0070] 本文中，可包含经由分隔而形成于分隔单元上的导电图案，但不限于此，图20中图 示此情形。举例来说，在分隔单元上，可形成导电图案（如图20中），或可使用下文描述的方 法移除导电图案。
[0071] 在包含在根据本发明的导电膜（10)中的多个凹槽单元（100)中，以网格形式形成 水平剖面。本文中，网格形式包括借由横向延伸形成的凹槽单元、借由纵向延伸形成的凹槽 单元以及这些凹槽单元相交的交点。在本说明书中，网格形式用于描述凹槽单元（100)的水 平剖面形状，且其具体形式不受特别限制。
[0072] 更具体而言，图4至图6说明本发明的凹槽单元（100)的各种水平剖面形状。如图4 至图6中所示，可形成凹槽单元（100)的水平剖面形状以使形成网格的借由横向延伸形成的 凹槽单元与借由纵向延伸形成的凹槽单元皆形成为直线，且交点的4个拐角皆为直角。此 外，如图7中所示，形成网格的借由横向延伸形成的凹槽单元与借由纵向延伸形成的凹槽单 元可形成为具有不同大小峰与谷的曲线，且交点的4个拐角可形成为具有恒定曲率半径的 圆形形状。在本说明书中，图4至图7中所示的凹槽单元（100)的各种形状是出于说明目的， 且在凹槽单元（100)的网格形式中，借由横向延伸形成的凹槽单元与借由纵向延伸形成的 凹槽单元可为直线、对角线、虚线、曲线，或具有这些线混合而成的形状，且形成交点的4个 拐角的线亦可为直线、对角线、虚线、曲线或这些线的混合形式。
[0073] 为了描述，图8及图9中说明切割在相对于根据本发明的导电膜(10)的垂直方向上 不形成导电图案的所述导电膜的凹槽单元的剖面的形状。本发明中的凹槽单元（100)为用 于形成导电图案(300)的空间，且如图8及图9中所示，可形成为具有两个壁表面（130)及一 个底表面（140)的雕刻形状。本文中，凹槽单元（100)的垂直剖面形状的形式不受限制，且其 实例可包括四边形、反转梯形、半圆形、半椭圆形或这些形状的混合形式。如上文所描述，本 发明中的凹槽单元（100)的垂直剖面形状不受特别限制，然而，凹槽单元（100)的最上表面 的宽度需要与凹槽单元（100)的底表面的宽度相同或比凹槽单元（100)的底表面的宽度更 大。为了描述根据本发明的凹槽单元（100)的壁表面的倾斜角度，图10(a)及图10(b)说明了 不包含分隔单元的凹槽单元的垂直剖面形状。如图10中所示，凹槽单元（100)的壁表面的倾 斜角度(Θ)优选自0°至15° (参考图10)。
[0074] 同时，凹槽单元的深度（120)可为，例如0.2μηι至ΙΟμπκΟ. 2μηι至2μηι或0.5μηι至1.5μ m。当凹槽单元的深度（120)为0.2μπι或更大时，凹槽单元底表面与单元格(200)及分隔单元 (500)具有大于某一程度的高度差，因此，当在形成有凹槽单元（100)的透明基板上形成导 电层(300)，且接着移除形成于单元格(200)及分隔单元(500)上的导电层(300)以便形成导 电图案(300)时，可防止形成于除凹槽单元中的分隔单元以外的部分上的导电层一起露出 且被移除。此外，当凹槽单元的深度（120)为ΙΟμπι或更小时，容易实现用于形成包含分隔单 元(500)的凹槽单元(100)的模具制备，且凹槽单元的最大宽度（110)极容易形成为5μπι或更 小。如图8及图9中所示，本说明书中的凹槽单元的深度（120)意指自凹槽单元（100)的底表 面至最上表面的高度。在凹槽单元的底表面或最上表面不平坦的情况下，本说明书中的自 凹槽单元的底表面至最上表面的高度可意指自凹槽单元的底表面的最低点至最上表面的 最尚点的尚度(如图19中所不）。
[0075] 此外，凹槽单元的最大宽度（110)意指在水平方向或垂直方向上测量的凹槽单元 的宽度当中的最长宽度(如图4至图7中所示）。换言之，如图7中所示，当借由横向延伸形成 的凹槽单元与借由纵向延伸形成的凹槽单元形成为具有不同大小峰与谷的曲线，且交点的 4个拐角为在形成凹槽单元(100)的网格形式中具有恒定曲率半径的圆形形状时，凹槽单元 的最大宽度（110)意指自包含分隔单元(500)的凹槽单元(100)的壁表面至壁表面的在水平 方向或垂直方向上的宽度当中的最大值。
[0076] 本文中，凹槽单元的最大宽度（110)可为，例如，0· Ιμπι至20μηι、0· Ιμπι至10μπι、0· Ιμπι 至5μηι或0. Ιμπι至2μηι。当凹槽单元的最大宽度为0. Ιμπι或更大时，存在以下优势:产率可得以 改善，因为容易制备用于形成凹槽单元的模具及其类似物。然而，随着凹槽单元的宽度增 大，使用此凹槽单元形成的导电图案更可能以肉眼辨识到，因此可能难以用作透明导电膜。
[0077] 同时，在本发明中，凹槽单元（100)包含其至少一部分是通过经由分隔单元（500) 分隔而形成的导电图案(300)。
