一种金属载体的加工方法及封装基板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电路板技术领域，具体涉及一种金属载体的加工方法及封装基板。
【背景技术】
[0002]随着集成电路(integrated circuit，IC)技术的发展，引脚数量增多、布线密度增大、基板层数增多，近年来向薄型化和小型化的趋势发展，要求线距更细、孔径更小。因而埋入式线路(Embedded Print Process，EPP)技术应运而生，此技术可以解决目前线路板发展的薄型化和高密度化发展趋势，但此工艺流程的应用必须需求一种可剥离载体的支持，现有的技术方案如下:
[0003]目前，在封装基板埋入式加工工艺中，采用半固化片(Polypropylene，PP)和两层超薄铜箔的压合方式制作载体，其中第一层超薄铜箔与第二层超薄铜箔之间可以分离，通常情况下，第一层铜箔的厚度为3或5um，第二层铜箔的厚度为18或35um，为了确保载体在应用过程中有一定的支撑作用，利用压合工艺压合PP和超薄铜箔，从而起到支撑和后段方便分离的作用。
[0004]但是，采用PP和超薄铜箔的压合方式制作载体，制作成本过高，超薄铜箔之间容易进药水，从而出现良率下降和设备损坏的风险，分离层造成药水污染，而且应用范围较窄。
【发明内容】
[0005]本发明实施例提供一种金属载体的加工方法及封装基板，用于解决现有技术中制作的载体所存在的问题。
[0006]本发明第一方面提供一种金属载体的加工方法，所述金属载体用于制作封装基板，包括:
[0007]选取金属载体；
[0008]清洗所述金属载体；
[0009]将所述金属载体溅射第一金属层，所述第一金属层覆盖在所述金属载体的上表面和下表面，作为金属底层；
[0010]在所述金属载体上设置第二金属层，完成所述金属载体的加工，所述第二金属层覆盖在所述第一金属层的表面，作为金属加厚层。
[0011]结合第一方面，在第一种可能的实现方式中，所述选取金属载体包括:
[0012]所述金属载体的微观不平度十点高度Rz小于lOum，轮廓算术平均偏差Ra小于3um，所述金属载体的主要成分为Ni。
[0013]结合第一方面，在第二种可能的实现方式中，所述选取金属载体包括:
[0014]所述金属载体的厚度小于1_。
[0015]结合第一方面，在第三种可能的实现方式中，所述清洗所述金属载体包括:
[0016]采用除油，超声波水洗或等离子Plasma工艺清洗所述金属载体。
[0017]结合第一方面，在第四种可能的实现方式中，所述将所述金属载体溅射第一金属层包括:
[0018]将所述金属载体磁控派射第一金属层，所述第一金属层的厚度在0.01?Ium之间。
[0019]结合第一方面，在第五种可能的实现方式中，所述在所述金属载体上设置第二金属层包括:
[0020]在所述金属载体上电解镀或化学沉积镀第二金属层，所述第二金属层的厚度在3-1Oum 之间。
[0021]结合第一方面或者第一方面的第一种至第五种任意一种可能的实现方式，在第六种可能的实现方式中，
[0022]所述金属载体的成分包括不锈钢或马口铁。
[0023]结合第一方面或者第一方面的第一种至第五种任意一种可能的实现方式，在第七种可能的实现方式中，
[0024]所述第一金属层和所述第二金属层的成分包括铜。
[0025]本发明第二方面提供一种封装基板，包括:
[0026]金属载体，所述金属载体的厚度小于1mm，所述金属载体的成分包括不锈钢或马口铁；
[0027]所述金属载体上设置有第一金属层和第二金属层；
[0028]所述第一金属层的厚度在0.01?Ium之间；所述第二金属层的厚度在3_10um之间；所述第一金属层和所述第二金属层的成分包括铜。
[0029]应用以上技术方案，选取金属载体；清洗所述金属载体；将所述金属载体溅射第一金属层；在所述金属载体上设置第二金属层，完成所述金属载体的加工。由于该金属载体不是采用PP和超薄铜箔的压合方式制成，因此不会出现现有技术中制作的载体所存在的问题，成本低，不会进药水，应用范围宽。
【附图说明】
[0030]为了更清楚地说明本发明实施例技术方案，下面将对实施例和现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0031]图1是现有技术中载体的一个结构示意图；
[0032]图2是本发明实施例中金属载体的加工方法的一个实施例示意图；
[0033]图3是本发明实施例中选取金属载体的一个结构示意图；
[0034]图4是本发明实施例中将金属载体溅射第一金属层的一个结构示意图；
[0035]图5是本发明实施例中在金属载体上设置第二金属层的一个结构示意图。
【具体实施方式】
[0036]本发明实施例提供一种金属载体的加工方法，用于解决现有技术中制作的载体所存在的问题。本发明实施例还提供相应的封装基板。
[0037]为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
[0038]在现有技术中，制作用于封装基板的载体如图1所示，采用PPlOl和两层超薄铜箔的压合方式制作载体100，其中，其中第一层超薄铜箔102与第二层超薄铜箔103之间可以分离，通常情况下，第一层铜箔102的厚度为3或5um，第二层铜箔103的厚度为18或35um，由于采用PPlOl和超薄铜箔的压合方式制作载体100，制作成本过高，超薄铜箔之间容易进药水，从而出现良率下降和设备损坏的风险，分离层造成药水污染，而且应用范围较窄，因此展开本发明的论述:
[0039]下面通过具体实施例，分别进行详细的说明本发明技术方案。
[0040]实施例一、
[0041]请参考图2，本发明实施例提供一种金属载体的加工方法，可包括:
[0042]201、选取金属载体；
[0043]请参阅图3，在本发明实施例中，直接选取金属载体300进行加工，金属载体300为主要成分为Ni的金属载体。
[0044]可选的，所述选取金属载体300包括:
[0045]所述金属载体300的微观不平度十点高度Rz小于10um，轮廓算术平均偏差Ra小于3um，所述金属载体300的主要成分为Ni。
[0046]需要说明的是，通常情况下，Ra在0.1-0.3um之间，Rz在1.0-2.0um之间作为优先，此处不做具体限定。
[0047]可选的，所述选取金属载体300包括:
[0048]所述金属载体300的厚度小于1mm。
[0049]与现有技术不同的是，本发明技术方案中，不是采用PP与超薄铜箔压合制作载体，而是直接选取金属载体进行加工。因此不会出现现有技术中制作的载体所存在的问题。由于金属载体的膨胀系数小(17-19ppm/°C )，在后续制作图形加工中其胀缩影响小，而同等条件下的PP价格昂贵，成本尚。
[0050]202、清