W的旋转中心0，越提高从喷嘴120喷射的流体120a的喷射压力，从而可以在第二位置P2上向更广的面积供给流体120a，并能恒定维持每单位面积的供给流量。
[0097]另一方面，引导部件130能够在预先指定的第一位置Pl和第二位置P2上以阶段性的方式调节喷嘴的喷射角度，但在喷嘴120的往复移动的总距离中，与远离旋转中心O的距离成正比，可以被调节为缓慢提高或降低喷嘴120的喷射角度的形态。由此，可以获得通过调节喷嘴120的喷射高度和喷射压力来衰减半径长度越远离晶片W的旋转中心0，越容易发生的线速度V1、V2的偏差的效果。
[0098]以下，参照图8至图9b来对以如上所述的方式构成的本实用新型的一实施例的晶片处理装置100的第四处理方式进行详细说明。
[0099]另一方面，在以如上所述的方式构成的本实用新型的一实施例的晶片处理装置100中，可以在执行处理工序之前和执行处理工序的过程中，可以借助异物检测部140、140’来检测残留于晶片W上的异物的分布区域，而且，在分布有异物55的区域中，能够以具有更高的清洗力的方式喷射流体120a来执行处理工序。
[0100]具体地，在开始执行处理工序之前，从位于晶片W的上侧或位于引导臂131的异物检测部140、140’中照射光或拍摄图像，从而检测晶片W上的异物局部性地分布很多的区域(SllO)。
[0101]然后，晶片W与支架110 —同自转，并适用第一处理方式至第三处理方式中的一种以上方式，并从清洗喷嘴120向晶片W的表面喷射流体120a。此时，如图9a所示，若检测出异物55集中于连接从晶片W的旋转中心O相隔的第一位置Pl相同的半径长度的第一区域SI，则以连接从旋转中心O更远地相隔的第二位置P2相同的半径长度的第二区域S2等同或反而更高的喷射压力来向第一位置Pl喷射流体120a(S120)。由此，借助从喷嘴120中以高的喷射压力来喷射的流体120a，可以更加容易地集中分布的异物55。
[0102]在指定的时间内，如步骤S120，在执行处理工序之后或在执行处理工序的过程中，异物检测部140、140’重新检测在步骤SllO中检测的异物55是否被去除。
[0103]结果，若在步骤SllO中检测到的异物55借助在步骤S120中的高压喷射的流体120a来干净地去除，则在指定的时间内以上述的第一处理方式至第三处理方式中的一种以上的组合方式进行处理工序(S140)。
[0104]但若在步骤SllO中检测到的异物55没有被在步骤S120中的高压喷射的流体120a去除，则如图9b所示，可以使喷嘴120的喷射角度angl、ang2变得更小，以倾斜为更平行的方向的方式向晶片W的板面中的集中配置有异物的第一区域SI喷射高压的流体120a，从而使异物55借助相对于晶片W的板面朝向前端方向的力来更加确切地得到分离去除(SI30)ο
[0105]在指定的时间内，如步骤S130，执行处理工序或一边执行处理工序，一边由异物检测部140、140’重新检测在步骤S120之后检测到的异物是否被去除。并且，根据其结果来执行步骤S130和步骤S140中的任意一个。
[0106]如上所述，利用晶片处理装置100的第四处理方式向接种配置有异物的区域喷射具有更高的清洗力或漂洗力的流体120a，从而可以更加缩短晶片W的表面被清洗干净所需的清洗时间，最终可以获得提高晶片的处理效率和工序效率的有利的效果。
[0107]另一方面，根据本实用新型的另一实施方式，喷嘴120不以进行往复移动的方式构成，而是如图11所示，在固定杆129设置多个喷嘴120’，各个喷嘴120’可以借助各个的喷嘴倾斜调节部Rl、R2、…R7来相对于固定杆129独立地调节喷射角度120r，并且，可以调节从流体供给部P供给的清洗液、漂洗液等流体120a的喷射压力。
[0108]像这样，通过在固定杆129设置多个喷嘴120，采用越是远离晶片W的旋转中心O的位置，越以更低的方式调节倾斜角，并提高喷射压力，或者越是远离晶片W的旋转中心O的位置，越是将固定杆129设置呈更加倾斜的形态，来调节喷射高度的方法中的一种以上，由此，即使存在晶片W的半径长度的线速度的差异，也能向晶片W的整个表面均匀地供给清洗液，从而可以获得提高清洗、漂洗及干燥效率的效果。
[0109]由此，本实用新型可以获得以下的有利效果:在将晶片W固定于支架110并高速旋转的状态下，为了漂洗或清洗而通过喷嘴调节部来调节清洗液或漂洗液或干燥用气体等流体120a的喷射高度或喷射角度、喷嘴的移动速度、喷射压力中的一种以上，从而在指定的时间内，在晶片的整个表面实施均匀且干净的清洗。并且，本实用新型使用蒸汽来在晶片W的处理工序中执行清洗、漂洗、干燥工序等，从而可以获得能够以更高的效率从晶片W的表面去除残留于晶片W的表面的浆料或毛刷粒子或二氧化硅粒子等异物。
