>[0047]发光层5材质为Alq3，蒸镀时采用的压强为8X 10—4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀厚度为30nm;
[0048]电子传输层6的材质为TPBI，蒸镀时采用的压强为8X 10—4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀厚度为21 Onm;
[0049]电子注入层7的材质为LiF，蒸镀时采用的压强为8X 10—4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀厚度为lnm;
[0050]阴极8的材质为Ag，蒸镀时采用的压强为8X 10—4Pa，蒸镀速率为2nm/s，蒸镀厚度为200nmo
[0051]图1为本实施例制备的有机电致发光器件的结构示意图，本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底1、阳极2、空穴注入层3、空穴传输层4、发光层5、电子传输层6、电子注入层7和阴极8 ο具体结构表示为:玻璃基底/IT0/Pr203: MoO3: Zr02/TCTA/Alq3/TPBi/LiF/Ago
[0052]实施例2
[0053]一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤:
[0054](I)选用牌号为N-LAF36的玻璃(折射率为1.8，在400nm的光透过率为95%)作为玻璃基底，将玻璃基底依次用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上，清洗干净后风干。然后在玻璃基底上采用磁控溅射的方法制备阳极，阳极材质为ΑΖ0，厚度为300nm，磁控溅射的加速电压为300V，磁场为50G，功率密度为40W/cm2。
[0055](2)在阳极上采用电子束蒸镀的方法制备空穴注入层，空穴注入层材质为Pr02、V2O5和ZnO按质量比为1:0.3:0.01形成的混合材料(表示为PrO2: V2O5: ZnO)，空穴注入层厚度为60nm，电子束蒸镀的能量密度为10W/cm2o
[0056](3)在空穴注入层上依次蒸镀制备空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，得到有机电致发光器件，其中，
[0057]空穴传输层材质为TCTA，蒸镀时采用的压强为2X10—3Pa,蒸镀速率为lnm/s，蒸镀厚度为45nm;
[0058]发光层5材质为ADN，蒸镀时采用的压强为2X 10—3Pa，蒸镀速率为lnm/s，蒸镀厚度为 8nm;
[0059]电子传输层6的材质为TAZ，蒸镀时采用的压强为2X 10—3Pa，蒸镀速率为lnm/s，蒸镀厚度为65nm;
[0060]电子注入层7的材质为Cs2CO3,蒸镀时采用的压强为2X10—3Pa，蒸镀速率为lnm/s，蒸镀厚度为I Onm;
[0061 ]阴极8的材质为Pt，蒸镀时采用的压强为2 X 10—3Pa，蒸镀速率为10nm/S，蒸镀厚度为80nm。
[0062]本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。具体结构表示为:
[0063]玻璃基底/AZ0/Pr02: V2O5: Zn0/TCTA/ADN/TAZ/Cs2C03/Pt。
[0064]实施例3
[0065]—种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤:
[0066](I)选用牌号为N-LASF31A的玻璃(折射率为1.9，在400nm的光透过率为92%)作为玻璃基底，将玻璃基底依次用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上，清洗干净后风干。然后在玻璃基底上采用磁控溅射的方法制备阳极，阳极材质为IZ0，厚度为80nm，磁控溅射的加速电压为800V，磁场为200G，功率密度为lW/cm2。
[0067](2)在阳极上采用电子束蒸镀的方法制备空穴注入层，空穴注入层材质为Yb203、TO3和MgO按质量比为1:0.05:0.1形成的混合材料(表示为Yb2O3: WO3:MgO)，空穴注入层厚度为20nm，电子束蒸镀的能量密度为lOOW/cm2。
[0068](3)在空穴注入层上依次蒸镀制备空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，得到有机电致发光器件，其中，
[0069]空穴传输层材质为NPB，蒸镀时采用的压强为5X 10—5Pa，蒸镀速率为0.lnm/s，蒸镀厚度为60nm;
[0070]发光层5材质为DCJTB，蒸镀时采用的压强为5X 10—5Pa，蒸镀速率为0.lnm/s，蒸镀厚度为1nm;
[0071]电子传输层6的材质为Bphen，蒸镀时采用的压强为5X 10—5Pa，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为200nm;
[0072]电子注入层7的材质为CsF，蒸镀时采用的压强为5X 10—5Pa，蒸镀速率为0.lnm/s，蒸镀厚度为0.5nm;
[0073]阴极8的材质为Al，蒸镀时采用的压强为5X 10—5Pa，蒸镀速率为lnm/s，蒸镀厚度为10nm0
[0074]本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。具体结构表示为:
[0075]玻璃基底/IZ0/Yb203:TO3:MgO/TCTA/Bphen/TAZ/CsF/Al。
[0076]实施例4
[0077]—种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤:
[0078](I)选用牌号为N-LASF41的玻璃(折射率为1.83，在400nm的光透过率为90%)作为玻璃基底，将玻璃基底依次用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上，清洗干净后风干。然后在玻璃基底上采用磁控溅射的方法制备阳极，阳极材质为ΑΖ0，厚度为150nm，磁控溅射的加速电压为600V，磁场为10G，功率密度为30W/cm2。
