于第二钝化减反射膜层220上，且正电极230向ρ+发射极区域延伸，且其延伸至P+发射极区域的顶部表面，负电极240向η++表面场区域160，且其延伸至η++表面场区域160的顶部表面。
[0104]正电极230和负电极240均为栅线电极。栅线电极为若干条，栅线电极分别分布于第二钝化减反射膜220上，以便引出形成的电流。栅线电极具体包括主栅线电极和副栅线电极。其中，主栅线电极的根数为2-5根，宽度为0.5mm-2.5mm;副栅线电极的根数为50-150根，宽度为 30um-150umo
[0105]需要说明的是，在其他实施例中，在第一钝化减反射膜层210和第二钝化减反射膜层220上分别形成有第一氮化硅层和第二氮化硅层，从而进一步钝化，减少反射。该第一氮化硅层和第二氮化硅层均为二氧化硅、氮化硅、二氧化钛或氧化铝所形成的单层膜，或为二氧化硅、氮化硅、二氧化钛和氧化铝中任何两种或两种以上所形成的多层膜，第一氮化硅层的厚度为65纳米-80纳米，第二氮化娃层的厚度为80纳米-150纳米。优选地，第一氮化娃层和第二氮化硅层均为氮化硅层，从而进一步钝化，减少反射。
[0106]上述IBC太阳电池及其制作方法，通过将N型硅片110的第一表面进行制绒处理，N型硅片110的第二表面进行抛光，再在N型硅片110的第二表面上形成硼掺杂源层120，接着将该N型硅片110放入热氧化炉中进行反应和扩散，由于氧气的作用，从而硼掺杂源层120和N型硅片110中的硅发生反应，形成硼硅玻璃层130，同时硼硅玻璃层130中的硼源向第二表面扩散，从而在第二表面上形成依次层叠的P+发射极层140和硼硅玻璃层130，又由于氧气的作用，在第一表面上形成氧化硅层150，并对第二表面的特定区域进行激光处理，从而去除该特定区域所对应的硼硅玻璃和P+发射极，从而使得第二表面上只有部分区域覆盖有P+发射极和硼硅玻璃，从而将N型硅片110放入磷源扩散炉中时，由于第二表面上部分区域被硼硅玻璃覆盖，使得第二表面上未被硼硅玻璃覆盖的区域形成η++表面场区域160，同时，在第一表面上依次形成η+表面场层180和磷硅玻璃层170，再对第二表面进行激光处理，隔开第二表面上的P+发射极和η++表面场区域160，从而在第二表面上形成图形，将硼硅玻璃和磷硅玻璃层去除，再制作钝化减反射膜层和电极，通过进行了抛光的第二表面上形成硼掺杂源层120，再进行氧化扩散，从而在第一表面上未形成硼掺杂源层120，在之后进行的磷源扩散中，无需对第一表面进行处理，可直接进行扩散，从而减少IBC制作过程中的工艺流程，且采用激光的方式，对第二表面进行图形化处理，工艺更简单且更精确。
[0107]以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
[0108]以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1.一种IBC太阳电池的制作方法，其特征在于，包括如下步骤: 将N型硅片的第一表面进行制绒处理，并将所述N型硅片的第二表面进行抛光； 在所述N型硅片的第二表面上形成硼掺杂源层，并将所述N型硅片放入热氧化炉中进行反应和扩散，在所述N型硅片的第二表面上形成依次层叠的p+发射极层和硼硅玻璃层，在所述第一表面上形成氧化硅层； 对所述第二表面的特定区域进行激光处理，去除所述特定区域的所述硼硅玻璃和所述P+发射极； 将所述N型硅片放入磷源扩散炉中，在所述特定区域上形成依次层叠的η++表面场区域和磷硅玻璃区域，在所述第一表面上依次形成η+表面场层和磷硅玻璃层； 对所述第二表面进行激光处理，隔开所述第二表面上的P+发射极和η++表面场区域，所述P+发射极和所述η++表面场区域构成掺杂层； 去除所述第一表面上的所述磷硅玻璃层和所述第二表面上的所述硼硅玻璃和所述磷硅玻璃区域； 在所述掺杂层和所述η+表面场层上分别形成第一钝化减反射膜层和第二钝化减反射膜层； 在所述第二钝化减反射膜层上分别制备正、负电极。2.根据权利要求1所述的IBC太阳电池的制作方法，其特征在于，所述在所述N型硅片的第二表面上形成硼掺杂源层的步骤具体为:在所述N型硅片的第二表面上旋涂液态硼源，并将所述液态硼源进行烘干，形成所述硼掺杂源层。3.