相变存储器检测结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种相变存储器检测结构。
【背景技术】
[0002]通过遵循穆尔定律:芯片将更加小型化和高集成度，虽然，闪存已经能够满足需求成倍增长的非易失性存储器，例如运用在数码相机，音乐播放器和手机驱动等。然而，业界担心这些采用浮栅技术获取的半导体器件可能很难继续优化到例如22nm技术节点以下，因此寻找潜在的替代品，已成为全行业的必然选择。
[0003]于是，一个这样的新的非易失性存储器被研发出来，这就是相变存储器(PhaseChange Memory, PCM)。这是一种新兴的非易失性计算机存储器，它可能在将来代替闪存，因为它不仅比闪存速度快得多，更容易缩小到较小尺寸，例如达到5nm的量级，存储速度更快，而且复原性更好，能够实现一亿次以上的擦写次数。
[0004]作为下一代的主流存储器，其具有高速、高密度和低功耗的特征，可以从器件结构和性能等方面进行着手改进。但是作为尚不完全成熟的存储器，其诸多参数、性能还不具有系统的检测结构和方法，在生产加工时也会出现各种各样的问题，例如这一相变存储器形成在不同结构的衬底上，会有着何种不同情况发生，目前尚未可知。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型的目的在于，提供一种相变存储器检测结构，以系统的展现出不同结构的衬底对相变存储器的影响。
[0006]为此，本实用新型提供一种相变存储器检测结构，包括形成在一衬底上的第一检测部分和第二检测部分，所述第一检测部分和第二检测部分皆包括自下而上层叠的第一金属层和第二金属层以及设置于所述第一金属层和第二金属层之间的第一插塞；其中，第一检测部分连接至所述衬底的一有源区；所述第一检测部分和第二检测部分还分别包括测试引脚，所述测试引脚包括连接至所述有源区的第一部分和连接至所属第二金属层的第二部分，第一检测部分中测试引脚的第一部分连接至所述第一金属层，所述第二检测部分中测试引脚的第一部分连接所述至第二金属层。
[0007]可选的，对于所述的相变存储器检测结构，所述第一检测部分和第二检测部分结构相同。
[0008]可选的，对于所述的相变存储器检测结构，所述第一检测部分和第二检测部分还分别包括设置于所述第一金属层朝向第二金属层一侧的第二插塞、设置于所述第一插塞上的相变层、设置于所述相变层上的第三插塞以及设置于所述第一金属层和第二金属层之间的第四插塞，所述第一插塞设置于所述第二插塞上，所述第三插塞与第二金属层相连接。
[0009]可选的，对于所述的相变存储器检测结构，所述第一插塞与第四插塞之间、所述第二插塞与第四插塞之间、所述第三插塞与第四插塞之间通过介质层相隔离。
[0010]可选的，对于所述的相变存储器检测结构，所述相变层与第三插塞之间形成有氧化隔离层
[0011]可选的，对于所述的相变存储器检测结构，所述衬底包括结构不同的第一衬底部分和第二衬底部分。
[0012]可选的，对于所述的相变存储器检测结构，所述有源区形成于所述第一衬底部分中，所述第一检测部分设置于所述第一衬底部分上，并连接至所述有源区。
[0013]可选的，对于所述的相变存储器检测结构，所述第一检测部分的第一金属层连接至所述有源区。
[0014]本实用新型提供的相变存储器检测结构中，包括形成在一衬底上的第一检测部分和第二检测部分，所述第一检测部分和第二检测部分皆包括自下而上层叠的第一金属层和第二金属层以及设置于所述第一金属层和第二金属层之间的第一插塞；其中，第一检测部分连接至所述衬底的一有源区；所述第一检测部分和第二检测部分还分别包括测试引脚，所述测试引脚包括连接至所述有源区的第一部分和连接至所属第二金属层的第二部分，第一检测部分中测试引脚的第一部分连接至所述第一金属层，所述第二检测部分中测试引脚的第一部分连接所述至第二金属层。由此进行检测时，能够获悉相变存储器位于不同衬底(即相变存储器连接至有源区和不连接至有源区)时性能参数的差异，进而分析出结构上的缺陷，有利于优化工艺。
【附图说明】
[0015]图1为本实用新型中相变存储器检测结构的示意图；
[0016]图2为利用本实用新型的相变存储器检测结构进行检测后的数据分析图；
[0017]图3为对本实用新型中相变存储器检测结构进行切片后的显示图像。
【具体实施方式】
[0018]下面将结合示意图对本实用新型的相变存储器检测结构进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型，而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。
[0019]为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本实用新型由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。
[0020]在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本实用新型。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。
[0021]发明人在大量研宄工作中认为，相变存储器的底部电极经常会出现异常，引起这一状况的主要原因是在底部电极进行化学机械抛光工艺过程时，由于对于不同衬底产生的电化学反应不同，导致底部电极在具有有源区衬底区域出现异常，而在浮空器件区域呈现正常。于是设想出在不同的衬底上形成相同的检测部分，从而检测出了不同衬底对相变存储器的影响。
[0022]下面对本实用新型做详细介绍。请参考图1，本实用新型的相变存储器检测结构包括形成在一衬底100上的第一检测部分10和第二检测部分20，所述第一检测部分10和第二检测部分20皆包括第一插塞105，其中，第一检测部分10连接至所述衬底100的有源区112，所述第二检测部分则未连接至有源区(即浮空器件区域)。
[0023]具体的，本实用新型中的所述第一插塞105在实际生产中作为底部电极(BottomElectrical Contact)，通常情况下，这一材质可选择为金属鹤。
[0024]在本实用新型中，首先提供了衬底100，所述衬底100包括结构不同的第一衬底部分101和第二衬底部分201。所述第一衬底部分101和第二衬底部分包括相同的例如硅基底、各种埋层等，不同之处在于，所述第一衬底部分101中还包括例如具有有源区112的结构，而第二衬底部分201则不包括有源区，例如是常见的外围区等。
[0025]在第一衬底部分101和第二衬底部分201上分别形成有第一检测部分10和第二检测部分20，优选的，所述第一检测部分10和第二检测部分10相同，即可以是采用相同的工艺同时形成。
[0026]下面以第一检测部分10为例进行说明。所述第一检测部分10包括自下而