双栅极tft阵列基板及制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示领域，特别是涉及一种双栅极TFT阵列基板及制作方法。
【背景技术】
[0002]现有的液晶显示技术中，为了提高双栅极TFT阵列基板中氧化TFT的稳定性，刻蚀阻挡层(ESL)结构的TFT结构被广泛采用，该结构可以有效降低外界环境因素与源漏电极的刻蚀损伤对背沟道的影响。
[0003]在有源阵列显示装置中，常采用的是Single-gateTFT(单栅极薄膜晶体管)。然而Dual gate TFT (双栅极晶体管)不仅具有较高的迀移率，较大的开态电流，更小的亚阈值摆幅，阈值电压稳定性和均匀性好等优点，还具有更好的栅极偏压稳定性。
[0004]然而，传统的FFS显示模式的Dual-GateTFT阵列基板制造方法中，公共电极层与源漏极的形成各需要一道光罩，需要的光罩次数较多，增加了工艺的复杂性以及生产成本，不利于提高生产效率。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于提供一种改进的双栅极TFT阵列基板及制作方法；以解决现有的双栅极TFT阵列基板制作工艺复杂、生产效率低的问题。
[0006]为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下:
[0007]本发明实施例提供一种双栅极TFT阵列基板的制作方法，包括以下步骤:
[0008]在玻璃基板上沉积第一金属层，并在该第一金属层上形成底栅极；
[0009]在所述玻璃基板以及所述底栅极上沉积第一绝缘层，并在所述第一绝缘层上形成半导体层；
[0010]在所述半导体层以及所述第一绝缘层上沉积第二绝缘层，并形成将所述半导体层露出的第一过孔以及第二过孔；
[0011]在所述第二绝缘层上沉积公共电极层，所述公共电极层通过所述第一过孔以及第二过孔与所述半导体层接触；
[0012]在所述公共电极层上沉积第二金属层，在所述第二金属层上涂布第一光阻层;通过光罩对所述第一光阻层进行图形化处理，并对所述第二金属层上未被所述第一光阻层覆盖的区域进行湿法刻蚀，以在所述公共电极层形成公共电极，在所述第二金属层形成源极和漏极；
[0013]将所述第一光阻层以及该第二金属层上除开所述源极和漏极以外的金属除去；
[0014]在所述第二绝缘层、所述第二金属层以及所述公共电极层上沉积第三绝缘层，在所述第三绝缘层上形成将所述源极露出的第三过孔；
[0015]在所述第三绝缘层上沉积像素电极层以及顶栅极，所述像素电极层通过该第三过孔与所述源极接触。
[0016]在本发明所述的双栅极TFT阵列基板的制作方法中，所述在所述第三绝缘层上设置像素电极层以及顶栅极的步骤包括:
[0017]在所述第三绝缘层上沉积像素电极层;在所述像素电极层上沉积第三金属层，在所述第三金属层上涂布第二光阻层，通过光罩对所述第二光阻层进行图形化处理，并对所述第三金属层上未被第二光阻层覆盖的区域进行湿法刻蚀，以在所述第三金属层形成顶栅极，在所述像素电极层形成像素电极；
[0018]将该第二光阻层以及第三金属上除开所述顶栅极的金属除去。
[0019]在本发明所述的双栅极TFT阵列基板的制作方法中，所送半导体层包括铟镓锌氧化物半导体。
[0020]在本发明所述的双栅极TFT阵列基板的制作方法中，所述像素电极层包括氧化铟锡氧化铟锌。
[0021]在本发明所述的双栅极TFT阵列基板的制作方法中，所述第一绝缘层包括二氧化硅以及氮化硅。
[0022]在本发明所述的双栅极TFT阵列基板的制作方法中，所述第三绝缘层包括氮化硅。[0023 ]本发明还提供了一种双栅极TFT阵列基板，包括:
[0024]玻璃基板；
[0025]底栅极，其设置与该玻璃基板上；
[0026]第一绝缘层，其设置于该底栅极以及所述玻璃基板上；
[0027]半导体层，其设于所述第一绝缘层上并位于所述底栅极上方；
[0028]第二绝缘层，其设于所述半导体层以及所述第一绝缘层上，该第二绝缘层上设有将该半导体层露出的第一过孔和第二过孔；
[0029]公共电极层，其设置于所述第二绝缘层上，所述公共电极层通过所述第一过孔以及所述第二过孔与所述半导体层接触，所述公共电极层上形成有公共电极；
[0030]源极以及漏极，所述源极以及漏极均设于所述公共电极层上；
[0031]第三绝缘层，其设置于所述第二绝缘层、所述公共电极层、所述源极以及漏极上；
[0032]像素电极层，其设置于所述第三绝缘层之上，该像素电极层上形成有像素电极；
[0033]顶栅极，其设置于所述像素电极层之上。
[0034]在本发明所述的双栅极TFT阵列基板中，所送半导体层包括氧化铟镓锌。
[0035]在本发明所述的双栅极TFT阵列基板中，所述像素电极层包括氧化铟锡或氧化铟锌。