根据权利要求2所述的IBC太阳电池的制作方法，其特征在于，所述液态硼源为含硼化合物的溶液。4.根据权利要求1所述的IBC太阳电池的制作方法，其特征在于，所述将所述N型硅片放入热氧化炉中进行反应和扩散的步骤具体为:将所述N型硅片插入所述热氧化炉的石英舟的凹槽中，且所述石英舟的每个凹槽中只插入一片所述N型硅片，再进行反应和扩散。5.根据权利要求1所述的IBC太阳电池的制作方法，其特征在于，所述将所述N型硅片放入热氧化炉中进行反应和扩散的条件为:所述热氧化炉的温度为900-1000°C，所述N型硅片在热氧化炉中反应的整体时间为90-180分钟。6.根据权利要求1所述的IBC太阳电池的制作方法，其特征在于，在所述对所述第二表面的特定区域进行激光处理，去除所述特定区域的所述硼硅玻璃和所述P+发射极的步骤中，激光处理的参数为:激光波长为500-550nm;模式为脉冲模式或准连续模式;光斑直径为1-500微米。7.根据权利要求1所述的IBC太阳电池的制作方法，其特征在于，在所述将所述N型硅片放入磷源扩散炉中，在所述特定区域上形成依次层叠的η++表面场区域和磷硅玻璃区域，在所述第一表面上依次形成η+表面场层和磷硅玻璃层的步骤中，将所述N型硅片放入磷源扩散炉中进行扩散的条件为:扩散炉的温度为750-900°C，所述N型硅片在所述磷源扩散炉中进行扩散的整体时间为60-120分钟。8.根据权利要求1所述的IBC太阳电池的制作方法，其特征在于，在所述对所述第二表面进行激光处理，隔开所述第二表面上的P+发射极和η++表面场区域的步骤中，所述激光处理的参数为:激光波长为500-1 10nm;模式为脉冲模式或准连续模式;光斑直径为1_100微米。9.根据权利要求1所述的IBC太阳电池的制作方法，其特征在于，在所述在所述掺杂层和所述η+表面场层上分别形成第一钝化减反射膜层和第二钝化减反射膜层的步骤之后，在所述在所述第二钝化减反射膜层上分别制备正、负电极的步骤之前，还包括步骤:在所述第一钝化减反射膜层和所述第二钝化减反射膜层上分别形成第一氮化硅层和第二氮化硅层。10.一种IBC太阳电池，其特征在于，包括: N型硅片，所述N型硅片具有绒面和抛光面，所述N型硅片的绒面侧包括η+表面场层，所述η+表面场层形成于所述绒面上， 所述N型硅片的抛光面侧包括ρ+发射极区域、η++表面场区域以及隔离区域，所述ρ+发射极区域形成于所述抛光面上，所述隔离区域分别与所述P+发射极区域和所述η++表面场区域相邻，且所述隔离区域延伸至所述N型硅片内，所述η++表面场区域的顶部表面与所述N型硅片的抛光面齐平，且所述η++表面场区域延伸至所述N型硅片内； 第一钝化减反射膜层和第二钝化减反射膜层，所述第一钝化减反射膜层位于所述η+表面场层上，所述第二钝化减反射膜层覆盖所述P+发射极区域、所述η++表面场区域以及所述隔离区域；以及 正电极和负电极，所述正电极和所述负电极均位于所述第二钝化减反射膜层上，且所述正电极向所述P+发射极区域延伸，且其延伸至所述P+发射极区域的顶部表面，所述负电极向所述η++表面场区域，且其延伸至所述η++表面场区域的顶部表面。
【专利摘要】本发明涉及一种IBC太阳电池及其制作方法。该方法包括：将N型硅片的第一表面进行制绒处理，将其第二表面进行抛光；在第二表面上形成硼掺杂源层，将其放入热氧化炉中进行反应，在第二表面上形成依次层叠的p+发射极层和硼硅玻璃层，在第一表面上形成氧化硅层；采用激光去除第二表面的特定区域的硼硅玻璃和p+发射极；将N型硅片放入磷源扩散炉中，在第二表面上形成n++表面场区域，在第一表面上依次形成n+表面场层和磷硅玻璃层；采用激光隔开第二表面上的p+发射极和n++表面场区域；去除硼硅玻璃和磷硅玻璃；在N型硅片的表面上分别形成钝化层；在第二钝化减反射膜层上分别制备正、负电极。上述IBC太阳电池及其制作方法，简化工艺流程和步骤。
【IPC分类】H01L31/04, H01L31/0224, H01L31/0216, H01L31/18, H01L31/0288
【公开号】CN105609571
【申请号】CN201610104676
【发明人】刘超, 刘成法, 张松, 张为国, 王佩然, 陈寒
【申请人】上海大族新能源科技有限公司
【公开日】2016年5月25日
【申请日】2016年2月25日