于利用通过光感测部分230获得的信息确定发光封装件120的位置的位置确定器250。
[0188]参照图15和图16，可在支承件201上设置衬底IlO(Sl)。由于先前详细描述了衬底110，因此这里省略进一步的描述。如上所述，可在衬底110上设置基准标记Mkl和Mk2(参照图l)o
[0189]支承件201不限于特定类型，只要衬底110可设置在支承件201上即可。参照图15，支承件201是平的，但是在另一实施例中，支承件201可具有用于固定衬底110的两端的结构。
[0190]另外，支承件201还可包括用于牢固地固定衬底110的固定部分203。固定部分203可为能够保持衬底110的诸如夹子或小片之类的任何固定器具，并且固定部分203的类型不受限制。
[0191]然后，可在衬底110上设置发光封装件120 (S2)。发光封装件120可包括发光装置124，并且先前详细提供了其描述，因此，这里省略进一步的描述。这里，在覆盖发光装置124的包封构件中可不存在磷光体。因此，与包括磷光体的发光封装件相比，可以低成本地提供发光封装件120。在当前实施例中，从发光封装件120发射的光可基本等于从发光装置124发射的光。
[0192]假定发光封装件120位于目标位置T，但是可能因为各种因素而设为从目标位置T偏离。因此，有必要获得告知发光封装件120从目标位置T偏离多远的信息和关于设置发光封装件120的确切位置的信息。如果发光封装件120设置在显著远离目标位置T并且在预定公差以外的位置，则需要修理或丢弃发光封装件120或者包括发光封装件120的模块。可替换地，如果需要在发光封装件120上布置诸如光提取透镜130的额外结构，则需要检测发光封装件120的确切位置。
[0193]当从发光装置124发射光时，可通过利用光来确定发光封装件120的确切位置。为此，可将能量施加至发光封装件120，以使得从发光装置124发射光(S3)。施加至发光封装件120的能量可为电能量或光能量。参照图15，将光能量施加至发光封装件120，但是本发明构思的一个或多个示例性实施例不限于此。
[0194]为此，发光模块检查设备200还可包括能量施放器210。能量施放器210可为电力供应器，或者，如图15所示，可为光辐射器。
[0195]如果能量施放器210是光辐射器，则能量施放器210可包括光源211、滤光器213和光聚焦光学系统215。光源211可为用于产生光的仪器。更详细地说，光源211可通过从外部源接收电力而产生可见光或UV光。可以考虑发光装置124的特性来选择光源211，并且稍后将提供其详细描述。
[0196]滤光器213可用于使得光的辐射方向一致和/或限制辐射的光的波长范围。例如，滤光器213可构造为进一步传输预定区的波长。在当前实施例中，滤光器213可包括使得光的福射方向一致的准直仪。
[0197]从能量施放器210发射的光可辐射至发光封装件120，并且更具体地，光可主要聚焦在发光装置124上。为了将辐射的光聚焦在特定区上，可提供光聚焦光学系统215。参照图15，将光聚焦光学系统215布置为一个透镜，但是光聚焦光学系统215可包括两个或更多个透镜和/或其它光聚焦仪器。
[0198]不需要将通过光聚焦光学系统215聚焦的光仅聚焦在发光装置124上，因此，可以仅将聚焦的光的一部分辐射至发光装置124。关于这一点，聚焦的光的该部分的量必须足以激发发光装置124，从而使得从发光装置124发射光。
[0199]从光源211发射的光的波长可比从发光装置124发射的光的波长更短。例如，如果发光装置124构造为发射蓝光，则从光源211发射的光可为波长比蓝光的波长更短的UV光。在示例性实施例中，如果发光装置124构造为发射红光，则从光源211发射的光可为波长比红光的波长更短的UV光、蓝光或绿光。
[0200]在当前实施例中，从光源211发射并且辐射至发光装置124的光的能量可大于发光装置124的随机发射层的带隙能量。从光源211发射并且入射在发光装置124上的光可激发发射层，并且当激发的发射层返回至基态时，可从发光装置124发射光。
[0201]然后，分析从发光装置124发射的光，从而可确定发光封装件120的位置(S4)。这里，从发光装置124发射的光可由于从能量施放器210施加至发光封装件120的能量而发射。