[0036]在本发明所述的双栅极TFT阵列基板中，所述第一绝缘层包括二氧化硅以及氮化硅混合。
[0037]相较于现有的双栅极TFT阵列基板及制作方法，本发明通过将源极和漏极设置在公共电极层之上，制作时可以通过一道光罩同时形成公共电极层上的公共电极以及该源极和漏极，因此，本发明提供的双栅极TFT阵列基板及制作方法具有减少光罩次数，缩短工艺流程，提高生产效率的有益效果。
[0038]为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下:
【附图说明】
[0039]图1为本发明的双栅极TFT阵列基板的优选实施例的结构示意图；
[0040]图2为本发明的双栅极TFT阵列基板的制作方法的优选实施例的流程图；
[0041 ]图3A-图3L为本发明的双栅极TFT阵列基板的制作方法的优选实施例的制作示意图。
【具体实施方式】
[0042]以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
[0043]在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
[0044]请参照图1，图1为本发明的双栅极TFT阵列基板的优选实施例的结构示意图。本优选实施例的双栅极TFT阵列基板101包括:玻璃基板1、底栅极2、第一绝缘层3、半导体层4、第二绝缘层5、公共电极层6、源极7、漏极8、第三绝缘层9、像素电极层10、顶栅极11以及平坦层
12ο
[0045]其中，该底栅极2设置与玻璃基板I上，第一绝缘层3设置于底栅极2以及玻璃基板I上。半导体层4设置于第一绝缘层3上并位于底栅极2正上方。第二绝缘层5设置于半导体层2以及第一绝缘层3上;公共电极层6设置于第二绝缘层5上，公共电极层6上形成有公共电极；源极7以及漏极8均设置于公共电极层6上;第三绝缘层9设置于第二绝缘层5、公共电极层6、源极7以及漏极8之上;像素电极层10设置于第三绝缘层9之上，像素电极层10上形成有像素电极;顶栅极11设置于像素电极层10之上。
[0046]本实施例中，通过将顶栅极11设置于像素电极层10之上，可以通过一道光罩同时形成像素电极层10上像素电极以及该顶栅极11;通过将源极7和漏极8设置在公共电极层6之上，可以通过一道光罩同时形成公共电极层6上的公共电极以及该源极7和漏极8，因此，本发明提供的双栅极TFT阵列基板具有减少光罩次数，缩短工艺流程，提高生产效率的有益效果。并且顶栅极11还可以作为遮光层阻止光照对薄膜晶体管的电性稳定性的影响。
[0047]具体地，该底栅极2的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合。
[0048]该第一绝缘层3可采用化学气相沉积法沉积形成，其材料为氮化硅、二氧化硅、或二者的组合。
[0049]该半导体层4采用物理气相沉积法沉积形成，其材料可以为氧化物半导体(如铟镓锌氧化物半导体)、非晶硅半导体、或低温多晶硅半导体等。
[0050]该第二绝缘层5的材料为氮化硅、二氧化硅、或二者的组合。其通过光罩对该第二绝缘层5进行图形化处理，包括了涂光阻、曝光、显影、湿蚀刻、及去光阻等制程工序，以在该第二绝缘层5上形成了第一过孔(图1中未标号)和第二过孔(图1中未标号)。
[0051]该公共电极层6为透明电极，如氧化铟锡电极、氧化铟锌电极等。该源极7以及漏极8对称地分布于该半导体层4之上。
[0052]第三绝缘层9的材料为氮化硅、二氧化硅、或二者的组合。该第三绝缘层9上开设有将该源极7露出的第三过孔(图1未标号)，该像素电极层10通过该第三过孔与该源极7接触。
[0053]该像素电极层10为透明电极，其可以采用氧化铟锡、氧化铟锌等材料。该顶栅极11的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合，其与底栅极2正对。
[0054]请参照图2，图2为本发明的双栅极TFT阵列基板的制作方法优选实施例的流程示意图。其中，该制作方法，包括以下步骤:
[0055]S201、在玻璃基板上沉积第一金属层，并在该第一金属层上形成底栅极；
[0056]S202、在玻璃基板以及底栅极上沉积第一绝缘层，并在第一绝缘层上形成半导体层；
[0057]S203、在半导体层以及第一绝缘层上沉积第二绝缘层，并在该第一绝缘层上形成将半导体层露出的第一过孔以及第二过孔；
[0058]S204、在第二绝缘层上沉积公共电极层，公共电极层通过第一过孔以及第二过孔与半导体层接触；
[0059]S205、在公共电极层上沉积第二金属层，在第二金属层上涂布第一光阻层;采用掩模板通过光罩对第一光阻层进行图形化处理，并对第二金属层上未被第一光阻层覆盖的区域进行湿法刻蚀，以在公共电极层形成公共电极，在第二金属层形成