0的漏极接触区72相接触。
[0087]具体的，所述氧化物半导体材料为透明金属氧化物半导体材料，所述氧化物导体材料为离子掺杂的透明金属氧化物半导体材料。优选的，所述透明金属氧化物半导体材料为非晶铟镓锌氧化物(IGZO)。
[0088]具体的，所述基板10为透明基板，优选为玻璃基板。
[0089]具体的，所述透明导电层21与公共电极22的材料为透明导电金属氧化物，如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物中的一种或多种的堆叠层。优选的，所述透明导电层21与公共电极22的材料为铟锡氧化物。
[0090]具体的，所述遮光层30的材料为金属，优选为钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)、铜(Cu)中的一种或多种的堆桟组合。
[0091]优选的，所述缓冲层40为高透过率的绝缘膜，具体的，所述绝缘膜为氧化硅(S1x)层、氮化硅(SiNx)层、或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层。
[0092]具体的，所述栅极50与漏极96的材料可以是钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)中的一种或多种的堆桟组合。
[0093]具体的，所述栅极绝缘层60、第一钝化层90、及第二钝化层98为氧化硅(S1x)层、氮化硅(SiNx)层、或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层。
[0094]上述TFT基板，利用透明金属氧化物半导体材料和掺杂的透明金属氧化物半导体材料来制备有源层和像素电极，制程简单，生产成本低，且TFT下方设有遮光层，避免了 TFT电性稳定性受到光照的影响。
[0095]综上所述，本发明提供的一种TFT基板的制作方法，利用透明金属氧化物导体材料可见光透过率较高的特点以及将透明金属氧化物半导体掺杂处理成透明金属氧化物导体的方法，同时形成有源层与像素电极，能够达到减少光罩次数，提高生产效率和降低生产成本的目的；此外，仅采用一道半透光罩曝光、刻蚀形成公共电极以及遮光层和透明导电层形成的叠层遮光层，可进一步减少光罩次数，通过TFT下方设置遮光层，避免了 TFT电性稳定性受到光照的影响。本发明提供的一种TFT基板，利用透明金属氧化物半导体材料和掺杂的透明金属氧化物半导体材料来制备有源层和像素电极，制程简单，生产成本低，且TFT下方设有遮光层，避免了 TFT电性稳定性受到光照的影响。
[0096]以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤:步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上依次沉积透明导电膜(11)和遮光膜(12);步骤2、采用一道半透光罩(15)对所述透明导电膜(11)与遮光膜(12)进行图形化处理，得到位于基板(10)上且间隔设置的透明导电层(21)与公共电极(22)、以及位于透明导电层(21)上方与其宽度相等且两端对齐的遮光层(30); 步骤3、在所述遮光层(30)、公共电极(22)、及基板(10)上沉积缓冲层(40)，在所述缓冲层(40)上依次沉积氧化物半导体层(41)、绝缘层(42)、及栅极金属层(43); 步骤4、采用一道光罩对所述栅极金属层(43)与绝缘层(42)进行图形化处理，得到宽度相等且两端对齐的栅极(50)及栅极绝缘层(60); 以所述栅极(50)与栅极绝缘层(60)为遮蔽层，对所述氧化物半导体层(41)进行离子掺杂，将所述氧化物半导体层(41)上未被所述栅极(50)及栅极绝缘层(60)覆盖的区域转化为氧化物导体； 步骤5、采用一道光罩对所述氧化物半导体层(41)进行图形化处理，形成有源层(70)以及与有源层(70)相连的像素电极(80); 所述有源层(70)包括对应于所述栅极(50)下方的沟道区(71)、位于所述沟道区(71) —侧的漏极接触区(72)、位于所述沟道(71)另一侧且与像素电极(80)相连的连接区(73);其中，所述有源层(70)的沟道区(71)为氧化物半导体材料，所述有源层(70)的漏极接触区(72)与连接区(73)、以及像素电极(80)为氧化物导体材料； 步骤6、在所述栅极(50)、有源层(70)、及缓冲层(40)上沉积第一钝化层(90)，采用一道光罩对该第一钝化层(90)进行图形化处理，在所述第一钝化层(90)上形成对应于所述漏极接触区(72)的通孔(91); 步骤7、在所述第一钝化层(90)上沉积漏极金属层(95)，采用一道光罩对该漏极金属层(95)进行图形化处理，得到漏极(96)，所述漏极(96)通过通孔(91)与所述有源层(70)的漏极接触区(72)相接触，在所述漏极(96)、及第一钝化层(90)上沉积第二钝化层(98)，完成TFT基板的制作。