[0202]为了分析从发光装置124发射的光，发光模块检查设备200还可包括用于感测从发光装置124发射的光的光感测部分230。
[0203]光感测部分230可构造为对从发光装置124发射的光进行行扫描，以聚集从中获得的多条数据，并产生一条图像信息。可替换地，包括以二维方式排列的电荷耦合器件(CCD)的光感测部分230可构造为通过使得从发光装置124发射的光辐射在电荷耦合器件(CXD)上来获得二维图像信息。
[0204]位置确定器250可通过利用通过光感测部分230获得的图像信息来确定发光封装件120的位置。
[0205]图17A示出了根据本发明构思的示例性实施例的通过光感测部分230获得的从发光封装件120发射的光的图像。图17B是图17A所示的部分B的放大图。
[0206]参照图17A，经发光封装件120的窗口 122提取从发光装置124 (参照图15)发射的光，因此，窗口 122的部分以明亮方式示出而除窗口以外的一部分由于光没有通过而以昏暗方式示出。因此，可由于光通过其发射的区域的轮廓来间接识别窗口 122的轮廓。
[0207]如上所述，由于发光封装件120不包括磷光体，因此可从发光装置124发射经窗口122发射的任何光。
[0208]如果窗口 122具有圆形，则发光封装件120的位置可通过窗口 122的中心Cl表示。在这种情况下，发光封装件120可设置在衬底110上，以使中心Cl匹配目标位置T。然而，如上所述，由于各种因素，可能在中心Cl偏离目标位置T的情况下设置发光封装件120。
[0209]参照图17B，可通过利用基准标记Mkl和Mk2将目标位置T设为坐标(Xl，Y1)。也就是说，在衬底I1设置在支承件201上之后，发光模块检查设备200可通过利用光感测部分230获得衬底110的表面的图像。然后，衬底110的表面的图像转移至位置确定器250。基准标记Mkl和Mk2以可识别的方式设置在衬底110的表面上，并且位置确定器250可通过利用基准标记Mkl和Mk2的位置在衬底110的表面的图像上确定目标位置T的位置。
[0210]如参照图17A描述的，可根据窗口 122的外形来计算窗口 122的中心Cl的位置，并且可将其设为坐标(x2，y2)。因此，可计算中心Cl与目标位置T之间的距离d。
[0211]如果距离d的值在预定公差以内，则发光模块检查设备200可确定模块符合质量要求。相反，如果距离d的值在预定公差以外，则发光模块检查设备200可确定模块不符合质量要求，随后可修理或丢弃模块，从而可防止出现随后的不必要的成本。
[0212]可通过利用商业化的软件包根据窗口 122的轮廓来计算窗口 122的中心Cl的位置。
[0213]然后，可基于所确定的发光封装件120的位置将光提取透镜130设置在发光封装件120上(S5)。如以上参照图1描述的那样，可将光提取透镜130的目标位置设为使得光提取透镜130的中心C2位于发光封装件120的光轴上。然而，如上所述，当发光封装件120实际设置在衬底110上时，发光封装件120可能被设为偏离目标位置。因此，光提取透镜130的目标位置可调整为对应于所确定的发光封装件120的位置。
[0214]更详细地，在发光封装件120设置在衬底110上之前，将指示发光封装件120的目标位置T的坐标(Xl，yi)设为光提取透镜130的目标位置。然而，在发光封装件120设置在衬底110上之后，可将所确定的发光封装件120的位置，即，指示发光封装件120的窗口 122的中心Cl的位置的坐标(x2，y2)设为光提取透镜130的新目标位置。
[0215]当确定了光提取透镜130的新目标位置时，光提取透镜130可设置在新目标位置上。
[0216]在当前实施例中，辐射了光以将能量施加至发光封装件120。在下面的示例性实施例中，供应电力，以将能量施加至发光封装件120。
[0217]图18示出了根据本发明构思的另一示例性实施例的发光模块检查设备300的构思。
[0218]参照图18，当前实施例与图15的示例性实施例的不同是，在当前实施例中，不是辐射光而是供应电力来施加能量。
[0219]能够将电力供应至发光封装件120的端子112a和112b可布置在设置在支承件301上的衬底110上。为了将电力供应至发光封装件120，可将电源305电连接至端子112a和