[0078] 本文中，如图3至图7中所示，分隔单元（500)是指形成于凹槽单元（100)中的由导 电图案(300)围绕的部分。本文中，分隔单元(500)是在分开导电图案的部分上形成于凹槽 单元（100)中，且具有凸面形状。然而，当在用于形成导电图案的导电层移除处理中亦移除 分隔单元(500)时，分隔单元(500)的剖面可能因此而具有凹面形状，且当分开分隔单元的 导电图案时，剖面可具有平面形状。
[0079] 分隔单元具有凸面形状或在具有凸面形状的同时具有平面形状的情况图示于图 21中，且分隔单元具有凹面形状或在具有凹面形状的同时具有平面形状的情况图示于图22 中，然而，形状不限于此。
[0080] 举例来说，当分隔单元的垂直剖面形状具有凸面形状时，所述形状可为矩形、凸起 形状、圆锥剖面形状或梯形，且当分隔单元的垂直剖面形状具有凹面形状时，所述形状可具 有与凸面形状垂直对称的形式。
[0081] 更具体而言，如图8中所示，分隔单元（500)形成于凹槽单元（100)的底表面上，自 凹槽单元（100)的壁表面留下一定距离。本文中，形成于凹槽单元（100)中的分隔单元(500) 的数目不受特别限制，只要所述数目基于凹槽单元(100)的垂直剖面为一或更多个即可。然 而，随着数目增大，导电图案的水平剖面具有更复杂的网形状，且存在更多连接部分。在此 情况下，当使用刮擦方法、分离方法等移除单元格上的分隔单元及导电层时，形成于凹槽单 元的壁表面（130)及凹槽单元的底表面（140)上的导电层几乎不受影响，因此，选择性成膜 特性可改善更多。
[0082] 此外，分隔单元(500)的垂直剖面形状不受特别限制，但举例来说，可为如图8及图 9中所示的凸面形状，且分隔单元的垂直剖面边界可为直线、曲线、波浪线、Z字形线或其组 合。本文中，当分隔单元(500)的垂直剖面形状为凸面形状时，自凹槽单元（100)的底表面至 分隔单元的最高点的高度（510)可为凹槽单元的深度（120)的0.5倍至1倍、0.7倍至1倍或 0.9倍至1倍。当分隔单元(500)的垂直剖面具有凸面形状时，容易获得包含数个分隔单元的 凹槽单元的形成，因为自凹槽单元（100)的底表面至分隔单元的最高点的高度(510)等于凹 槽单元的深度，且结果，因为能够降低单位生产成本，因此其是有利的。
[0083] 在一些情况下，可在移除单元格上的导电层时亦移除分隔单元，且本文中，分隔单 元的水平剖面形状可为凹面形状(如图13中所示）。
[0084] 同时，分隔单元(500)的水平剖面边界可为直线、曲线、波浪线、Z字形线或其组合。
[0085] 所述形状不受特别限制，然而，形状的实例可包含四边形、三角形、圆、椭圆、多边 形、通过连接具有不同曲率半径的两个或更多个圆弧而形成的图形、通过连接至少一个圆 弧与至少一条直线而形成的图形、或这些形状的混合形式。
[0086] 举例来说，当连接具有相似曲率半径的两个或更多个圆弧时，水平剖面形状可具 有接近于完整圆的形状，且当将一个圆弧连接至一条直线时，形状可具有接近于半圆的形 状。此外，当连接一个圆弧与两条直线时，形状可具有水滴或扇形的形状。
[0087] 具体地，鉴于可更容易地制备包含数个分隔单元的凹槽单元，分隔单元(500)的水 平剖面形状优选为四边形。
[0088] 此外，在根据本发明的导电膜中，基于凹槽单元的底表面测量的分隔单元(500)的 水平剖面面积的总和可为凹槽单元（100)的水平剖面面积的总和的5 %至90 %、20 %至80 % 或25%至60%。当分隔单元(500)的水平剖面面积满足相对于凹槽单元（100)的面积的以上 数值范围时，根据本发明的导电膜可确保同时导电率及成膜特性。
[0089]同时，如图3中所示，多个单元格(200)意指由凹槽单元（100)围绕的数个区域，且 形成为凸面形状。
[0090] 本文中，单元格(200)的水平剖面形状可取决于网格形式中的形成借由横向延伸 形成的凹槽单元、借由纵向延伸形成的凹槽单元及交点的各线的形状而不同，且不受特别 限制。更具体而言，单元格的水平剖面形状的实例可为四边形、三角形、圆形、椭圆形、多边 形或这些形状的混合形式。
[0091] 同时，在根据本发明的导电膜（10)中，分隔单元(500)及单元格(200)可满足例如 以下[式1]的关系。当分隔单元(500)及单元格(200)满足以下式1时，亦即，当一个分隔单元 的水平剖面面积为相对于一个单元格的水平剖面面积的1/10 6或更大时，存在以下优势:容 易制备用于形成包含数个分隔单元(500)的凹槽单元（100)的模具，且当一个分隔单元的水 平剖面面积为相对于一个单元格的水平剖面面积的1/5或更小时，存在以下优势:确保足够 的导电率。
[0094] (本文中，水平剖面面积意指基于导电膜的最上表面测量的值。）
[0095] 同时，在根据本发明的导电膜中，可通过经由分隔单元(500)分隔而形成凹槽单元 (100)中的导电图案(300)的至少一部分(如图3至图6中所示）。在此情况下，各导电图案中 的宽度可为，例如〇.