2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤2包括: 步骤21、在所述遮光膜(12)上涂布一光阻层(14)，采用一半透光罩(15)对所述光阻层(15)进行图形化处理，得到间隔设置的第一光阻段(16)与第二光阻段(17);所述第一光阻段(16)的厚度大于所述第二光阻段(17)的厚度； 步骤22、以所述第一光阻段(16)与第二光阻段(17)为阻挡层，对所述透明导电膜(11)与遮光膜(12)进行蚀刻，得到对应于所述第一光阻段(16)下方的遮光层(30)与透明导电层(21)、以及对应于所述第二光阻段(17)下方的遮光段(31)与公共电极(22); 步骤23、对所述第一光阻段(16)与第二光阻段(17)进行灰化处理，薄化第一光阻段(16)并去除第二光阻段(17); 步骤24、以第一光阻段(16)为阻挡层，对所述遮光段(31)进行蚀刻，去除该遮光段(31)； 步骤25、将剩余的第一光阻段(16)剥离去除。3.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中，所述半透光罩(15)为灰阶光罩、半色调光罩、或者单缝光罩。4.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤4中，对所述氧化物半导体层(41)进行离子掺杂的方式为等离子体处理。5.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤5中，所述氧化物半导体材料为透明金属氧化物半导体材料，所述氧化物导体材料为离子掺杂的透明金属氧化物半导体材料。6.—种TFT基板，其特征在于，包括基板(10)、设于基板(10)上且间隔设置的透明导电层(21)与公共电极(22)、设于透明导电层(21)上方与其宽度相等且两端对齐的遮光层(30)、设于所述遮光层(30)、公共电极(22)、及基板(10)上的缓冲层(40)、设于所述缓冲层(40)上的有源层(70)与像素电极(80)、设于所述有源层(70)上的栅极绝缘层(60)、设于所述栅极绝缘层(60)上方与其宽度相等且两端对齐的栅极(50)、设于所述栅极(50)、有源层(70)、像素电极(80)、及缓冲层(40)上的第一钝化层(90)、设于所述第一钝化层(90)上的漏极(96)、设于所述漏极(96)与第一钝化层(90)上的第二钝化层(98); 所述有源层(70)包括对应于所述栅极(50)下方的沟道区(71)、位于所述沟道区(71) —侧的漏极接触区(72)、位于所述沟道区(71)另一侧且与像素电极(80)相连的连接区(73);其中，所述有源层(70)的沟道区(71)为氧化物半导体材料，所述有源层(70)的漏极接触区(72)与连接区(73)、以及像素电极(80)为氧化物导体材料； 所述第一钝化层(90)上设有对应于所述漏极接触区(72)的通孔(91)，所述漏极(96)通过通孔(91)与所述有源层(70)的漏极接触区(72)相接触。7.如权利要求6所述的TFT基板，其特征在于，所述氧化物半导体材料为透明金属氧化物半导体材料，所述氧化物导体材料为离子掺杂的透明金属氧化物半导体材料。8.如权利要求7所述的TFT基板，其特征在于，所述透明金属氧化物半导体材料为非晶铟镓锌氧化物。9.如权利要求6所述的TFT基板，其特征在于，所述透明导电层(21)与公共电极(22)的材料为透明导电金属氧化物。10.如权利要求6所述的TFT基板，其特征在于，所述缓冲层(40)为高透过率的绝缘膜。
【专利摘要】本发明提供一种TFT基板的制作方法及制得的TFT基板。本发明的TFT基板的制作方法，利用透明金属氧化物导体材料可见光透过率较高的特点以及将透明金属氧化物半导体掺杂处理成透明金属氧化物导体的方法，同时形成有源层与像素电极，能够达到减少光罩次数，提高生产效率和降低生产成本的目的；此外，仅采用一道半透光罩曝光、刻蚀形成公共电极以及遮光层和透明导电层形成的叠层遮光层，可进一步减少光罩次数，通过TFT下方设置遮光层，避免了TFT电性稳定性受到光照的影响。本发明的TFT基板，制程简单，生产成本低，且TFT下方设有遮光层，避免了TFT电性稳定性受到光照的影响。
【IPC分类】H01L27/12, H01L21/77
【公开号】CN105633016
【申请号】CN201610194250
【发明人】葛世民
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2016年3月30日