[0079](2)在阳极上采用电子束蒸镀的方法制备空穴注入层，空穴注入层材质为Sm203、MoO3和ZrO2按质量比为1: 0.25:0.02形成的混合材料(表示为Sm2O3:Mo03: ZrO2)，空穴注入层厚度为25nm，电子束蒸镀的能量密度为80W/cm2o
[0080](3)在空穴注入层上依次蒸镀制备空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，得到有机电致发光器件，其中，
[0081 ]空穴传输层材质为TAPC，蒸镀时采用的压强为2 X 10—4Pa，蒸镀速率为0.5nm/s，蒸镀厚度为60nm;
[0082]发光层5材质为BCzVBi，蒸镀时采用的压强为2X 10—4Pa，蒸镀速率为0.5nm/s，蒸镀厚度为40nm;
[0083]电子传输层6的材质为TAZ，蒸镀时采用的压强为2X 10—4Pa，蒸镀速率为0.5nm/s，蒸镀厚度为35nm;
[0084]电子注入层7的材质为CsN3，蒸镀时采用的压强为2X 10—4Pa，蒸镀速率为0.5nm/s，蒸镀厚度为3nm;
[0085]阴极8的材质为Au，蒸镀时采用的压强为2X 10—4Pa，蒸镀速率为6nm/s，蒸镀厚度为250nmo
[0086]本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。具体结构表示为:
[0087]玻璃基底/AZ0/Sm203:Mo03:Zr02/TAPC/BCzVBi/TAZ/CsN3/Au。
[0088]对比实施例
[0089]为体现为本发明的创造性，本发明还设置了对比实施例，对比实施例与实施例1的区别在于对比实施例中的空穴注入层材质为三氧化钼(MoO3),厚度为40nm，对比实施例有机电致发光器件的具体结构为:玻璃基底/IT0/Mo03/TCTA/Alq3/TPBI/LiF/Ag，分别对应玻璃基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。
[0090]效果实施例
[0091]采用光纤光谱仪(美国海洋光学Ocean Optics公司，型号:USB4000)，电流-电压测试仪(美国Keithly公司，型号:2400)、色度计(日本柯尼卡美能达公司，型号:CS-100A)测试有机电致发光器件的流明效率随电流密度的变化曲线，以考察器件的发光效率，测试对象为实施例1与对比实施例有机电致发光器件。测试结果如图2所示。图2是本发明实施例1与对比实施例有机电致发光器件的流明效率与电流密度的关系图。
[0092]从附图2上可以看到，从2V起，随着电流密度的提高，实施例1的流明效率都比对比例的要大，实施例1的最大流明效率为5.2m/W，而对比例的仅为3.81m/W，而且对比例的流明效率随着电流密度的增大而快速下降，这说明，采用折射率为1.8?2.2的玻璃作为器件的基板，消除玻璃与阳极之间的全反射，在阳极上制备一层空穴注入层，可形成欧姆接触，提高器件的空穴注入能力，金属氧化物空穴注入材料在可见光范围内透过率(90%?95% )较大，可提高出光效率，同时也具有空穴注入与传输作用，高折射率材料(折射率2.0?2.3)可有效降低有机层到达阳极的全反射概率，该空穴注入层可有效提高器件的发光效率。
[0093]以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下操作步骤: 提供相应的玻璃基底，将玻璃基底清洗干燥后，在玻璃基底出光面上采用磁控溅射的方法制备阳极； 在阳极上采用电子束蒸镀的方法制备空穴注入层，所述空穴注入层的材质为高功函数金属、金属氧化物和高折射率材料按质量比为1: 0.05?0.3:0.01?0.1的比例形成的混合材料;所述高功函数金属为二氧化镨、三氧化二镨、氧化钐或三氧化镱，所述金属氧化物为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒，所述高折射率材料为氧化锆、氧化锌或氧化镁;所述电子束蒸镀的能量密度为10?lOOW/cm2; 在空穴注入层上依次蒸镀制备空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和金属阴极，最终得到所述有机电致发光器件。2.如权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层厚度为20?60nm。3.如权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层的蒸镀条件均为:蒸镀压强为5 X 10—5?2 X 10—3Pa，蒸镀速率为0.1?lnm/s。4.如权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述阴极的蒸镀条件为:蒸镀压强为5 X 10—5?2 X 10—3Pa，蒸镀速率为I?10nm/s。5.如权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述阳极的磁控溅射条件为:加速电压为300?800V，磁场为50?200G，功率密度为I?40W/cm2。
【专利摘要】本发明公开了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述空穴注入层材质为高功函数金属、金属氧化物和高折射率材料形成的混合材料，高功函数金属可提高器件的空穴注入能力，使空穴从阳极到达有机层的势垒降低，而金属氧化物在可见光范围内透过率较大，可提高出光效率，同时也具有空穴注入与传输作用，且易于成膜，使整个空穴注入层的成膜较均匀，平整，高折射率材料可有效降低光从有机层到达阳极的全反射概率，提高光出射，最终有效提高器件的发光效率。本发明还公开了该有机电致发光器件的制备方法。
【IPC分类】H01L51/56, H01L51/50, H01L51/54
【公开号】CN105609664
【申请号】CN201610114319
【发明人】不公告发明人
【申请人】韦利束
【公开日】2016年5月25日
【申请日】2013年2月26日
【公告号】CN104009161A