半导体芯片和用于将复合体分解为半导体芯片的方法
【技术领域】
[0001]本申请涉及半导体芯片以及用于将复合体分解为多个半导体芯片的方法。
【背景技术】
[0002]该专利申请要求德国专利申请102013111120.3的优先权，所述德国专利申请的公开内容就此通过回引被接纳。
[0003]半导体芯片通常包括布置在载体上的半导体主体，所述半导体主体经常必须横向地被空出，以便设置从半导体芯片上侧可达的接触部。由此半导体主体的面并且因此在许多应用中还有半导体芯片的功能面在半导体芯片的俯视图中与期望的正方形的或者矩形的形状不同。
[0004]由现有技术例如正方形的或者矩形的发光二极管芯片是已知的，其中至少一个上侧接触部以接合焊盘的形式被设置，所述接合焊盘与产生电磁辐射的半导体主体横向地偏移地布置。由此各自的发光二极管芯片的功能面(在该情况下辐射出射面或者发光面)被限制在部分区域中，使得所述功能面与期望的正方形的或者矩形的形状不同。这种几何形状上的偏差也在必要时布置在半导体主体上的转换元件中被重新发现。
[0005]具有以正方形方式构造的半导体主体的矩形半导体芯片由现有技术是已知的，其中侧向偏移地设置用来接触半导体主体的条带。所述条带在此情况下必须具有一定的最小尺寸，所述最小尺寸对于通过接合线的接触是必要的。由于所述接合线仅需要基本上以正方形方式构造的接触面，长形条带的颇为可观的部分不被使用。
【发明内容】
[0006]任务是说明半导体芯片，所述半导体芯片在提供表面接触部时不遭受关于半导体主体和/或其功能面、在发射电磁辐射的半导体芯片情况下尤其其辐射出射面的形状的不期望的限制。此外应当说明用于制造这样的半导体芯片的简单的和可靠的分解方法。
[0007]另一任务是，尤其说明半导体芯片，所述半导体芯片在相同的设计的情况下可以通过简单的分解方法以大的数量被提供，而在该分解方法的情况下不浪费所使用的复合体的有价值的面。通过半导体芯片的相同的设计防止提高的后勤(1gistisch)耗费。
[0008]所述任务尤其是通过根据独立权利要求所述的半导体芯片以及方法解决。扩展方案和权宜之计是从属权利要求的主题。
[0009]半导体芯片根据至少一个实施方式具有包括半导体层序列的半导体主体和载体主体，所述半导体主体和载体主体在竖直的方向上彼此重叠地布置。所述半导体芯片在投影中具有与矩形形状不同的形状。半导体芯片尤其可以在投影中具有拥有多于四个角点的多边形的形状。此外，半导体芯片具有至少一个上侧接触部，所述上侧接触部被设置用于从外部接触半导体主体的至少一部分(例如半导体层之一)，并且从半导体芯片的上侧是自由可达的。
[0010]半导体芯片的上侧在这里以及以下被理解为从半导体主体看与载体主体背离的半导体芯片的侧。类似地，半导体芯片的背侧被理解为从半导体主体看其上布置有载体主体的半导体芯片的侧。
[0011]相似地，投影在这里以及以下被理解为竖直的投影、也即元件(优选地从半导体芯片的上侧)沿着竖直的方向、也即沿着与半导体层序列的半导体层的主延伸平面垂直的方向的投影。
[0012]由于半导体芯片在投影中不具有矩形形状，半导体主体可以以矩形并且尤其以正方形方式被构造，而在半导体芯片上侧上仍然同时存在足够的位置用于定位与半导体主体横向地相间隔的上侧接触部。由此半导体芯片的功能面、尤其辐射出射面也可以以矩形并且尤其以正方形方式被构造。
[0013]半导体芯片通常可以被构造为集成电路。优选地，半导体芯片被构造为光电子器件、例如半导体太阳能电池、发光二极管芯片或者激光二极管芯片。如果诸如在最后提到的两种情况中半导体芯片被构造为辐射发射器件，那么半导体芯片的辐射出射面可以以矩形并且尤其以正方形方式被构造。
[0014]根据半导体芯片的至少一个实施方式规定，半导体芯片具有基本区域和与基本区域横向地偏移的接触区域，其中所述至少一个上侧接触部至少部分地、优选地完全地被布置在接触区域中。横向方向在此情况下被理解为沿着半导体层序列的半导体层的主延伸平面伸展的方向。
[0015]根据半导体芯片的至少一个实施方式规定，半导体主体仅被布置在基本区域中。优选地，基本区域在投影中以矩形并且尤其以正方形方式被构造，以下实施方式是优选的，在所述实施方式中，在投影中以矩形方式构造的半导体主体被布置在半导体芯片的基本区域中，并且同与半导体主体横向地偏移的以及仅仅布置在接触区域中的上侧接触部至少部分地电连接，其中所述基本区域在投影中以矩形方式构造。
[0016]根据半导体芯片的至少一个实施方式规定，仅唯一的上侧接触部布置在接触区域中。这通常前提条件是，此外存在用于进一步接触半导体主体的背侧接触部，这典型地要求导电的载体主体。
[0017]根据半导体芯片的至少一个实施方式规定，两个上侧接触部布置在接触区域中。例如两个上侧接触部中的每个可以与各一个半导体层电连接。在所述实施方式中载体主体可以绝缘地被构造。
[0018]根据半导体芯片的至少一个实施方式规定，基本区域在投影中具有矩形的形状，其中矩形的第一侧沿着第一竖直的方向延伸，并且矩形的第二侧沿着第二竖直的并且与第一方向垂直地伸展的方向延伸。接触区域与基本区域的侧面邻接。因此接触区域在投影中与所投影的基本区域的矩形的一侧、这里与第一侧邻接。
[0019]在这里以及以下，元件的“宽度”被理解为沿着第一竖直方向的尺寸以及元件的“高度”被理解为沿着第二竖直方向的尺寸。
[0020]在这里以及以下，“参考矩形”被理解为矩形，所述矩形的一侧通过投影的基本区域的一侧、尤其通过基本区域的矩形的第一侧构成，并且所述矩形的高度等于投影的接触区域的最大高度。如果基本区域被以矩形方式构造，则参考矩形因此具有与投影的基本区域相同的宽度。以下用B表示所述宽度。
[0021]根据半导体芯片的至少一个实施方式规定，接触区域在投影中完全地被布置在参考矩形之内。在此情况下，接触区域在条带之内伸展，所述条带通过基本区域的宽度预先给定。
[0022]根据半导体芯片的至少一个实施方式规定，在投影中接触区域的面积小于参考矩形的面积。由此相比于上面描述的、由现有技术已知的具有侧向地偏移的接触条带的矩形半导体芯片产生面积节约，因为后者在投影中与这里定义的参考矩形叠合。
[0023]根据半导体芯片的至少一个实施方式规定，在投影中接触区域的面积小于参考矩形的面积的75%。由此相比于现有技术产生进一步的面积节约。
[0024]根据半导体芯片的至少一个实施方式规定，在投影中接触区域的面积小于参考矩形的面积的50%。由此相比于现有技术产生进一步的面积节约。
[0025]根据半导体芯片的至少一个实施方式规定，在投影中接触区域完全地或者至少以其面积的超过80%(优选地超过90%)被布置在参考梯形之内，所述参考梯形被布置在参考矩形之内。参考梯形的高度在此情况下等于参考矩形的高度。此外参考梯