制造薄膜晶体管的方法
【技术领域】
[0001] 本发明属于薄膜晶体管领域，具体地讲，设及一种制造薄膜晶体管的方法。
【背景技术】
[0002] TFT-LCD(彩色薄膜晶体管液晶显示器)主要应用于计算机、视频终端、通讯及仪 器仪表等行业。主要应用领域有笔记本电脑、台式计算机监视器、工作站、工业监视器、全球 卫星定位系统(GPS)、个人数据处理、游戏机、可视电话、便携式VCD、DVDW及其它一些便携 装置。经过不断的发展创新，TFT-LCD迅速成长为主流显示器.
[0003] TFT-LCD的工作原理是通过电压的变化控制每个像素的开关，精准地控制每个像 素的颜色和亮度，从而得到需要的画面。
[0004] 现市场上主流的TFT-LCD需要较大的驱动电压（一般驱动电压大于10V)才能正常 的工作，并且需要足够的电流开关比。工作电压较大导致了高功耗和较大寄生电容，不利于 便携式电子产品的设计。
[0005]
【发明内容】
[0006] 本发明的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种可W降低TFT-LCD的工作 电压和减小寄生电容的制造 TFT的方法。运种方法能够改善TFT的工作电压，从而提高TFT产 品的质量，降低功耗。
[0007] 根据本发明的示例性实施例，提供了一种制造薄膜晶体管的方法，所述方法可W 包括W下步骤:设置基底，在基底上设置栅极，在栅极上设置栅极绝缘层，在栅极绝缘层上 设置半导体层，在半导体层上分别设置源极和漏极，在源极和漏极上设置纯化层，在纯化层 上设置像素电极，其中，所述栅极绝缘层由多孔的Si化形成。
[000引根据本发明的示例性实施例，形成栅极绝缘层的步骤可W包括：WSi化和化作为反 应气体在栅极上沉积多孔的Si化作为栅极绝缘层。
[0009] 根据本发明的示例性实施例，可W通过等离子体增强的化学气相沉积方法来沉积 多孔的Si化。
[0010] 根据本发明的示例性实施例，所述栅极绝缘层的厚度可W为5000A。
[0011] 根据本发明的示例性实施例，形成半导体层的步骤可W包括:在栅极绝缘层上设 置光阻层W覆盖栅极绝缘层的大部分表面，并使栅极绝缘层的与栅极对应的区域暴露;使 用也P〇4处理栅极绝缘层的被暴露的区域，W使-P〇3也进入栅极绝缘层的多孔的Si化中；在光 阻层上W及栅极绝缘层的暴露的部分上沉积半导体氧化物，然后剥离光阻层W及沉积在光 阻层上的半导体氧化物，从而形成半导体层。
[0012] 根据本发明的示例性实施例，可W采用物理气相沉积的方法在暴露的栅极绝缘层 和光阻层上沉积半导体氧化物。
[001引根据本发明的示例性实施例，使用出P04处理栅极绝缘层可W包括使用60wt%~ SOwt %的出P04对栅极绝缘层进行喷淋和/或浸泡处理。
[0014]根据本发明的示例性实施例，光阻层可W为正性光阻层。
[001引根据本发明的示例性实施例，光阻层的厚度可W化皿-2皿。
[0016] 根据本发明的示例性实施例，半导体层可W包括铜嫁锋氧化物。
[0017] 通过结合示例性实施例的本发明的W上描述，根据本发明的制造薄膜晶体管的方 法能够改善TFT的工作电压，从而提高TFT产品的质量，降低功耗。
【附图说明】
[0018] 通过结合附图的示例性实施例的W下描述，本发明的各方面将变得清楚。其中，
[0019] 图1是示意性地示出根据本发明的示例性实施例的制造薄膜晶体管的方法中制造 栅极的步骤；
[0020] 图2是示意性地示出根据本发明的示例性实施例的制造薄膜晶体管的方法中制造 栅极绝缘层的步骤；
[0021] 图3A-图3C是顺序地示意性地示出根据本发明的示例性实施例的制造薄膜晶体管 的方法中制造半导体层的步骤，其中，图3A是示意性地示出根据本发明的示例性实施例的 制造薄膜晶体管的方法中在栅极绝缘层上设置光阻层的步骤，图3B是示意性地示出根据本 发明的示例性实施例的制造薄膜晶体管的方法中在暴露的栅极绝缘层上和光阻层上设置 半导体氧化物的步骤，图3C是示意性地示出根据本发明的示例性实施例的制造薄膜晶体管 的方法中在栅极绝缘层上形成岛状的半导体层的步骤；
[0022] 图4是示意性地示出根据本发明的示例性实施例的制造薄膜晶体管的方法中在半 导体层上分别形成源极、漏极、纯化层和像素电极层的步骤。
【具体实施方式】
[0023] TFT-LCD的工作原理是通过电压的变化控制每个像素的开关，精准地控制每个像 素的的颜色和亮度，从而得到需要的画面。然而，现市场上主流的TFT-LCD需要较大的驱动 电压(一般驱动电压大于10V)才能正常的工作，并且需要足够的电流开关比。工作电压较大 导致了高功耗和较大寄生电容，不利于便携式电子产品的设计。
[0024] 下面将要参照附图描述的本发明的示例性实施例提供了一种制造薄膜晶体管的 方法，所述方法使用SiH4和02作为反应气体，通过PECVD的方法沉积多孔Si02作为TFT的栅 极绝缘层，从而有效地减少了寄生电容并且降低了功耗。
[0025] W下，将结合附图来详细描述本发明的示例性实施例，然而，本发明的保护范围不 受附图和下面将要描述的示例性实施例的限制。下面的示例性实施例的描述是为了让本领 域技术人员能够更充分地了解本发明的具体实施，并将本发明的范围更充分地传递给本领 域技术人员。在附图中，为了清楚性，可W夸大层和区域的厚度。此外，同样的附图标记始终 指示为同样的元件。
[0026] 图1是示意性地示出根据本发明的示例性实施例的制造薄膜晶体管的方法中制造 栅极的步骤。图2是示意性地示出根据本发明的示例性实施例的制造薄膜晶体管的方法中 制造栅极绝缘层的步骤。图3A-图3C是示意性地示出根据本发明的示例性实施例的制造薄 膜晶体管的方法中制造半导体层的步骤，其中，图3A是示意性地示出根据本发明的示例性 实施例的制造薄膜晶体管的方法中在栅极绝缘层上设置光阻层的步骤，图3B是示意性地示 出根据本发明的示例性实施例的制造薄膜晶体管的方法中在暴露的栅极绝缘层上和光阻 层上设置半导体氧化物的步骤，图3C是示意性地示出根据本发明的示例性实施例的制造薄 膜晶体管的方法中在栅极绝缘层上形成孤岛状的半导体层的步骤。图4是示意性地示出根 据本发明的示例性实施例的制造薄膜晶体管的方法中在半导体层上分别形成源极、漏极、 纯化层和像素电极层的步骤。
[0027] W下将结合图1至图4来充分地描述根据本发明的示例性实施例的制造薄膜晶体 管的方法。
[0028] 参照图1-图4,根据本发明的示例性实施例的制造薄膜晶体管的方法包括W下步 骤：
[0029] 首先，如图1所示，