[0110]并且，本实用新型可以获得如下优点:通过检测晶片W上的异物分布，对具有很多异物的区域，以更高的喷射压力喷射流体120a，或以倾斜的倾斜度来喷射流体120a，从而在更短的时间内确切地去除残留于晶片W的异物，提高处理效率。
[0111]以上，通过优选的实施例对本实用新型进行了例示性的说明，但本实用新型并不局限于这种特定的实施例，可以在本实用新型中所提出的技术思想，具体地，在实用新型的保护范围所记载的范畴内进行多种形态的修改、变更或改善。
【主权项】
1.一种晶片处理装置，对经过了化学机械抛光工序的晶片进行处理，其特征在于，包括: 支架，使上述晶片以被放置的状态旋转； 喷嘴，用于向上述晶片的表面喷射处理用流体；以及 喷嘴调节部，用于调节上述喷嘴的喷射方向、喷射高度、喷射压力及移动速度中的一个以上。2.根据权利要求1所述的晶片处理装置，其特征在于， 上述喷嘴一边沿着上述晶片的径向成分移动，一边喷射流体。3.根据权利要求1所述的晶片处理装置，其特征在于， 多个上述喷嘴固定于向具有上述晶片的径向成分的方向延伸的固定杆，相对于上述固定杆，上述喷嘴的喷射角度被独立调节。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的晶片处理装置，其特征在于， 相对于第一喷射角度，第二喷射角度更小，其中，上述第一喷射角度是上述喷嘴在距离上述抛光垫的中心相隔第一距离的位置、即第一位置喷射流体时的相对于水平面的角度，上述第二喷射角度是上述喷嘴在距离上述抛光垫的中心相隔大于上述第一距离的位置、即第二位置喷射流体时的相对于水平面的角度。5.根据权利要求4所述的晶片处理装置，其特征在于， 上述喷嘴在上述第一位置与上述第二位置之间移动的期间，上述喷嘴的喷射角度连续地发生变化。6.根据权利要求2所述的晶片处理装置，其特征在于， 相对于第一移动速度，第二移动速度更慢，其中，上述第一移动速度是上述喷嘴在距离上述抛光垫的中心相隔第一距离的位置、即第一位置上移动的速度，上述第二移动速度是上述喷嘴在距离上述抛光垫的中心相隔大于上述第一距离的位置、即第二位置上移动的速度。7.根据权利要求6所述的晶片处理装置，其特征在于， 上述喷嘴在上述第一位置与上述第二位置之间移动的期间，上述喷嘴的移动速度连续地发生变化。8.根据权利要求1至3中的任一项所述的晶片处理装置，其特征在于， 相对于第一喷射高度，第二喷射高度更高，其中，上述第一喷射高度是上述喷嘴在距离上述抛光垫的中心相隔第一距离的位置、即第一位置进行喷射的高度，上述第二喷射高度是上述喷嘴在距离上述抛光垫的中心相隔大于上述第一距离的位置、即第二位置进行喷射的高度。9.根据权利要求8所述的晶片处理装置，其特征在于， 上述喷嘴在上述第一位置与上述第二位置之间移动的期间，上述喷嘴的喷射高度连续地发生变化。10.根据权利要求1至3中的任一项所述的晶片处理装置，其特征在于， 相对于第一喷射压力，第二喷射压力更大，其中，上述第一喷射压力是上述喷嘴在距离上述抛光垫的中心相隔第一距离的位置、即第一位置上的喷射压力，上述第二喷射压力是上述喷嘴在距离上述抛光垫的中心相隔大于上述第一距离的位置、即第二位置上的喷射压 力。11.根据权利要求10所述的晶片处理装置，其特征在于， 上述喷嘴在上述第一位置与上述第二位置之间移动的期间，上述喷嘴的喷射压力连续地发生变化。12.根据权利要求1所述的晶片处理装置，其特征在于， 从上述喷嘴喷射的流体为清洗液、漂洗液、纯水、蒸汽、氮气及干燥空气中的一种以上。13.根据权利要求1所述的晶片处理装置，其特征在于， 从上述喷嘴喷射的流体包括被加热至60°C?90°C的蒸汽。14.根据权利要求13所述的晶片处理装置，其特征在于， 从上述喷嘴喷射的流体包括纯水和氮气中的一种以上，其中，蒸汽的压力为0.1MPa?0.32MPa，从上述喷嘴的吐出口至上述晶片表面的间隙为5mm?15mm，上述纯水针对上述蒸汽的供给量为2.4公升/分钟?4.8公升/分钟。15.根据权利要求1所述的晶片处理装置，其特征在于， 从上述喷嘴喷射的流体以旋风形态被喷射。
【专利摘要】本实用新型涉及晶片处理装置，其包括：支架，使晶片以被放置的状态旋转；喷嘴，用于向上述晶片的表面喷射清洗液和漂洗液中的一种以上的流体；以及喷嘴调节部，用于调节上述喷嘴的喷射方向、喷射高度、喷射压力及移动速度中的一个以上，由此，提供提高上述晶片处理装置的每小时晶片的处理效率的晶片处理装置。
【IPC分类】H01L21/304, H01L21/67
【公开号】CN204668283
【申请号】CN201520390498
【发明人】赵玟技, 赵贤起, 崔光洛
【申请人】K.C.科技股份有限公司
【公开日】2015年9月23日
【申请日】2015年6月8日